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数据表
低功耗四路运算放大器
概述
该AZ324由四个独立的,高增益和
内部频率补偿运算amplifi-
ERS 。它是专为从单一操作
电源。从拆分电源操作
也可能和低电源电流消耗是
独立的电源的大小的
电压。
该AZ324系列是业界兼容标
准324 。
该AZ324系列提供两种封装: DIP -14
和SOIC -14 。
AZ324
特点
·
·
·
·
·
·
内部频率补偿的统一
收益
大电压增益:百分贝(典型值)
低输入偏置电流: 20nA (典型值)
低输入失调电压:为2mV (典型值)
低电源电流: 0.5毫安(典型值)
宽电源电压范围:
单电源: 3V至18V
双电源: ± 1.5V到± 9V
输入共模电压范围包括
大输出电压摆幅: 0V至V
CC
-1.5V
适用于电池供电的电力消耗
·
·
·
应用
·
·
·
电池充电器
无绳电话
开关电源
DIP-14
SOIC-14
AZ324图1.包装类型
2006年8月修订版1.3
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
低功耗四路运算放大器
引脚配置
男包/ P封装
(SOIC-14/DIP-14)
输出1
输入1
输入1+
V
CC
输入2+
输入2-
输出2
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
图2. AZ324的引脚配置
14
13
12
11
10
9
8
输出4
INPUT 4-
INPUT 4+
GND
INPUT 3+
INPUT 3-
输出3
AZ324
功能框图
V
CC
6A
4A
100A
Q5
Q6
Q2
输入 -
Q1
Q3
Q4
RSC
产量
INPUT +
Q11
Q10
Q8
Q9
Q12
50A
Q13
Cc
Q7
图3. AZ324的功能框图
(每扩增fi er )
2006年8月修订版1.3
2
BCD半导体制造有限公司
数据表
低功耗四路运算放大器
订购信息
AZ324
AZ324
-
E1 :无铅
空白:铅锡
TR :磁带和卷轴
空白:管
电路类型
M: SOIC -14
P: DIP - 14
温度
范围
-40到85
o
C
-40到85
o
C
产品型号
铅锡
AZ324M
AZ324MTR
AZ324P
无铅
AZ324M-E1
AZ324MTR-E1
AZ324P-E1
标记ID
铅锡
AZ324M
AZ324M
AZ324P
无铅
AZ324M-E1
AZ324M-E1
AZ324P-E1
包装类型
磁带&卷轴
SOIC-14
DIP-14
BCD半导体的无铅产品,如标有"E1"后缀的型号,均符合RoHS标准。
2006年8月修订版1.3
3
BCD半导体制造有限公司
数据表
低功耗四路运算放大器
绝对最大额定值(注1 )
参数
电源电压
差分输入电压
输入电压
输入电流(V
IN
<-0.3V ) (注2 )
输出对地短路(一
放大器)V
CC
≤12V
和T
A
=25
o
C
(注3)
功率耗散(T
A
=25
o
C)
AZ324
符号
V
CC
V
ID
V
IC
价值
20
20
-0.3 20
50
连续
单位
V
V
V
mA
P
D
T
J
T
英镑
T
领导
DIP
SOIC
150
-65到150
260
1130
mW
800
o
C
o
C
o
工作结温
存储温度范围
引线温度(焊接, 10秒)
C
注1 :应力大于下"Absolute最大Ratings"上市可能会造成永久性损坏
装置。这些仅仅是极限,而在这些条件下,是不是暗示该设备的功能操作。
置身于"Absolute最大Ratings"长时间可能会影响器件的可靠性。
注2 :当在任何输入电压引线被驱动负此输入电流将仅存在。这是由于
输入PNP晶体管的集电极 - 基极结变成正向偏置,从而作为输入二极管
夹。除了这个二极管动作,也有在IC芯片上侧的NPN寄生晶体管作用。这
晶体管的动作可能会导致运算放大器的输出电压,以调出V
CC
电压电平(或接地的
大过驱动),用于为输入的驱动负的持续时间。这不是破坏性的,正常的输出
状态将重新建立,当输入电压,为负时,再次返回到一个值大于-0.3V (在
25
o
C)
注3:从输出到V短路
CC
可能导致过度加热并最终破坏。当consid-
化工e圈短路至地,最大输出电流是幅度约为40毫安独立
V的
CC
。在超过+ 12V电源电压的值,连续短路可能超过功率耗散
收视率,并导致最终销毁。破坏性消耗可以导致所有amplifi-同时短裤
ERS 。
推荐工作条件
参数
电源电压
工作温度范围
符号
V
CC
T
A
3
-40
最大
18
85
单位
V
o
C
2006年8月修订版1.3
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
低功耗四路运算放大器
电气特性
工作条件: V
CC
= 5V , GND = 0V ,T
A
=25
o
C除非另有规定ED 。
参数
输入失调电压
输入偏置电流
(注4 )
输入失调电流
输入共模电压
年龄范围(注5 )
电源电流
符号
V
IO
I
BIAS
I
IO
V
IR
I
CC
测试条件
典型值
2
20
5
0
1
0.5
85
65
70
100
85
90
-120
20
10
12
45
20
50
45
12
12.5
13.5
5
20
V
mV
60
最大
5
200
50
V
CC
-1.5
AZ324
单位
mV
nA
nA
V
V
O
= 1.4V ,R
S
=0, V
CC
= 5V至15V
I
IN
+或I
IN
-, V
CM
=0V
I
IN
+ - I
IN
-
,
V
CM
=0V
V
CC
=15V
R
L
= ∞ ,在整个温度V
CC
=15V
范围内对所有运算放大器
V
CC
=5V
V
CC
= 15V ,R
L
≥ 2k
,
V
O
= 1V至11V
DC ,V
CC
=15V, V
CM
= 0V至(Ⅴ
CC
-1.5)V
V
CC
= 5V至15V
F = 1kHz至20kHz的(输入参考)
V
IN
+=1V, V
IN
-=0V, V
CC
=15V, V
O
=2V
V
IN
+=0V, V
IN
-=1V, V
CC
=15V, V
O
=2V
V
IN
+=0V,V
IN
-=1V, V
CC
=15V, V
O
=0.2V
2
1.2
mA
dB
dB
dB
dB
mA
mA
A
mA
大信号
电压增益
共模抑制
电源抑制
声道分离
(注6 )
来源
输出电流
SINK
输出短路
对地
G
V
CMRR
PSRR
CS
I
来源
I
SINK
I
SC
V
OH
V
CC
=15V
V
CC
= 15V ,R
L
=2k
V
CC
= 15V ,R
L
=10k
V
CC
= 5V ,R
L
=10k
输出电压摆幅
V
OL
注4:输入电流的方向是从IC的由于PNP输入级。此电流基本上
恒定的,独立的输出的状态如何,所以存在着在输入线无负荷变化。
注5:任一输入信号电压的输入共模电压不应该被允许通过去负
超过0.3V (25
o
C) 。的共模电压范围的上限是
VCC
-1.5V (25
o
C)中,但任一者或
两个输入端可以到+ 18V无损坏,独立于V的大小
CC
.
注6 :由于外部元件的附近,保证接头不通过杂散电容始发
这些外部部件之间。这通常可以检测到这种类型的电容的增加,在较高频率
资本投资者入境计划。
2006年8月修订版1.3
5
BCD半导体制造有限公司
产品简介
低功耗四路运算放大器
AZ324
描述
该AZ324由四个独立的,高增益和
内部频率补偿运算放大器。
它是专为从单电源操作
供应量。从分离电源的操作也有可能
和低电源电流消耗是独立的
电源电压的幅度。
参数表
3至18个
输入电压范围( V)
输入失调电压(典型值/最大值)
(MA )
静态电流在整个温
温度范围内(毫安/典型值)
±
1.5
±
9
2.0/5.0
1.0
100
85
90
45
20
-40到85
特点
·
·
·
·
·
·
对内部单位增益频率补偿
大电压增益:百分贝(典型值)
低输入偏置电流: 20nA (典型值)
低输入失调电压:为2mV (典型值)
低电源电流: 0.7毫安(典型值)
宽电源电压范围:
单电源: 3V至18V
双电源: ± 1.5V到± 9V
输入共模电压范围包括
大输出电压摆幅: 0V至V
CC
-1.5V
适用于电池供电的电力消耗
大信号电压增益
(分贝) (典型值)
共模抑制比(分贝) (典型值)
PSRR (DB ) (典型值)
输出电流源(毫安) (典型值)
输出吸电流(毫安) (典型值)
工作温度范围(
o
C)
·
·
·
其他可用的材料
·
·
样本
数据表
应用
·
·
·
电池充电器
无绳电话
开关电源
引脚配置
SOIC-14/DIP-14
输出1
输入1
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
输出4
INPUT 4-
INPUT 4+
GND
INPUT 3+
INPUT 3-
输出3
好处
·
·
·
使用更方便
满足工业的大部分应用需求
标准324
极具竞争力的价格
输入1+
V
CC
输入2+
输入2-
输出2
2006年8月
BCD半导体制造有限公司
产品简介
低功耗四路运算放大器
AZ324
订购信息示例
温度
范围
产品型号
铅锡
AZ324M
SOIC-14
DIP-14
-40到85
o
C
AZ324MTR
AZ324P
无铅
AZ324M-E1
AZ324MTR-E1
AZ324P-E1
标记ID
包装类型
铅锡
AZ324M
AZ324M
AZ324P
无铅
AZ324M-E1
AZ324M-E1
AZ324P-E1
磁带&卷轴
详细信息,请参考相关的数据表。
销售处:
美国
3170德拉克鲁兹大道,套房# 105圣克拉拉,加利福尼亚州95054-2411 ,
U.S.A
电话: + 1-408-988 6388
传真: + 1-408-988 6386
台湾
4F , 298-1瑞光路妮,胡区,台北,
台湾
电话: 886-2-2656-2808
传真: 886-2-2656-2806
上海
8楼, B区, 900易砂嗯路,上海200233
中国
联系电话: 86-21-6495 9539
传真: 86-21-6485 9673
深圳
27B室C座2070号,深南大道,深圳
518031 ,中国
电话: 86-755-8368 3987
传真: 86-755-8368 3166
2006年8月
BCD半导体制造有限公司
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单价/备注
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:021-51875986/51872153
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地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
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