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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第27页 > AZ23C51-V
AZ23-V-Series
威世半导体
小信号齐纳二极管，双
特点
这些二极管也可在其他
表壳款式和配置，包括：
双二极管共阴极组态
e3
日粮类型指定DZ23 ，在赎罪
GLE二极管SOT23封装外壳的型号命名
BZX84C和单个二极管
SOD123例类型名称BZT52C 。
双硅平面齐纳二极管，通用
阳极
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准
参数都有效二极管在一个
情况。
ΔV
Z
和
Δr
zj
两个二极管中的一种情况是
≤
5%
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
2
18070
机械数据
案例：
SOT23塑料外壳
重量：
约。 8.8毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴GS18 / 10 K， （8毫米磁带） ， 10 K /盒
GS08 / 3元7"卷轴， （8毫米磁带）K ， 15 K /盒
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
功耗
1)
测试条件
符号
P
合计
价值
300
1)
单位
mW
设备上的玻璃基板，请参见第6页的布局
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
420
1)
150
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
设备上的玻璃基板，请参见第6页的布局
文档编号85759
修订版1.5 ， 24 -MAR -06
www.vishay.com
1
AZ23-V-Series
威世半导体
电气特性
部分号码
记号
CODE
齐纳电压范围
1)
V
Z
在我
ZT
动态电阻
r
zj
at
I
ZT
= 5毫安，
F = 1千赫
Ω
最大
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
75 （ < 83 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
70 （ < 78 ）
30 （ < 60 ）
10 （ < 40 ）
4.8 （ < 10 ）
4.5 （ < 8 ）
4 （ < 7 ）
4.5 （ < 7 ）
4.8 （ < 10 ）
5.2 （ < 15 ）
6 （ < 20 ）
7 （ < 20 ）
9 （ < 25 ）
11 （ < 30 ）
13 （ < 40 ）
18 （ < 50 ）
20 （ < 50 ）
25 （ < 55 ）
28 （ < 80 ）
30 （ < 80 ）
35 （ < 80 ）
40 （ < 80 ）
40 （ < 90 ）
50 （ < 90 ）
60 （ < 100 ）
70 （ < 100 ）
70 （ < 100 ）
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
< 480
＆ LT ; 400
＆ LT ; 200
＆ LT ; 150
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
< 70
< 70
＆ LT ; 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 300
＆ LT ; 700
＆ LT ; 750
＆ LT ; 750
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
r
zj
at
I
ZT
= 1毫安，
F = 1千赫
TEST
当前
I
ZT
温度COEF网络cient
齐纳电压
α
VZ
在我
ZT
反向
电压
V
R
at
I
R
= 100 nA的
V
最大
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
-
-
-
-
-
-
-
> 0.8
>1
>2
>3
>5
>6
>7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
>9
＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
> 15
＆ GT ; 17
> 18
＆ GT ; 20
> 22.5
＆ GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
V
民
AZ23C2V7-V
AZ23C3V0-V
AZ23C3V3-V
AZ23C3V6-V
AZ23C3V9-v
AZ23C4V3-V
AZ23C4V7-V
AZ23C5V1-V
AZ23C5V6-V
AZ23C6V2-V
AZ23C6V8-V
AZ23C7V5-V
AZ23C8V2-V
AZ23C9V1-V
AZ23C10-V
AZ23C11-V
AZ23C12-V
AZ23C13-V
AZ23C15-V
AZ23C16-V
AZ23C18-V
AZ23C20-V
AZ23C22-V
AZ23C24-V
AZ23C27-V
AZ23C30-V
AZ23C33-V
AZ23C36-V
AZ23C39-V
AZ23C43-V
AZ23C47-V
AZ23C51-V
1)
mA
民
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
-3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
10
-4
/°C
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
D10
D11
D12
D13
D14
D15
D16
D17
D18
D19
D20
D21
D22
D23
D24
D25
D26
D27
D28
D29
D30
D31
D32
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
测试了脉冲TP = 5毫秒
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修订版1.5 ， 24 -MAR -06
AZ23-V-Series
威世半导体
电气特性
部分号码
记号
CODE
齐纳电压范围
1)
V
Z
在我
ZT
动态电阻
r
zj
at
I
ZT
= 5毫安，
F = 1千赫
Ω
最大
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
43.9
47.9
52
75 （ < 83 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
70 （ < 78 ）
30 （ < 60 ）
10 （ < 40 ）
4.8 （ < 10 ）
4.5 （ < 8 ）
4 （ < 7 ）
4.5 （ < 7 ）
4.8 （ < 10 ）
5.2 （ < 15 ）
6 （ < 20 ）
7 （ < 20 ）
9 （ < 25 ）
11 （ < 30 ）
13 （ < 40 ）
18 （ < 50 ）
20 （ < 50 ）
25 （ < 55 ）
28 （ < 80 ）
30 （ < 80 ）
35 （ < 80 ）
40 （ < 80 ）
40 （ < 90 ）
50 （ < 90 ）
60 （ < 100 ）
70 （ < 100 ）
70 （ < 100 ）
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
< 480
＆ LT ; 400
＆ LT ; 200
＆ LT ; 150
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
< 70
< 70
＆ LT ; 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 300
＆ LT ; 700
＆ LT ; 750
＆ LT ; 750
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
r
zj
at
I
ZT
= 1毫安，
F = 1千赫
TEST
当前
I
ZT
温度COEF网络cient
齐纳电压
α
VZ
在我
ZT
反向
电压
V
R
at
I
R
= 100 nA的
V
最大
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
0.5
0.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
-
-
-
-
-
-
-
> 0.8
>1
>2
>3
>5
>6
>7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
>9
＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
> 15
＆ GT ; 17
> 18
＆ GT ; 20
> 22.5
＆ GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
V
民
AZ23B2V7-V
AZ23B3V0-V
AZ23B3V3-V
AZ23B3V6-V
AZ23B3V9-V
AZ23B4V3-V
AZ23B4V7-V
AZ23B5V1-V
AZ23B5V6-V
AZ23B6V2-V
AZ23B6V8-V
AZ23B7V5-V
AZ23B8V2-V
AZ23B9V1-V
AZ23B10-V
AZ23B11-V
AZ23B12-V
AZ23B13-V
AZ23B15-V
AZ23B16-V
AZ23B18-V
AZ23B20-V
AZ23B22-V
AZ23B24-V
AZ23B27-V
AZ23B30-V
AZ23B33-V
AZ23B36-V
AZ23B39-V
AZ23B43-V
AZ23B47-V
AZ23B51-V
1)
mA
民
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
-3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
10
-4
/°C
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
D10
D11
D12
D13
D14
D15
D16
D17
D18
D19
D20
D21
D22
D23
D24
D25
D26
D27
D28
D29
D30
D31
D32
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
26.5
29.4
32.3
35.3
38.2
42.1
46.1
50
测试了脉冲TP = 5毫秒
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AZ23-V-Series
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
mA
10
3
10
2
Ω
10
3
5
4
3
2
r
ZTH
= R
THA
x
V
Z
x
Δ
V
Z
Δ
T
j
I
F
10
1
10
-1
10
-2
T
J
= 100 °C
r
ZTH
10
2
5
4
3
2
T
J
= 25 °C
10
10
-3
10
-4
10
-5
0
18114
5
4
3
2
负
积极
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1V
1
18121
2
3
4 5
10
2
3 4 5
100
V
V
F
图1.正向特性
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图4.热微分电阻与齐纳电压
mW
500
Ω
100
7
5
4
400
P
合计
300
r
zj
3
2
10
200
7
5
4
3
100
2
0
0
18115
1
100
200 °C
1
18122
2
3
4 5
T
j
= 25 °C
I
Z
= 5毫安
10
2
3 4 5
100
V
T
AMB
V
Z
图2.容许功耗与环境温度
图5.动态电阻与齐纳电压
Ω
10
3
7
5
4
T
j
= 25 °C
毫伏/°C的
25
20
I
Z
=
r
zj
3
2
47 + 51
43
39
36
Δ
V
Z
Δ
T
j
15
10
5
0
-5
5毫安
1毫安
20毫安
10
2
7
5
4
3
2
10
0.1
18120
2
3
4 5
1
2
3 4 5
10毫安
1
18123
2
3
4 5
10
2
3 4 5
100
V
I
Z
V
Z
图3.动态电阻与齐纳电流
齐纳电压与稳压的图6.温度依赖性
电压
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AZ23-V-Series
威世半导体
V
0.8
0.7
0.6
V
Z
在我
Z
= 5毫安
25
15
10
V
1.6
1.4
1.2
Δ
V
Z
= r
ZTH
X我
Z
Δ
V
Z
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-1
- 0.2
0
18124
3.6
4.7
8
7
6.2
5.9
5.6
5.1
Δ
V
Z
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 0.2
- 0.4
20
40
60
80
100 120 140 C
18127
1
2
3
4 5
10
2
3 4 5
100
V
T
j
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图10.变化的齐纳电压的从导通到的点
热平衡与齐纳电压
V
5
图7.更改齐纳电压与结温
毫伏/°C的
100
I
Z
= 5毫安
Δ
V
Z
= r
ZTH
X我
Z
Δ
V
Z
Δ
T
j
80
4
Δ
V
Z
60
3
I
Z
= 5毫安
40
2
20
1
I
Z
= 2毫安
0
0
18125
0
20
40
60
80
100
V
0
18128
20
40
60
80
100
V
V
Z
V
Z
齐纳电压 - 齐纳图8.温度依赖性
电压
V
9
8
7
图11.变化的齐纳电压的从导通到的点
热平衡与齐纳电压
mA
50
T
j
= 25 °C
2.7
3.3
3.9
4.7
5.6
6.8
8.2
40
51
43
36
Δ
V
Z
6
5
4
3
2
1
0
-1
0
18126
l
z
30
20
测试电流I
Z
5毫安
10
I
Z
= 2毫安
0
0
18111
20
40
60
80
100 120
140 °C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
T
j
V
Z
图9.更改齐纳电压与结温
图12.击穿特性
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AH289-PL-B
AP9916J
AC151R
APW7046
AS29F200T-90SI
AM2907DE
AAT3512IGV-4.70-B-A-T1
AMS317A-33
AD5173BRM50-RL7
AAT3221IGV-3.1-T1
APA2031
AM29F400T-120FE
AM25LS2519FCB
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    HECC GROUP CO，LIMITED
    QQ： 点击这里给我发消息
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