AO8801A
20V P沟道MOSFET
概述
该AO8801A采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作
与栅极电压可低至1.8V 。这个装置是适合于用作负载开关或PWM应用。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=-10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= -4.5V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= -2.5V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= -1.8V)
-20V
-4.5A
< 42mΩ
< 54mΩ
< 68mΩ
D1
D2
顶视图
D1
S1
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
S2
S2
G2
G1
G2
S1
S2
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
C
最大
-20
±8
-4.5
-3.6
-30
1.5
0.96
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
63
101
64
最大
83
130
83
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/5
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AO8801A
20V P沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±8V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250Α
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.5A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
C
T
J
=125°
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-4A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-3A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-4.5A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
-0.3
-30
35
49
43
54
20
-0.64
-1
-2
600
V
GS
=0V, V
DS
= -10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
80
48
6
7.4
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，我
D
=-4.5A
0.8
1.3
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，R
L
=2.2,
R
根
=3
I
F
= -4.5A ，的di / dt = 500A / μs的
20
40
751
115
80
13
9.3
1
2.2
13
9
19
29
26
51
32
62
905
150
115
20
11
1.2
3.1
42
59
54
68
-0.57
民
-20
-1
-5
±10
-0.9
典型值
最大
单位
V
A
A
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -4.5A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
2/5
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AO8801A
20V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
5
V
DS
=-10V
I
D
=-4.5A
电容（pF）
1400
1200
1000
C
国际空间站
800
600
400
C
OSS
200
0
0
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2
4
12
0
0
C
RSS
10
15
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
20
4
-V
GS
（伏）
3
2
1
100.0
30
10s
10.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
功率（W）的
20
-I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
10ms
100ms
1.0
10
0.1
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.01
1
10
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
0.1
10s
0
0.001
100
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
0.1
10
1000
0.0
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=130°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
P
D
T
on
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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20V P沟道MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
VGS
Qg
-10V
VDC
VDC
DUT
VGS
Ig
esistive瑞士法郎瘙痒试验C ircuit & W aveform s
RL
V DS
VGS
VGS
Rg
DUT
V DC
V GS
V DS
IODE covery特ST ircuit & W aveform s
V DS +
DUT
V GS
t
rr
VDS -
ISD
V GS
Ig
L
VDC
+
V DD
-
-Vds
5/5
+
收费
t
0：N
t
D（ 0：N ）
t
r
t
（O FF ）
t
FF
t
f
+
-
-
+
-
VDS
QGS
QGD
V DD
90%
10%
Q
rr
= -
IDT
-Isd
-I
F
的di / dt
-I
R M
V DD
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AO8801A
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±8V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250Α
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.5A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°
C
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-4A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-3A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-4.5A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
-0.3
-30
35
49
43
54
20
-0.64
-1
-2
600
V
GS
=0V, V
DS
= -10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
80
48
6
7.4
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，我
D
=-4.5A
0.8
1.3
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，R
L
=2.2,
R
根
=3
I
F
= -4.5A ，的di / dt = 500A / μs的
20
40
751
115
80
13
9.3
1
2.2
13
9
19
29
26
51
32
62
905
150
115
20
11
1.2
3.1
42
59
54
68
-0.57
民
-20
-1
-5
±10
-0.9
典型值
最大
单位
V
A
A
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -4.5A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
版本1 ： 2011年9月
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AO8801A
典型的电气和热特性
5
V
DS
=-10V
I
D
=-4.5A
电容（pF）
1400
1200
1000
C
国际空间站
800
600
400
C
OSS
200
0
0
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2
4
12
0
0
C
RSS
10
15
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
20
4
-V
GS
（伏）
3
2
1
100.0
30
10s
10.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
功率（W）的
20
-I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
10ms
100ms
1.0
10
0.1
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.01
1
10
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
0.1
10s
0
0.001
100
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
0.1
10
1000
0.0
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=130°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
P
D
T
on
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
版本1 ： 2011年9月
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第4 5
AO8801A
栅极电荷测试电路波形&
VGS
Qg
-10V
VDC
VDC
DUT
VGS
Ig
esistive瑞士法郎瘙痒试验C ircuit & W aveform s
RL
V DS
VGS
VGS
Rg
DUT
V DC
V GS
V DS
IODE covery特ST ircuit & W aveform s
V DS +
DUT
V GS
t
rr
VDS -
ISD
V GS
Ig
L
VDC
+
V DD
-
-Vds
版本1 ： 2011年9月
+
收费
t
0：N
t
D（ 0：N ）
t
r
t
（O FF ）
t
FF
t
f
+
-
-
+
-
VDS
QGS
QGD
V DD
90%
10%
Q
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-Isd
-I
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的di / dt
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