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AP139
300mA低压噪声CMOS LDO
特点
- 非常低的压差电压
- 低电流消耗: Typ.45μA ,最大60μA
- 输出电压: 1.5V , 1.8V , 2.0V , 2.5V , 2.8V , 3.0V
3.3V , 3.5V和
- 保证300毫安输出
- 输入范围可达7.0V
- 热关断
- 限流
- 低ESR电容的稳定性
- 低温度系数
-
无铅
封装: SOT23-5L , TSOT23-5L
一般说明
该AP139是正电压的线性调节器
利用CMOS技术。该功能
包括低静态电流( 45μA典型值) ,低
低压差,高输出电压精度,
使其非常适用于电池供电的应用。 EN输入
连接到CMOS具有低偏置电流。该
节省空间的SOT23-5L和TSOT23-5L包
是“口袋”和“手持”诱人
应用程序。
这个坚固耐用的设备既具有热关断及
电流限制保护,以防止设备故障
在“最差”的操作条件。
在一个低噪声,稳压电源应用中,一个10nF的
电容器必须被放置在间
旁路和接地。
该AP139是稳定的,低ESR输出
电容1.0μF或更大。
应用
- 电池供电设备
- 个人通信设备
- 家用电器/电子产品
- 电脑外设
引脚分配
( TOP VIEW )
引脚说明
4
V
OUT
5
BYP
AP139
名字
V
IN
GND
EN
BYP
V
OUT
1
2
3
4
5
功能
电源
使能引脚
旁路信号引脚
产量
1
2
3
V
IN
GND EN
SOT23-5/TSOT23-5
订购信息
AP139
输出电压
15: 1.5V
18: 1.8V
20: 2.0V
25: 2.5V
28: 2.8V
30: 3.0V
33: 3.3V
35: 3.5V
XX X X
W: SOT23-5L
TW : TSOT23-5L
填料
空白:管
答:大坪
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格,恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
Rev.1.1 2006年6月2日
1/8
AP139
300mA低压噪声CMOS LDO
框图
V
IN
V
OUT
当前
极限
1uA
关闭
R1
EN
BYP
-
AMP
+
VREF
R2
GND
绝对最大额定值
符号
V
IN
I
OUT
V
OUT
T
A
T
J
参数
输入电压
输出电流
输出电压
ESD分类
环境温度范围
结温范围
等级
+7
P
D
/ (V
IN
-V
O
)
GND - 0.3 V
IN
+ 0.3
B
-40至+85
-40到+125
单位
V
mA
V
C
C
热信息
符号
θJC
P
D
T
J
T
领导
参数
热阻
内部功耗( ΔT = 100 ℃)
最高结温
最大焊接温度(10秒)
SOT23-5L
SOT23-5L
最大
160
250
150
300
单位
摄氏度/ W
mW
C
C
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
2/8
Rev.1.1 2006年6月2日
AP139
300mA低压噪声CMOS LDO
电气特性
(T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。 )
符号
参数
V
IN
输入电压
I
Q
静态电流
I
机顶盒
待机电流
V
OUT
V
OUT
温度
系数
测试条件
I
O
=0mA
V
IN
=5.0V, V
OUT
=0V, V
EN
& LT ; V
EL
分钟。
注1
-
-
-2
-
典型值。
-
45
2.0
-
50
-
-
-
-
-
-
450
150
0.1
0.3
60
50
40
75
55
30
-
-
-
130
20
马克斯。
7
60
3.0
2
-
1.5
1.2
1
0.6
0.45
-
-
300
0.3
1
-
-
-
-
-
-
-
0.8
<0.1
-
-
单位
V
A
A
%
PPM /
o
C
输出电压精度我
O
= 1mA时, V
IN
=5V
V
输入输出电压差
I
O
= 1mA至300毫安,
V
OUT
=V
O( NOM )
-1.5%
V
O
=1.5V
V
O
=1.8V
V
O
=2V
V
O
=2.5V
V
O
≥2.8V
I
OUT
I
极限
输出电流
电流限制
V
OUT
> 1.05V
Vcc=5V,Vout<1.05V
I
OUT
= 5毫安,V
IN
=5~7V
I
O
= 1毫安300mA的电流,V
IN
=5V
f=1KHz
I
O
=100mA,
电源抑制
f=10KHz
C
O
= 2.2μF陶瓷
f=100KHz
f=1KHz
I
O
=100mA,
电源抑制
O
= 2.2μF陶瓷,
f=10KHz
C
BYP
=20nF
f=100KHz
输出ON
EN输入阈值
输出关闭
启用引脚电流
过温
关闭
过温
迟滞
-
-
-
-
-
300
300
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.7
-
-
-
-
V
mA
mA
mA
%
%
dB
dB
V
V
A
o
o
I
短路电流
△V
LINE
线路调整
△V
负载
负载调整率
PSRR
PSRR
V
EH
V
EL
I
EN
OTS
OTH
C
C
注1 : V
IN(分钟)
=V
OUT
+V
典型用途
IN
V
IN
AP139
BYP
C1
1uF
C2
10nF
GND
EN
C3
1uF
V
OUT
OUT
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Rev.1.1 2006年6月2日
AP139
300mA低压噪声CMOS LDO
典型性能特性
100
90
VCC VS静态电流
1.6
1.4
VOUT VS电压差
静态电流( μA )
80
60
50
40
30
20
10
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
TA=25℃
漏失电压( V)
70
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
Io=300mA
Io=200mA
Io=100mA
1.5
1.8
2
2.5
Vout的(V)的
2.8
3
3.3
3.5
6.5
7
0
工作电压(V )
0
-10
-20
-30
电源抑制比
Iout=100mA
0
-10
-20
-30
BP=10nF
电源抑制比
100mA
PSRR (分贝)
PSRR (分贝)
-40
-50
BP=1nF
-60
-70
-80
-90
1.0E+00
BP=20nF
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
1.0E+04
1.0E+05 1.0E+06
BP=5nF
-40
10mA
-50
-60
1mA
-70
BP=10nF
-80
-90
1.0E+00
1.0E+05 1.0E+06
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
1.0E+04
频率(Hz)
频率(Hz)
电源抑制比
0
BP=0
-10
-20
-30
100mA
VOUT VS限流
0.7
0.6
0.5
电流限制( A)
PSRR (分贝)
-40
-50
-60
10mA
0.4
0.3
0.2
0.1
Vcc=5V
0
1mA
-70
-80
-90
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
1.0E+04
1.0E+05
1.0E+06
1.5
1.8
2
2.5
2.8
3
3.3
3.5
频率(Hz)
Vout的(V)的
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4/8
Rev.1.1 2006年6月2日
AP139
300mA低压噪声CMOS LDO
典型性能特性(续)
VCC VS短路电流
400
350
300
短路电流(毫安)
250
200
150
100
50
0
3.5
从上到下
Vout=1.5V
Vout=1.8V
Vout=2.5V
Vout=3.3V
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
工作电压(V )
功能说明
CMOS稳压器的AP139包含一个PMOS
旁路晶体管,基准电压源,误差放大器,
过流保护,热关断。
P沟道通路晶体管从接收数据
误差放大器,过电流保护,并且
过热保护电路。在正常操作期间,
误差放大器的输出电压进行比较,以一
精密基准。过电流和热
关断电路被激活时,结
温度超过130
o
C或电流超过
300毫安。在热关断,输出
电压仍然很低。恢复正常工作
当结温下降到低于110
o
C.
从电压模式的AP139切换到电流
当负载超过额定输出模式
电流。这可以防止过度紧张。
启用
使能引脚通常浮动高。当积极,
拉到低时,PMOS通路晶体管关断,并且
所有内部电路都断电。在这种状态下,
静态电流小于2μA 。该引脚
很像一个电子开关。
外部电容
该AP139是稳定的,低ESR输出
电容器1.0μF或更大的地面。它可以保持
稳定,即使有较高的ESR电容。第二个
电容建议的输入和间
地面稳定VIN 。输入电容应
是大于0.1μF具有有益的效果。所有
电容应放置在靠近
该引脚。 “安静”地终止是可取的。
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

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    -
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    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

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联系人:周
地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
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联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
AP139-28WA
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联系人:何小姐
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12556
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