SRAM
奥斯汀半导体公司
512K ×8 SRAM
高速SRAM与
革命引脚
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-95600
SMD 5962-95613
MIL-STD-883
AS5C512K8
引脚分配
（ TOP VIEW ）
36引脚SOJ （ DJ & ECJ ）
36引脚CLCC （ EC）
特点
超高速异步操作
??完全静态的，并没有时钟
多中心的电源和接地引脚，以提高
噪声抗扰度
易于扩展内存通过CE \\和OE \\
选项
所有输入和输出为TTL兼容
单+ 5V电源+/- 10 ％
数据保持功能测试（工厂联系）
成本高效的塑料包装
扩展的测试在-55℃至+ 125℃的塑料
塑料36引脚PSOJ与完全兼容
陶瓷36引脚SOJ
3.3V未来发售
36引脚扁平封装（F ）
选项
时机
15ns的访问
为17ns存取
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
工作温度范围
军事（ -55
o
C至+ 125
o
C)
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
包（ S）
陶瓷LCC
陶瓷扁平
塑料SOJ
陶瓷SOJ
2V数据保存/低功耗
耐辐射（ EPI ）
记号
-15
-17
-20
-25
-35
-45
概述
XT
IT
该AS5C512K8是高速SRAM中。它提供了灵活性
高速存储应用，芯片使能（ CE \\ ）和输出
使能（OE \\ ）的能力。这些功能可以将输出在
高-Z在系统设计的灵活性。
写入这些设备被实现时的写使能（WE \\）
和CE \\输入都是低电平。当我们\\读完成
居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。
作为一个选项，该设备可以提供提供一个减小的功率
待机状态下，使系统设计人员能够满足低待机功耗
要求。该器件采用单+ 5V电源供电
和所有输入和输出完全兼容TTL 。
该AS5C512K8DJ提供的便利性和可靠性
AS5C512K8 SRAM和具有耐用塑料的成本优势。
该AS5C512K8DJ是足迹与36引脚兼容CSOJ
封装SMD 5692-95600的。
EC
F
DJ
ECJ
210号
307号
903号
No.503
L（厂家咨询）
E
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS5C512K8
修订版4.5 7/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
VCC
GND
AS5C512K8
DQ8
输入缓冲器
行解码器
I / O
控制
4,194,304-BIT
存储阵列
1024行×
4096柱
A0-A18
DQ1
CE \\
列解码器
OE \\
WE \\
*电源
下
*在低电压数据保留选项。
引脚功能
A0 - A18
地址输入
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
动力
地
无连接
真值表
模式
OE \\ CE \\ WE \\
待机
X
H
X
读
L
L
H
不选自H
L
H
写
X
L
L
X =无关
WE \\
I / O
高-Z
Q
高-Z
D
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CE \\
OE \\
I / O
0
- I / O
7
V
CC
V
SS
NC
AS5C512K8
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2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
AS5C512K8
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
在VCC电源相对于Vss电压
VCC ................................................. .............................- ， 5V至+ 7.0V的应力等级的设备仅运行在
存储温度（塑料） ......................- 65 ° C至+ 150°C ，这些或任何其他条件超过上述指定
存储温度（陶瓷） ...................- 55 ° C至本规范+ 125°C操作部分将得不到保证。曝光
短路输出电流（每个I / O） ... ........................ 20mA至绝对最大额定值条件下工作
任何引脚相对于Vss .................- 。 5V至Vcc + 1V的电压会影响其可靠性。
最高结温** .............................. + 150°C **结温取决于封装类型，循环
功耗................................................ ................ 1W时，负载，环境温度和空气流通，湿度。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
& -40
o
<牛逼
A
< +85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
描述
电源
当前位置：工作
条件
WE = \\ CE \\ <V
IL
; VCC = MAX
F = MAX = 1 /吨
RC
输出打开
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;版本只
CE \\ > V
IH
，所有其它输入< V
IL
,
VCC = MAX ， F = 0 ，
输出打开
电源
电流：待机
I
CCSP
I
CCLP
I
SBTSP
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
mA
mA
mA
mA
mA
3
符号
-15
-17
-20
最大
-25
-35
-45
单位备注
"L"版本只有我
SBTLP
CE \\ >的Vcc -0.2V ; VCC = MAX
V
IN
<Vss + 0.2V或
V
IN
>Vcc -0.2V ; F = 0
"L"版本只有我
SBCLP
I
SBCSP
10
10
10
10
10
10
mA
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
!
!
#
＃ $ ?????? ？ ％ ？ $ ？ & ?? “
!
!
（ ？ ） ?? * "
（ ？ * "
)
)
)
+,
电容
参数
输入电容
输出Capactiance
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
IN
= 0
o
符号
C
I
Co
最大
12
14
单位
pF
pF
笔记
4
4
AS5C512K8
修订版4.5 7/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5C512K8
电气特性和推荐AC工作条件
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
???? ???? ？ ???? ?? ＃ $ ％ &
???? ） ???? ？ ???? ?? ?? " ？ ％ &
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*
*
*
*
*
*
' ('
' ('
- +
. - +
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(
(
+, 0 +
(
1
*
*
' ('
AS5C512K8
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4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ....... VSS至3.0V
输入上升和下降时间............................................. ............为3ns
输入定时基准水平.............................................. 。 1.5V
输出参考电平............................................... ......... 1.5V
输出负载................................................参见图1和图2
AS5C512K8
Q
167欧姆
1.73V
C=30pF
Q
167欧姆
1.73V
C=5pF
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
1.
2.
3.
4.
5.
6.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-2V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
t
LZCE ，
t
LZWE ，
t
LZOE ，
t
HZCE ，
t
HZOE和
t
HZWE
用CL = 5pF的被指定为与图。 2.过渡
从稳态电压测量± 200mV的。
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE 。
WE \\为高读周期。
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
设备被连续地选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
t
RC =读周期时间。
芯片使能和写使能发起和
结束一个写周期。
输出使能（ OE \\ ）是无效（高） 。
输出使能（ OE \\ ）有效（低电平） 。
ASI不保证功能的可靠性，也
任何产品，其中所述结点温度
超过150℃ 。应注意，限制权力
可接受的水平。
7.
8.
数据保存电气特性
（只有L型）
描述
VCC为保留数据
数据保持电流
芯片取消到数据
手术恢复时间
条件
CE \\ > V
CC
-0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2或0.2V
VCC = 2.0V
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
0
10
民
2
4.5
最大
单位
V
mA
ns
ms
4
4, 11
笔记
AS5C512K8
修订版4.5 7/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
SRAM
奥斯汀半导体公司
512K ×8 SRAM
高速SRAM与
革命引脚
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-95600
SMD 5962-95613
MIL-STD-883
AS5C512K8
引脚分配
（ TOP VIEW ）
36引脚SOJ （ DJ & ECJ ）
36引脚CLCC （ EC）
特点
超高速异步操作
??完全静态的，并没有时钟
多中心的电源和接地引脚，以提高
噪声抗扰度
易于扩展内存通过CE \\和OE \\
选项
所有输入和输出为TTL兼容
单+ 5V电源+/- 10 ％
数据保持功能测试（工厂联系）
成本高效的塑料包装
扩展的测试在-55℃至+ 125℃的塑料
塑料36引脚PSOJ与完全兼容
陶瓷36引脚SOJ
3.3V未来发售
36引脚扁平封装（F ）
选项
时机
15ns的访问
为17ns存取
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
工作温度范围
军事（ -55
o
C至+ 125
o
C)
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
包（ S）
陶瓷LCC
陶瓷扁平
塑料SOJ
陶瓷SOJ
2V数据保存/低功耗
耐辐射（ EPI ）
记号
-15
-17
-20
-25
-35
-45
概述
XT
IT
该AS5C512K8是高速SRAM中。它提供了灵活性
高速存储应用，芯片使能（ CE \\ ）和输出
使能（OE \\ ）的能力。这些功能可以将输出在
高-Z在系统设计的灵活性。
写入这些设备被实现时的写使能（WE \\）
和CE \\输入都是低电平。当我们\\读完成
居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。
作为一个选项，该设备可以提供提供一个减小的功率
待机状态下，使系统设计人员能够满足低待机功耗
要求。该器件采用单+ 5V电源供电
和所有输入和输出完全兼容TTL 。
该AS5C512K8DJ提供的便利性和可靠性
AS5C512K8 SRAM和具有耐用塑料的成本优势。
该AS5C512K8DJ是足迹与36引脚兼容CSOJ
封装SMD 5692-95600的。
EC
F
DJ
ECJ
210号
307号
903号
No.503
L（厂家咨询）
E
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请访问我们的网站：
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AS5C512K8
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1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
VCC
GND
AS5C512K8
DQ8
输入缓冲器
行解码器
I / O
控制
4,194,304-BIT
存储阵列
1024行×
4096柱
A0-A18
DQ1
CE \\
列解码器
OE \\
WE \\
*电源
下
*在低电压数据保留选项。
引脚功能
A0 - A18
地址输入
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
动力
地
无连接
真值表
模式
OE \\ CE \\ WE \\
待机
X
H
X
读
L
L
H
不选自H
L
H
写
X
L
L
X =无关
WE \\
I / O
高-Z
Q
高-Z
D
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CE \\
OE \\
I / O
0
- I / O
7
V
CC
V
SS
NC
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SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
AS5C512K8
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
在VCC电源相对于Vss电压
VCC ................................................. .............................- ， 5V至+ 7.0V的应力等级的设备仅运行在
存储温度（塑料） ......................- 65 ° C至+ 150°C ，这些或任何其他条件超过上述指定
存储温度（陶瓷） ...................- 55 ° C至本规范+ 125°C操作部分将得不到保证。曝光
短路输出电流（每个I / O） ... ........................ 20mA至绝对最大额定值条件下工作
任何引脚相对于Vss .................- 。 5V至Vcc + 1V的电压会影响其可靠性。
最高结温** .............................. + 150°C **结温取决于封装类型，循环
功耗................................................ ................ 1W时，负载，环境温度和空气流通，湿度。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
& -40
o
<牛逼
A
< +85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
描述
电源
当前位置：工作
条件
WE = \\ CE \\ <V
IL
; VCC = MAX
F = MAX = 1 /吨
RC
输出打开
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;版本只
CE \\ > V
IH
，所有其它输入< V
IL
,
VCC = MAX ， F = 0 ，
输出打开
电源
电流：待机
I
CCSP
I
CCLP
I
SBTSP
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
mA
mA
mA
mA
mA
3
符号
-15
-17
-20
最大
-25
-35
-45
单位备注
"L"版本只有我
SBTLP
CE \\ >的Vcc -0.2V ; VCC = MAX
V
IN
<Vss + 0.2V或
V
IN
>Vcc -0.2V ; F = 0
"L"版本只有我
SBCLP
I
SBCSP
10
10
10
10
10
10
mA
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
!
!
#
＃ $ ?????? ？ ％ ？ $ ？ & ?? “
!
!
（ ？ ） ?? * "
（ ？ * "
)
)
)
+,
电容
参数
输入电容
输出Capactiance
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
IN
= 0
o
符号
C
I
Co
最大
12
14
单位
pF
pF
笔记
4
4
AS5C512K8
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奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5C512K8
电气特性和推荐AC工作条件
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
???? ???? ？ ???? ?? ＃ $ ％ &
???? ） ???? ？ ???? ?? ?? " ？ ％ &
???? ???? ？ ???? ?? ＃ $ ％ &
???? ） ???? ？ ???? ?? ?? " ？ ％ &
*
*
*
*
*
*
' ('
' ('
- +
. - +
+ ？ ） ???? ？ ???? ?? ＃ $ ％ &
+ ？ ???? ？ ???? ?? ?? " ？ ％ &
(
(
+, 0 +
(
1
*
*
' ('
AS5C512K8
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4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ....... VSS至3.0V
输入上升和下降时间............................................. ............为3ns
输入定时基准水平.............................................. 。 1.5V
输出参考电平............................................... ......... 1.5V
输出负载................................................参见图1和图2
AS5C512K8
Q
167欧姆
1.73V
C=30pF
Q
167欧姆
1.73V
C=5pF
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
1.
2.
3.
4.
5.
6.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-2V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
t
LZCE ，
t
LZWE ，
t
LZOE ，
t
HZCE ，
t
HZOE和
t
HZWE
用CL = 5pF的被指定为与图。 2.过渡
从稳态电压测量± 200mV的。
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE 。
WE \\为高读周期。
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
设备被连续地选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
t
RC =读周期时间。
芯片使能和写使能发起和
结束一个写周期。
输出使能（ OE \\ ）是无效（高） 。
输出使能（ OE \\ ）有效（低电平） 。
ASI不保证功能的可靠性，也
任何产品，其中所述结点温度
超过150℃ 。应注意，限制权力
可接受的水平。
7.
8.
数据保存电气特性
（只有L型）
描述
VCC为保留数据
数据保持电流
芯片取消到数据
手术恢复时间
条件
CE \\ > V
CC
-0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2或0.2V
VCC = 2.0V
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
0
10
民
2
4.5
最大
单位
V
mA
ns
ms
4
4, 11
笔记
AS5C512K8
修订版4.5 7/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
SRAM
奥斯汀半导体公司
512K ×8 SRAM
高速SRAM与
革命引脚
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-95600
SMD 5962-95613
MIL-STD-883
AS5C512K8
引脚分配
（ TOP VIEW ）
36引脚SOJ （ DJ & ECJ ）
36引脚CLCC （ EC）
特点
超高速异步操作
??完全静态的，并没有时钟
多中心的电源和接地引脚，以提高
噪声抗扰度
易于扩展内存通过CE \\和OE \\
选项
所有输入和输出为TTL兼容
单+ 5V电源+/- 10 ％
数据保持功能测试（工厂联系）
成本高效的塑料包装
扩展的测试在-55℃至+ 125℃的塑料
塑料36引脚PSOJ与完全兼容
陶瓷36引脚SOJ
3.3V未来发售
36引脚扁平封装（F ）
选项
时机
15ns的访问
为17ns存取
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
工作温度范围
军事（ -55
o
C至+ 125
o
C)
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
包（ S）
陶瓷LCC
陶瓷扁平
塑料SOJ
陶瓷SOJ
2V数据保存/低功耗
耐辐射（ EPI ）
记号
-15
-17
-20
-25
-35
-45
概述
XT
IT
该AS5C512K8是高速SRAM中。它提供了灵活性
高速存储应用，芯片使能（ CE \\ ）和输出
使能（OE \\ ）的能力。这些功能可以将输出在
高-Z在系统设计的灵活性。
写入这些设备被实现时的写使能（WE \\）
和CE \\输入都是低电平。当我们\\读完成
居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。
作为一个选项，该设备可以提供提供一个减小的功率
待机状态下，使系统设计人员能够满足低待机功耗
要求。该器件采用单+ 5V电源供电
和所有输入和输出完全兼容TTL 。
该AS5C512K8DJ提供的便利性和可靠性
AS5C512K8 SRAM和具有耐用塑料的成本优势。
该AS5C512K8DJ是足迹与36引脚兼容CSOJ
封装SMD 5692-95600的。
EC
F
DJ
ECJ
210号
307号
903号
No.503
L（厂家咨询）
E
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS5C512K8
修订版4.5 7/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
VCC
GND
AS5C512K8
DQ8
输入缓冲器
行解码器
I / O
控制
4,194,304-BIT
存储阵列
1024行×
4096柱
A0-A18
DQ1
CE \\
列解码器
OE \\
WE \\
*电源
下
*在低电压数据保留选项。
引脚功能
A0 - A18
地址输入
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
动力
地
无连接
真值表
模式
OE \\ CE \\ WE \\
待机
X
H
X
读
L
L
H
不选自H
L
H
写
X
L
L
X =无关
WE \\
I / O
高-Z
Q
高-Z
D
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CE \\
OE \\
I / O
0
- I / O
7
V
CC
V
SS
NC
AS5C512K8
修订版4.5 7/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
AS5C512K8
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
在VCC电源相对于Vss电压
VCC ................................................. .............................- ， 5V至+ 7.0V的应力等级的设备仅运行在
存储温度（塑料） ......................- 65 ° C至+ 150°C ，这些或任何其他条件超过上述指定
存储温度（陶瓷） ...................- 55 ° C至本规范+ 125°C操作部分将得不到保证。曝光
短路输出电流（每个I / O） ... ........................ 20mA至绝对最大额定值条件下工作
任何引脚相对于Vss .................- 。 5V至Vcc + 1V的电压会影响其可靠性。
最高结温** .............................. + 150°C **结温取决于封装类型，循环
功耗................................................ ................ 1W时，负载，环境温度和空气流通，湿度。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
& -40
o
<牛逼
A
< +85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
描述
电源
当前位置：工作
条件
WE = \\ CE \\ <V
IL
; VCC = MAX
F = MAX = 1 /吨
RC
输出打开
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;版本只
CE \\ > V
IH
，所有其它输入< V
IL
,
VCC = MAX ， F = 0 ，
输出打开
电源
电流：待机
I
CCSP
I
CCLP
I
SBTSP
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
mA
mA
mA
mA
mA
3
符号
-15
-17
-20
最大
-25
-35
-45
单位备注
"L"版本只有我
SBTLP
CE \\ >的Vcc -0.2V ; VCC = MAX
V
IN
<Vss + 0.2V或
V
IN
>Vcc -0.2V ; F = 0
"L"版本只有我
SBCLP
I
SBCSP
10
10
10
10
10
10
mA
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
!
!
#
＃ $ ?????? ？ ％ ？ $ ？ & ?? “
!
!
（ ？ ） ?? * "
（ ？ * "
)
)
)
+,
电容
参数
输入电容
输出Capactiance
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
IN
= 0
o
符号
C
I
Co
最大
12
14
单位
pF
pF
笔记
4
4
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电气特性和推荐AC工作条件
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
???? ???? ？ ???? ?? ＃ $ ％ &
???? ） ???? ？ ???? ?? ?? " ？ ％ &
???? ???? ？ ???? ?? ＃ $ ％ &
???? ） ???? ？ ???? ?? ?? " ？ ％ &
*
*
*
*
*
*
' ('
' ('
- +
. - +
+ ？ ） ???? ？ ???? ?? ＃ $ ％ &
+ ？ ???? ？ ???? ?? ?? " ？ ％ &
(
(
+, 0 +
(
1
*
*
' ('
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AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ....... VSS至3.0V
输入上升和下降时间............................................. ............为3ns
输入定时基准水平.............................................. 。 1.5V
输出参考电平............................................... ......... 1.5V
输出负载................................................参见图1和图2
AS5C512K8
Q
167欧姆
1.73V
C=30pF
Q
167欧姆
1.73V
C=5pF
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
1.
2.
3.
4.
5.
6.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-2V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
t
LZCE ，
t
LZWE ，
t
LZOE ，
t
HZCE ，
t
HZOE和
t
HZWE
用CL = 5pF的被指定为与图。 2.过渡
从稳态电压测量± 200mV的。
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE 。
WE \\为高读周期。
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
设备被连续地选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
t
RC =读周期时间。
芯片使能和写使能发起和
结束一个写周期。
输出使能（ OE \\ ）是无效（高） 。
输出使能（ OE \\ ）有效（低电平） 。
ASI不保证功能的可靠性，也
任何产品，其中所述结点温度
超过150℃ 。应注意，限制权力
可接受的水平。
7.
8.
数据保存电气特性
（只有L型）
描述
VCC为保留数据
数据保持电流
芯片取消到数据
手术恢复时间
条件
CE \\ > V
CC
-0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2或0.2V
VCC = 2.0V
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
0
10
民
2
4.5
最大
单位
V
mA
ns
ms
4
4, 11
笔记
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