【补充Am29F200B已知合格芯片2兆位（ 256千×8位/ 128的K× 16位）CMOS 5.0】,IC型号Am29F200BT-120DWI1,Am29F200BT-120DWI1 PDF资料,Am29F200BT-120DWI1经销商,ic,电子元器件-51电子网

补充

Am29F200B已知合格芯片

2兆位（ 256千×8位/ 128的K× 16位）

CMOS 5.0伏只，分扇区闪存裸片修订版1

特色鲜明

5.0 V

用于读取和写入操作10 ％

- 最大程度降低系统级功耗要求

在0.32微米制程技术制造的

- 兼容0.5微米Am29F200A设备

高性能

- 70 ， 90 ，或120 ns访问时间

低功耗

- 20毫安典型的读操作工作电流（字节模式）

- 27 mA典型有效的读电流

（字模式）

- 30毫安典型的编程/擦除电流

- 1 μA典型待机电流

扇区擦除架构

- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而

3个64字节扇区（字节模式）

- 一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并

3个32千字部门（字模式）

- 支持整片擦除

- 扇区保护功能：

锁定一个部门，以防止硬件方法

内的任何程序或擦除操作

扇形

部门可以通过编程来锁定

设备

临时机构撤消功能允许代码

改变先前锁定行业

顶部或底部启动块CON连接gurations

可用的

嵌入式算法

- 嵌入式擦除算法自动

preprograms和擦除整个芯片或任何

指定界别组合

- 嵌入式程序算法自动

写和在指定地址的数据验证

最低百万写入/擦除周期

保证

兼容JEDEC标准

- 引脚和软件兼容

单电源FL灰

- 高级无意写保护

数据＃投票和切换位

- 检测编程或擦除周期完成

就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃）

- 硬件的检测方法，程序或

擦除周期结束

擦除挂起/恢复

- 支持从一个部门不被读取的数据

删除

硬件RESET ＃引脚

- 复位内部状态机来读取

数组数据

20年的数据保存在125°C

经测试数据表规格的

温度

- 联系AMD的较高温度范围

器件

质量和可靠性水平相当于

标准封装组件

出版＃

21257

启：

Amendment/+4

发行日期：

2001年6月27日

的SuI P P L E M E N牛逼

概述

该Am29F200B在已知合格芯片（ KGD ）的形式是

2兆， 5.0伏只闪存。 AMD KGD的定义

作为标准产品裸片形式，测试功能

和速度。 AMD KGD产品具有相同的可靠性

能力素质作为AMD的产品包装形式。

前执行擦除操作。在擦除，

自动装置倍擦除脉冲宽度

并验证正确的电池余量。

主机系统可以检测是否一个程序或

擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃

销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6 /

DQ2 （切换）

状态位。

编程或擦除后

周期已经完成，该装置已准备好读取

阵列中的数据或者接受另一个命令。

该

扇区擦除架构

让内存部门

要被擦除和重新编程，而不会影响

其他部门的数据内容。该装置是完全

从工厂发货时被擦除。

硬件数据保护

措施包括一个低

探测器可以自动抑制写操作

在电源转换系统蒸发散。该

硬件部门

保护

功能禁用这两个编程和擦除

在内存的部门的任何组合操作

ORY 。这可以通过编程设备来实现。

该

擦除挂起

特征使用户能够把

清除搁置任何一段时间内读取数据，

或不选择程序数据，任何扇区

擦除。真实背景擦除因此可以实现。

该

硬件RESET ＃引脚

终止任何操作

在进行中，内部状态机复位到

读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到

系统复位电路。因此，一个系统复位也会

复位装置，使系统微处理器

读取从Flash存储器的引导固件。

该系统可将设备投入的

待机模式。

功率消耗在这种模式下大大降低。

AMD的闪存技术，结合多年闪存存储器的

储器制造经验，生产的最高列弗

ELS的质量，可靠性和成本效益。该装置

电擦除一个扇区内的所有位simulta-

通过neously福勒- Nordheim隧穿。该数据是

用热电子注入编程。

Am29F200B特点

该Am29F200B组织为262,144字节8

每个位或每16位131,072字。 8位

数据显示在DQ0 - DQ7 ; 16位的数据出现在

DQ0 - DQ15 。本设备被设计为被编程

在系统与标准系统5.0伏V

供应量。 12.0伏V

不需要程序或

擦除操作。

在KGD形式的标准Am29F200B提供

70 ， 90 ，或120纳秒，实现高速存取时间

微处理器无需等待状态运行。对

消除总线争用该设备具有单独的芯片

使能（CE ＃），写使能（WE ＃）和输出使能

（ OE ＃）控制。

只有一个设备需要

单5.0伏电源支持

股

用于读取和写入功能。内部gener-

被提供给ated和稳压电压

编程和擦除操作。

该设备完全指令集的兼容

JEDEC单电源闪存标准。

COM-

要求主要通过标写入命令寄存器

准微处理器写时序。寄存器的内容

作为输入到一个内部状态机是CON组

指令对擦除和编程电路。写周期

还在内部锁存器需要的地址和数据

编程和擦除操作。读出数据

该装置类似于读取来自其他闪存或

EPROM器件。

器件编程时通过执行程序

命令序列。这将启动

嵌入式

节目

算法的内部算法，自动

matically次编程脉冲宽度和验证

适当的细胞保证金。

设备出现擦除通过执行擦除的COM

命令序列。这将启动

嵌入式擦除

算法的内部算法，可以自动

preprograms阵列（如果它尚未被编程）

电气规格

请参考Am29F200B数据表，数字出版

21526 ，完整的电气规范的Am29F200B 。

产品选择指南

系列型号

速度选项（V

= 5.0 V

10%)

最大访问时间， NS （T

加

)

最大CE＃访问时间， NS （T

)

最大OE ＃访问时间， NS （T

)

-75

= 5.0 V

5%)

Am29F200B KGD

-90

-120

120

Am29F200B已知合格芯片

的SuI P P L E M E N牛逼

DIE PHOTOGRAPH

DIE焊盘位置

9 8 7 6 5 4 3 2 1 42 41 40 39 38

37 36

35 34

AMD标识的位置

1314 15 16 17 18 19 20 21 22

24 25 26 27 28 29 30

Am29F200B已知合格芯片

的SuI P P L E M E N牛逼

PAD说明

PAD

信号

DQ4

DQ12

DQ5

DQ13

DQ6

DQ14

DQ7

DQ15/A-1

BYTE ＃

A16

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

RESET＃

RY / BY ＃

CE＃

OE ＃

DQ0

DQ8

DQ1

DQ9

DQ2

DQ10

DQ3

DQ11

垫中心（密耳）

0.00

–6.80

–12.80

–18.60

–24.50

–30.30

–36.30

–42.10

–48.00

–55.70

–57.50

–57.10

–51.30

–45.90

–40.00

–34.60

–28.80

–23.30

–17.40

–12.00

–2.40

9.50

30.30

35.80

41.60

47.00

52.90

58.30

64.10

64.50

55.00

47.40

41.50

35.60

29.70

23.90

18.00

12.10

6.20

0.00

1.40

–6.50

–18.00

–124.90

–124.60

–124.90

–128.60

–124.90

–18.00

–6.50

3.80

2.30

0.00

垫中心（毫米）

0.0000

–0.1727

0.0000

–0.3251

0.0000

–0.4724

0.0000

–0.6223

0.0000

–0.7696

0.0000

–0.9220

0.0000

–1.0693

0.0000

–1.2192

0.0000

–1.4148

0.0356

–1.4605

–0.1651

–1.4605

–0.4572

–1.4503

–3.1725

–1.3030

–3.1725

–1.1659

–3.1725

–1.0160

–3.1725

–0.8788

–3.1725

–0.7315

–3.1725

–0.5918

–3.1648

–0.4420

–3.1725

–0.3048

–3.1725

–0.0610

–3.2664

0.2413

–3.2664

0.7696

–3.1725

0.9093

–3.1725

1.0566

–3.1725

1.1938

–3.1725

1.3437

–3.1725

1.4808

–3.1725

1.6281

–3.1725

1.6383

–0.4572

1.6383

–0.1651

1.6383

0.0965

1.3970

0.0584

1.2040

0.0000

1.0541

0.0000

0.9042

0.0000

0.7544

0.0000

0.6071

0.0000

0.4572

0.0000

0.3073

0.0000

0.1575

0.0000

注意：

上面的坐标是相对于垫1的中心，并且可以被用来操作引线接合设备。

Am29F200B已知合格芯片

的SuI P P L E M E N牛逼

订购信息

标准产品

AMD标准的产品在几个包和经营范围内工作。订单号（有效组合）

通过下面的组合形成：

Am29F200B

-75

裸片修订

这个数字是指在特定的AMD制造工艺和

产品技术体现本文件中。它被输入到

AMD的标准产品命名版本字段。

温度范围

=商业（ 0 ° C至+ 70 ° C）

=工业（ -40

C至+ 85

=扩展（ -55

C至+ 125

联系AMD的较高温度范围内的设备。

包装类型和

最小起订量

=华夫格包

每5托盘堆叠裸片245

=凝胶PAK托盘模具

每6托盘堆叠裸片486

= Surftape （卷带式）

2500元7寸盘

=凝胶PAK晶片托盘（上框锯片）

呼叫AMD销售办事处最小起订量

速度选项

见产品选型指南和有效组合

引导代码部门架构

热门行业

底部部门

设备号/说明

Am29F200B已知合格芯片

2兆位（ 256千×8位/ 128的K× 16位

)

CMOS闪存裸片修订版1

5.0伏只编程和擦除

有效组合

AM29F200BT-75,

AM29F200BB-75

（ 70纳秒，V

= 5.0 V ±5%)

AM29F200BT-90,

AM29F200BB-90

AM29F200BT-120,

AM29F200BB-120

DPC 1 ， DPI 1 ， DPE 1 ，

DGC 1 ， DGI 1 ， DGE 1 ，

DTC 1 ， DTI 1 ， DTE 1 ，

DWC 1 ， DWI 1 ， DWE 1

有效组合

有效组合列表CON连接gurations计划是支持

移植数量为这个设备。请咨询当地的AMD销售

网络连接CE的精读的特定网络有效组合连接RM可用性和

以检查新发布的组合。

Am29F200B已知合格芯片

Am29F200B

已知合格芯片

数据表

-XO \\ ????

7KH IROORZLQJ GRFXPHQW VSHFLILHV 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG

0LFUR设备SNMP DQG ） XMLWVX ？ $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ？

LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ？ WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG

） XMLWVX ？

规格连续性

7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GDWDVKHHW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ？ $ Q \\

FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GDWDVKHHW LPSURYHPHQW DQG DUH QRWHG LQ WKH

GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ？ ZKHUH VXSSRUWHG ？） XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSURSULDWH ？

DQG FKDQJHV ZLOO EH QRWHG LQ UHYLVLRQ VXPPDU \\ ？

订购零件编号的连续性

0美元“ DQG ） XMLWVX FRQWLQXH WR VXSSRUW H [ LVWLQJ SDUW QXPEHUV EHJLQQLQJ ZLWK $ P DQG 0 ％ 0 ？ 7R RUGHU

WKHVH SURGXFWV ？ SOHDVH XVH RQO \\ WKH 2UGHULQJ 3DUW 1XPEHUV OLVWHG LQ WKLV GRFXPHQW ？

欲了解更多信息

3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ） XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ

PHPRU \\ VROXWLRQV ？

Q ?? iyvph ?? V ????爱???? IR ？谩

！！ &美元

一张SR ?? V ?? V ????谩

6 ?? R 14 Q 20 ????谩

A D ?????? r9h ?? R A

ê ???? RA ！ & ？阿！？

补充

Am29F200B已知合格芯片

2兆位（ 256千×8位/ 128的K× 16位）

CMOS 5.0伏只，分扇区闪存裸片修订版1

特色鲜明

■

5.0 V

用于读取和写入操作10 ％

- 最大程度降低系统级功耗要求

■

在0.32微米制程技术制造的

- 兼容0.5微米Am29F200A设备

■

高性能

- 70 ， 90 ，或120 ns访问时间

■

低功耗

- 20毫安典型的读操作工作电流（字节模式）

- 27 mA典型有效的读电流

（字模式）

- 30毫安典型的编程/擦除电流

- 1 μA典型待机电流

■

扇区擦除架构

- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而

3个64字节扇区（字节模式）

- 一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并

3个32千字部门（字模式）

- 支持整片擦除

- 扇区保护功能：

锁定一个部门，以防止硬件方法

内的任何程序或擦除操作

扇形

部门可以通过编程来锁定

设备

临时机构撤消功能允许代码

改变先前锁定行业

■

顶部或底部启动块CON连接gurations

可用的

■

嵌入式算法

- 嵌入式擦除算法自动

preprograms和擦除整个芯片或任何

指定界别组合

- 嵌入式程序算法自动

写和在指定地址的数据验证

■

最低百万写入/擦除周期

保证

■

兼容JEDEC标准

- 引脚和软件兼容

单电源FL灰

- 高级无意写保护

■

数据＃投票和切换位

- 检测编程或擦除周期完成

■

就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃）

- 硬件的检测方法，程序或

擦除周期结束

■

擦除挂起/恢复

- 支持从一个部门不被读取的数据

删除

■

硬件RESET ＃引脚

- 复位内部状态机来读取

数组数据

■

20年的数据保存在125°C

■

经测试数据表规格的

温度

- 联系AMD的较高温度范围

器件

■

质量和可靠性水平相当于

标准封装组件

■

运华夫包装， surftape和unsawn

晶圆

■

500微米芯片/晶圆厚度

出版＃

21257

启：

Amendment/+4

发行日期：

2001年6月27日

的SuI P P L E M E N牛逼

概述

该Am29F200B在已知合格芯片（ KGD ）的形式是

2兆， 5.0伏只闪存。 AMD KGD的定义

作为标准产品裸片形式，测试功能

和速度。 AMD KGD产品具有相同的可靠性

能力素质作为AMD的产品包装形式。

编程）执行擦除操作之前。能很好地协同

次擦除自动荷兰国际集团的擦除，所述装置

脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。

主机系统可以检测是否一个程序或

擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃

销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6 /

DQ2 （切换）

状态位。

编程或擦除后

周期已经完成，该装置已准备好读取

阵列中的数据或者接受另一个命令。

该

扇区擦除架构

让内存部门

要被擦除和重新编程，而不会影响

其他部门的数据内容。该装置是完全

从工厂发货时被擦除。

硬件数据保护

措施包括一个低

探测器可以自动抑制写操作

在电源转换系统蒸发散。该

硬件部门

保护

功能禁用这两个编程和擦除

在内存的部门的任何组合操作

ORY 。这可以通过编程设备来实现。

该

擦除挂起

特征使用户能够把

清除搁置任何一段时间内读取数据，

或不选择程序数据，任何扇区

擦除。真实背景擦除因此可以实现。

该

硬件RESET ＃引脚

终止任何操作

在进行中，内部状态机复位到

读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到

系统复位电路。因此，一个系统复位也会

复位装置，使系统微处理器

读取从Flash存储器的引导固件。

该系统可将设备投入的

待机模式。

功率消耗在这种模式下大大降低。

AMD的闪存技术，结合多年闪存存储器的

储器制造经验，生产的最高列弗

ELS的质量，可靠性和成本效益。该装置

电擦除一个扇区内的所有位simulta-

通过neously福勒- Nordheim隧穿。该数据是

用热电子注入编程。

Am29F200B特点

该Am29F200B组织为262,144字节8

每个位或每16位131,072字。 8位

数据显示在DQ0 - DQ7 ; 16位的数据出现在

DQ0 - DQ15 。本设备被设计为被编程

在系统与标准系统5.0伏V

供应量。 12.0伏V

不需要程序或

擦除操作。

在KGD形式的标准Am29F200B提供

70 ， 90 ，或120纳秒，实现高速存取时间

微处理器无需等待状态运行。对

消除总线争用该设备具有单独的芯片

使能（CE ＃），写使能（WE ＃）和输出使能

（ OE ＃）控制。

只有一个设备需要

单5.0伏电源支持

股

用于读取和写入功能。内部gener-

被提供给ated和稳压电压

编程和擦除操作。

该设备完全指令集的兼容

JEDEC单电源闪存标准。

COM-

要求主要通过标写入命令寄存器

准微处理器写时序。寄存器的内容

作为输入到一个内部状态机是CON组

指令对擦除和编程电路。写周期

还在内部锁存器需要的地址和数据

编程和擦除操作。读出数据

该装置类似于读取来自其他闪存或

EPROM器件。

器件编程时通过执行程序

命令序列。这将启动

嵌入式

节目

算法的内部算法，自动

matically次编程脉冲宽度和验证

适当的细胞保证金。

设备出现擦除通过执行擦除的COM

命令序列。这将启动

嵌入式擦除

算法的内部算法，可以自动

preprograms阵列（如果它尚未亲

电气规格

请参考Am29F200B数据表，数字出版

21526 ，完整的电气规范的Am29F200B 。

产品选择指南

系列型号

速度选项（V

= 5.0 V

10%)

最大访问时间， NS （T

加

)

最大CE＃访问时间， NS （T

)

最大OE ＃访问时间， NS （T

)

Am29F200B KGD

-75

= 5.0 V

5%)

-90

-120

120

Am29F200B已知合格芯片

的SuI P P L E M E N牛逼

DIE PHOTOGRAPH

DIE焊盘位置

9 8 7 6 5 4 3 2 1 42 41 40 39 38

37 36

35 34

AMD标识的位置

1314 15 16 17 18 1920 21 22

24 25 2627 28 29 30

Am29F200B已知合格芯片

的SuI P P L E M E N牛逼

PAD说明

PAD

信号

DQ4

DQ12

DQ5

DQ13

DQ6

DQ14

DQ7

DQ15/A-1

BYTE ＃

A16

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

RESET＃

RY / BY ＃

CE＃

OE ＃

DQ0

DQ8

DQ1

DQ9

DQ2

DQ10

DQ3

DQ11

垫中心（密耳）

0.00

–6.80

–12.80

–18.60

–24.50

–30.30

–36.30

–42.10

–48.00

–55.70

–57.50

–57.10

–51.30

–45.90

–40.00

–34.60

–28.80

–23.30

–17.40

–12.00

–2.40

9.50

30.30

35.80

41.60

47.00

52.90

58.30

64.10

64.50

55.00

47.40

41.50

35.60

29.70

23.90

18.00

12.10

6.20

0.00

1.40

–6.50

–18.00

–124.90

–124.60

–124.90

–128.60

–124.90

–18.00

–6.50

3.80

2.30

0.00

垫中心（毫米）

0.0000

–0.1727

0.0000

–0.3251

0.0000

–0.4724

0.0000

–0.6223

0.0000

–0.7696

0.0000

–0.9220

0.0000

–1.0693

0.0000

–1.2192

0.0000

–1.4148

0.0356

–1.4605

–0.1651

–1.4605

–0.4572

–1.4503

–3.1725

–1.3030

–3.1725

–1.1659

–3.1725

–1.0160

–3.1725

–0.8788

–3.1725

–0.7315

–3.1725

–0.5918

–3.1648

–0.4420

–3.1725

–0.3048

–3.1725

–0.0610

–3.2664

0.2413

–3.2664

0.7696

–3.1725

0.9093

–3.1725

1.0566

–3.1725

1.1938

–3.1725

1.3437

–3.1725

1.4808

–3.1725

1.6281

–3.1725

1.6383

–0.4572

1.6383

–0.1651

1.6383

0.0965

1.3970

0.0584

1.2040

0.0000

1.0541

0.0000

0.9042

0.0000

0.7544

0.0000

0.6071

0.0000

0.4572

0.0000

0.3073

0.0000

0.1575

0.0000

注意：

上面的坐标是相对于垫1的中心，并且可以被用来操作引线接合设备。

Am29F200B已知合格芯片