亚利桑那州晶公司
AZ100LVEL16VR
ECL / PECL振荡器增益级缓冲器& ，可选择启用
特点
绿色和符合RoHS /
铅（Pb ），免费使用套餐
增强的启用操作
高带宽的
≥1GHz
类似的操作为AZ100EL16VO
最少的外部元件
可选启用极性和
阈值（ CMOS / TTL或PECL ）
可在一个MLP 16或MLP 8
包
S参数（ .s2p ）与IBIS模型
文件可在美国亚利桑那州晶
网站
包
MLP 16 （ 3×3 ）
MLP 16 （ 3×3 ）符合RoHS
符合/铅
（以Pb计）免费
MLP 8 （ 2×2 ）绿色/
符合RoHS /
铅（Pb ）免费
DIE
1
2
3
包装可用性
产品型号
AZ100LVEL16VRL
AZ100LVEL16VRL+
AZ100LVEL16VRNEG
AZ100LVEL16VRX
记号
AZM
16R
<date code>
AZM +
16R
<date code>
R5G
<date code>
不适用
笔记
1,2
1,2
1,2
3
添加R1在零件编号最后为7英寸（ 1K件） ， R2为13英寸（ 2.5K部分）
磁带&卷轴。
日期代码格式为：“ Y”的一年，其次是“ WW ”的一周。
华夫格包
描述
该AZ100LVEL16VR是具有高增益输出缓冲器包括一个使能一个专门振荡器增益级
功能。在Q
HG
/Q
HG
输出有电压增益比Q / Q输出大几倍。
MLP 16 ， 3×3毫米封装（ VRL ）或死亡（ VRX ）
该AZ100LVEL16VR提供可选择的Q
HG
/Q
HG
启用允许通过连续振荡运行
在Q / Q输出。下页的启用真值表所示的操作模式。离开EN - SEL开（ NC）
选择PECL / ECL操作为EN垫/引脚。在这种模式下在Q
HG
/Q
HG
输出使能时， EN留下
开（ NC）或设置为PECL / ECL低。
连接EN - SEL到V
CC
, V
EE
或V
BB
选择CMOS操作的EN垫/引脚。当EN - SEL被绑定到
V
EE
时，Q
HG
/Q
HG
输出被禁止，当EN处于打开状态（ NC） 。当EN - SEL被连接到V
CC
或V
BB
时，Q
HG
/Q
1
HG
当EN为开路输出被使能。这种默认的逻辑条件可以通过重写
≤20kΩ
电阻器
连接到相对供给。
该AZ100LVEL16VR还提供了一个V
BB
和470Ω内部偏置电阻从D到V
BB
和D V
BB
。该
V
BB
引脚支持1.5毫安汇/源出电流。 V
BB
应当旁路到地或V
CC
用0.01
μF
电容。
输出Q /每个Q有一个可选的上拉下拉电流源。查看该电流源真值表
下页为支持的值。外部电阻器也可以被用于增加下拉电流的最大值
总25mA电流的Q / Q输出。
每个Q的
HG
/Q
HG
输出为10 mA时，可选片上下拉电流源。当垫/引脚V
EEP
is
悬空（ NC） ，输出电流源都被禁止和Q
HG
/Q
HG
操作标准PECL / ECL 。当V
EEP
连接到V
EE
中，电流源被激活。在Q
HG
/Q
HG
下拉电流可以减少通过使用
V之间的电阻
EEP
和V
EE
.
这种操作模式（ EN - SEL到V
CC
或V
BB
）不支持之前的0428日期代码（ 2004年7月） 。 EN - SEL到V
EE
支持所有的
日期码。
1
1630 S. STAPLEY DR 。 ， SUITE 127
亚利桑那州Mesa 85204
美国
(480) 962-5881
传真（ 480 ） 890-2541
www.azmicrotek.com
AZ100LVEL16VR
MLP 8 ， 2×2毫米的封装（ VRNE ）
一种CMOS使能输入（ EN）可连续振荡运行。当EN输入为高电平或悬空
（ NC ） ，在Q和Q
HG
/Q
HG
输出跟随输入的数据。当EN为低电平时， Q
HG
输出被强制为高和Q
HG
输出被拉低，而Q继续跟随输入的数据。 Q输出有一个内置的4 mA电流源
到V
EE
在大多数情况下无需使用外部的下拉电阻。
的数据输入端D被连接到在V
BB
引脚通过一个470
Ω
内部偏置电阻，而反相输入端D为
直接连接到V
BB
。绕过V
BB
接地用0.01
μF
电容。
注：电致化学发光/ PECL表中的规格是有效的，当达到热平衡已经建立。
引脚说明
4mA
Q
D
470
针
Q
HG
Q
HG
V
BB
EN
V
EE
D
Q
Q
HG
/Q
HG
V
BB
EN
V
EE
V
CC
功能
数据输入
数据输出
数据输出瓦特/高增益
参考电压输出
使能输入
负电源
正电源
AZ100LVEL16VRNE
D
（ CMOS输入
级别）
D
1
2
3
4
假垫
打开或
连接
V
EE
AZ100LVEL16VRNE
MLP 8 ， 2×2毫米
EN
Q
Q
HG
Q
HG
8
7
6
5
Q
V
CC
Q
HG
Q
HG
V
BB
EN
V
EE
时序图
顶视图
2007年4月* REV - 15
www.azmicrotek.com
4
AZ100LVEL16VR
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的寿命可能会受到影响。
符号
V
CC
V
D/D
V
EN
V
EE
V
D/D
V
EN
I
OUT
I
HGOUT
T
A
T
英镑
特征
PECL电源
(V
EE
= 0V)
PECL D / D输入电压
(V
EE
= 0V)
PECL EN输入电压
(V
EE
= 0V)
ECL电源
(V
CC
= 0V)
ECL D / D输入电压
(V
CC
= 0V)
ECL EN输入电压
(V
CC
= 0V)
输出电流，Q / Q
- 连续
- 浪涌
输出电流，Q
HG
/Q
HG
- 连续
- 浪涌
工作温度范围
存储温度范围
等级
0至+6.0
±0.75
相到V
BB
0至+6.0
-6.0到0
±0.75
相到V
BB
-6.0到0
25
50
50
100
-40至+85
-65到+150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
mA
°C
°C
100K ECL直流特性
(V
EE
= -3.0V至-5.5V ，V
CC
= GND）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
I
IH
I
IL
I
EE
1.
2.
3.
特征
-40°C
民
-1045
-1925
最大
-835
-1555
民
-1025
-1900
0°C
最大
-835
-1620
民
-1025
-1900
25°C
最大
-835
-1620
-740
V
CC
-1475
V
EE
+ 800
-1250
150
民
-1025
-1900
-1165
V
EE
+2000
-1900
V
EE
-1390
85°C
最大
-835
-1620
-740
V
CC
-1475
V
EE
+ 800
-1250
150
单位
mV
mV
mV
mV
mV
μA
μA
54
mA
输出高电压
1
输出低电压
1
输入高电压
-1165
-740
-740
-1165
D / D， EN （ ECL ）
2
-1165
V
CC
V
CC
V
EE
+2000
EN（ CMOS）的
3
V
EE
+2000
V
EE
+2000
输入低电压
-1900
-1475
-1900
-1475
-1900
D / D， EN （ ECL ）
2
V
EE
V
EE
+ 800
V
EE
V
EE
+ 800
V
EE
EN（ CMOS）的
3
参考电压
-1390
-1250
-1390
-1250
-1390
输入大电流EN
150
150
输入低电平电流
0.5
0.5
0.5
EN（ ECL）的
2
-150
-150
-150
EN（ CMOS）的
3
电源电流
1
48
48
与V指定
EEP
和CS- SEL的NC中，Q
HG
/Q
HG
通过50Ω电阻到V终止
CC
- 2V.
EN - SEL = NC 。
EN - SEL = V
CC
或V
EE
.
0.5
-150
48
100K LVPECL直流特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= +3.3V)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
I
IH
I
IL
I
EE
1.
2.
3.
4.
特征
-40°C
民
2255
1375
最大
2465
1745
民
2275
1400
0°C
最大
2465
1680
民
2275
1400
2135
2000
1400
GND
1910
25°C
最大
2465
1680
2560
V
CC
1825
800
2050
150
民
2275
1400
2135
2000
1400
GND
1910
85°C
最大
2465
1680
2560
V
CC
1825
800
2050
150
单位
mV
mV
mV
mV
mV
μA
μA
54
mA
输出高电压
1,2
输出低电压
1,2
输入高电压
1
2135
2560
2135
2560
D / D， EN （ PECL ）
3
EN（ CMOS）的
4
2000
V
CC
2000
V
CC
1
输入低电压
D / D， EN （ PECL ）
3
1400
1825
1400
1825
EN（ CMOS）的
4
GND
800
GND
800
参考电压
1
1910
2050
1910
2050
输入大电流EN
150
150
输入低电平电流
0.5
0.5
EN （ PECL ）
3
-150
-150
EN（ CMOS）的
4
电源电流
2
48
48
对于其他的3.3V电源电压，使用ECL表值和ADD的电源电压值。
与V指定
EEP
和CS- SEL的NC中，Q
HG
/Q
HG
通过50Ω电阻到V终止
CC
- 2V.
EN - SEL = NC 。
EN - SEL = V
CC
或V
EE
.
0.5
-150
48
0.5
-150
2007年4月* REV - 15
www.azmicrotek.com
5
亚利桑那州晶公司
AZ100LVEL16VR
ECL / PECL振荡器增益级缓冲器& ，可选择启用
特点
高带宽的
≥1GHz
类似的操作为AZ100EL16VO
3.0V工作范围为5.5V
最少的外部元件
可选启用极性和阈值
（ CMOS / TTL或PECL ）
可在一个3x3mm的封装MLP
包装可用性
包
MLP 16
MLP 16 T&R
MLP 16 T&R
DIE
产品型号
AZ100LVEL16VRL
AZ100LVEL16VRLR1
AZ100LVEL16VRLR2
AZ100LVEL16VRX
记号
AZM16R
AZM16R
AZM16R
不适用
描述
该AZ100LVEL16VR是具有高增益输出缓冲器包括一个使能一个专门振荡器增益级。
在Q
HG
/Q
HG
输出有电压增益比Q / Q输出大几倍。
该AZ100LVEL16VR提供了一个可选择的启用，使连续振荡运行。见真值表
下面使能功能。如果使能上拉需要在CMOS模式下，外部
≤20k
电阻器连接
EN到V
CC
将覆盖片上下拉电阻。该AZ100LVEL16VR还提供了一个V
BB
和470Ω
内部偏置电阻从D到V
BB
和D V
BB
。在V
BB
脚可以支持1.5毫安汇/源出电流。绕过
V
BB
接地用0.01
F
电容。
输出Q /每个Q有一个可选的上拉下拉电流源。请参阅以下真值表电流源
功能。外部电阻器也可以被用于增加下拉电流的最大值总为25mA 。
输出Q
HG
/Q
HG
每个人都有为10mA可选片上下拉电流源。当垫/引脚V
EEP
留
开（ NC ） ，输出电流源都被禁止和Q
HG
/Q
HG
操作标准PECL / ECL 。当V
EEP
is
连接到V
EE
中，电流源被激活。在Q
HG
/Q
HG
下拉电流可以减少，通过使用一个
电阻从V连接
EEP
到V
EE
.
注：产品规格的ECL / PECL表中是有效的，当热平衡建立。
1630 S. STAPLEY DR 。 ， SUITE 125
亚利桑那州Mesa 85204
美国
(480) 962-5881
传真（ 480 ） 890-2541
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AZ100LVEL16VR
启用真值表
EN -SEL
EN
Q/Q Q
HG
NC
PECL低，V
EE
或NC
数据数据
NC
PECL高或V
cc
数据低
V
EE
*
数据低
CMOS低或V
EE
V
EE
*
CMOS高或V
cc
数据数据
数据低
V
EE
NC ，没有外部上拉
数据数据
V
EE
NC ，与
≤20k
到V
CC
*连接到V
CC
或V
EE
必须小于1Ω 。
引脚说明
针
D/D
Q/Q
Q
HG
/Q
HG
V
BB
EN -SEL
EN
CS- SEL
V
EEP
V
EE
V
CC
功能
数据输入
数据输出
数据输出瓦特/高增益
参考电压输出
选择启用逻辑
使能输入
选择Q和Q电流源震级
可选Q
HG
和Q
HG
电流源
负电源
正电源
Q
HG
数据
高
高
数据
高
数据
Q
Q
D
D
470
4毫安EA 。
CS- SEL
Q
HG
Q
HG
10毫安EA 。
V
BB
EN
CMOS / TTL
门槛
V
EEP
V
EE
EN -SEL
电流源真值表
CS- SEL
NC
V
EE
*
V
CC
*
Q
4毫安典型。
8毫安典型。
0
Q
4毫安典型。
8毫安典型。
4毫安典型。
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的寿命可能会受到影响。
符号
V
CC
V
I
V
EE
V
I
I
OUT
T
A
T
英镑
特征
PECL电源（V
EE
= 0V)
PECL输入电压
(V
EE
= 0V)
ECL电源
(V
CC
= 0V)
ECL输入电压
(V
CC
= 0V)
输出电流
---连续
---浪涌
工作温度范围
存储温度范围
等级
0至8.0
0至+6.0
-8.0到0
-6.0到0
50
100
-40至+85
-65到+150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
°C
°C
100K ECL直流特性
(V
EE
= -3.0V至-5.5V ，V
CC
= GND）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
I
IL
I
IH
I
EE
1.
2.
3.
特征
-40°C
民
-1045
-1925
最大
-835
-1555
民
-995
-1900
-1165
V
EE
+2000
-1810
V
EE
-1390
0.5
0°C
最大
-835
-1620
-880
V
CC
-1475
V
EE
+ 800
-1250
150
48
民
-995
-1900
-1165
V
EE
+2000
-1810
V
EE
-1390
0.5
25°C
最大
-835
-1620
-880
V
CC
-1475
V
EE
+ 800
-1250
150
48
民
-995
-1900
-1165
V
EE
+2000
-1810
V
EE
-1390
0.5
85°C
最大
-835
-1620
-880
V
CC
-1475
V
EE
+ 800
-1250
150
54
单位
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
mA
输出高电压
2
输出低电压
2
输入高电压
-880
D / D， EN （ PECL ）
-1165
V
CC
EN （ CMOS / TTL ）V
EE
+2000
输入低电压
-1475
D / D， EN （ PECL ）
-1810
V
EE
+ 800
EN （ CMOS / TTL ）
V
EE
参考电压
-1390
-1250
输入低电平电流EN
3
0.5
输入大电流EN
3
150
1
电源电流
48
与V指定
EEP
和CS- SEL开放。
与V指定
EEP
和CS- SEL连接到V
EE
.
指定使用EN- SEL开放。
2002年7月* REV - 1
www.azmicrotek.com
2
AZ100LVEL16VR
100K LVPECL直流特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= +3.3V)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
I
IL
I
IH
I
EE
1.
2.
3.
4.
特征
-40°C
民
2255
1375
最大
2465
1745
民
2305
1400
0°C
最大
2465
1655
民
2305
1480
2135
2000
1490
GND
1910
0.5
25°C
最大
2465
1680
2420
V
CC
1825
800
2050
150
48
民
2305
1400
2135
2000
1490
GND
1910
0.5
85°C
最大
2465
1680
2420
V
CC
1825
800
2050
150
54
单位
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
mA
输出高电压
1,3
输出低电压
1,3
输入高电压
2135
2420
2135
2420
D / D， EN （ PECL ）
1
EN （ CMOS / TTL ）
2000
V
CC
2000
V
CC
输入低电压
1490
1825
1490
1825
D / D， EN （ PECL ）
1
EN （ CMOS / TTL ）
GND
800
GND
800
参考电压
1
1910
2050
1910
2050
输入低电平电流EN
4
0.5
0.5
输入大电流EN
4
150
150
2
电源电流
48
48
对于其他的3.3V电源电压，使用ECL表值和ADD的电源电压值。
与V指定
EEP
和CS- SEL开放。
与V指定
EEP
和CS- SEL连接到V
EE
.
指定使用EN- SEL开放。
100K PECL DC特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= +5.0V)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
I
IL
I
IH
I
EE
1.
2.
3.
4.
特征
-40°C
民
3955
3075
最大
4165
3445
民
4005
3100
0°C
最大
4165
3338
民
4005
3100
3835
2000
3190
GND
3610
0.5
25°C
最大
4165
3338
4120
V
CC
3525
800
3750
150
48
民
4005
3100
3835
2000
3190
GND
3610
0.5
85°C
最大
4165
3338
4120
V
CC
3525
800
3750
150
54
单位
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
mA
输出高电压
1,3
输出低电压
1,3
输入高电压
3835
4120
3835
4120
D / D， EN （ PECL ）
1
EN （ CMOS / TTL ）
2000
V
CC
2000
V
CC
输入低电压
3190
3525
3190
3525
D / D， EN （ PECL ）
1
EN （ CMOS / TTL ）
GND
800
GND
800
1
参考电压
3610
3750
3610
3750
输入低电平电流EN
4
0.5
0.5
输入大电流EN
4
150
150
电源电流
2
48
48
对于其他的5.0V电源电压，使用ECL表值和ADD的电源电压值。
与V指定
EEP
和CS- SEL开放。
与V指定
EEP
和CS- SEL连接到V
EE
.
指定使用EN- SEL开放。
AC特性
(V
EE
= -3.0V至-5.5V ; V
CC
= GND或V
EE
= GND ; V
CC
= + 3.0V至+ 5.5V ）
符号
t
PLH
/ t
PHL
特征
民
-40°C
典型值
最大
民
0°C
典型值
最大
民
25°C
典型值
最大
民
85°C
典型值
最大
单位
ps
ps
mV
ps
传播延迟
400
400
400
430
（ SE ）
D到Q / Q输出
1
550
550
550
630
D到Q
HG
/Q
HG
输出
1
（ SE ）
t
SKEW
占空比偏移
2
（ SE ）
5
20
5
20
5
20
5
20
3
V
PP
（ AC）最小输入摆幅
80
80
80
80
输出上升/下降时间
1
t
r
/ t
f
100
260
100
260
100
260
100
260
(20% - 80%)
1.
指定输出与V
EEP
和CS- SEL连接到V
EE
与AC耦合50Ω负载。
2.
占空比歪斜是叔之间的区别
PLH
和T
PHL
通过一个装置的传播延迟。
3.
V
PP
是最小的峰 - 峰值差分输入摆幅其中AC参数保证。该装置具有一个电压增益
≈
20 Q / Q
输出和电压增益
≈
100 Q
HG
/Q
HG
输出。
2002年7月* REV - 1
www.azmicrotek.com
3
亚利桑那州晶公司
AZ100LVEL16VR
ECL / PECL振荡器增益级缓冲器& ，可选择启用
特点
高带宽的
≥1GHz
类似的操作为AZ100EL16VO
3.0V工作范围为5.5V
最少的外部元件
可选启用极性和阈值
（ CMOS / TTL或PECL ）
可在一个3x3mm的封装MLP
包装可用性
包
MLP 16
MLP 16 T&R
MLP 16 T&R
DIE
产品型号
AZ100LVEL16VRL
AZ100LVEL16VRLR1
AZ100LVEL16VRLR2
AZ100LVEL16VRX
记号
AZM16R
AZM16R
AZM16R
不适用
描述
该AZ100LVEL16VR是具有高增益输出缓冲器包括一个使能一个专门振荡器增益级。
在Q
HG
/Q
HG
输出有电压增益比Q / Q输出大几倍。
该AZ100LVEL16VR提供了一个可选择的启用，使连续振荡运行。见真值表
下面使能功能。如果使能上拉需要在CMOS模式下，外部
≤20k
电阻器连接
EN到V
CC
将覆盖片上下拉电阻。该AZ100LVEL16VR还提供了一个V
BB
和470Ω
内部偏置电阻从D到V
BB
和D V
BB
。在V
BB
脚可以支持1.5毫安汇/源出电流。绕过
V
BB
接地用0.01
F
电容。
输出Q /每个Q有一个可选的上拉下拉电流源。请参阅以下真值表电流源
功能。外部电阻器也可以被用于增加下拉电流的最大值总为25mA 。
输出Q
HG
/Q
HG
每个人都有为10mA可选片上下拉电流源。当垫/引脚V
EEP
留
开（ NC ） ，输出电流源都被禁止和Q
HG
/Q
HG
操作标准PECL / ECL 。当V
EEP
is
连接到V
EE
中，电流源被激活。在Q
HG
/Q
HG
下拉电流可以减少，通过使用一个
电阻从V连接
EEP
到V
EE
.
注：产品规格的ECL / PECL表中是有效的，当热平衡建立。
1630 S. STAPLEY DR 。 ， SUITE 125
亚利桑那州Mesa 85204
美国
(480) 962-5881
传真（ 480 ） 890-2541
www.azmicrotek.com
AZ100LVEL16VR
启用真值表
EN -SEL
EN
Q/Q Q
HG
NC
PECL低，V
EE
或NC
数据数据
NC
PECL高或V
cc
数据低
V
EE
*
数据低
CMOS低或V
EE
V
EE
*
CMOS高或V
cc
数据数据
数据低
V
EE
NC ，没有外部上拉
数据数据
V
EE
NC ，与
≤20k
到V
CC
*连接到V
CC
或V
EE
必须小于1Ω 。
引脚说明
针
D/D
Q/Q
Q
HG
/Q
HG
V
BB
EN -SEL
EN
CS- SEL
V
EEP
V
EE
V
CC
功能
数据输入
数据输出
数据输出瓦特/高增益
参考电压输出
选择启用逻辑
使能输入
选择Q和Q电流源震级
可选Q
HG
和Q
HG
电流源
负电源
正电源
Q
HG
数据
高
高
数据
高
数据
Q
Q
D
D
470
4毫安EA 。
CS- SEL
Q
HG
Q
HG
10毫安EA 。
V
BB
EN
CMOS / TTL
门槛
V
EEP
V
EE
EN -SEL
电流源真值表
CS- SEL
NC
V
EE
*
V
CC
*
Q
4毫安典型。
8毫安典型。
0
Q
4毫安典型。
8毫安典型。
4毫安典型。
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的寿命可能会受到影响。
符号
V
CC
V
I
V
EE
V
I
I
OUT
T
A
T
英镑
特征
PECL电源（V
EE
= 0V)
PECL输入电压
(V
EE
= 0V)
ECL电源
(V
CC
= 0V)
ECL输入电压
(V
CC
= 0V)
输出电流
---连续
---浪涌
工作温度范围
存储温度范围
等级
0至8.0
0至+6.0
-8.0到0
-6.0到0
50
100
-40至+85
-65到+150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
°C
°C
100K ECL直流特性
(V
EE
= -3.0V至-5.5V ，V
CC
= GND）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
I
IL
I
IH
I
EE
1.
2.
3.
特征
-40°C
民
-1045
-1925
最大
-835
-1555
民
-995
-1900
-1165
V
EE
+2000
-1810
V
EE
-1390
0.5
0°C
最大
-835
-1620
-880
V
CC
-1475
V
EE
+ 800
-1250
150
48
民
-995
-1900
-1165
V
EE
+2000
-1810
V
EE
-1390
0.5
25°C
最大
-835
-1620
-880
V
CC
-1475
V
EE
+ 800
-1250
150
48
民
-995
-1900
-1165
V
EE
+2000
-1810
V
EE
-1390
0.5
85°C
最大
-835
-1620
-880
V
CC
-1475
V
EE
+ 800
-1250
150
54
单位
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
mA
输出高电压
2
输出低电压
2
输入高电压
-880
D / D， EN （ PECL ）
-1165
V
CC
EN （ CMOS / TTL ）V
EE
+2000
输入低电压
-1475
D / D， EN （ PECL ）
-1810
V
EE
+ 800
EN （ CMOS / TTL ）
V
EE
参考电压
-1390
-1250
输入低电平电流EN
3
0.5
输入大电流EN
3
150
1
电源电流
48
与V指定
EEP
和CS- SEL开放。
与V指定
EEP
和CS- SEL连接到V
EE
.
指定使用EN- SEL开放。
2002年7月* REV - 1
www.azmicrotek.com
2
AZ100LVEL16VR
100K LVPECL直流特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= +3.3V)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
I
IL
I
IH
I
EE
1.
2.
3.
4.
特征
-40°C
民
2255
1375
最大
2465
1745
民
2305
1400
0°C
最大
2465
1655
民
2305
1480
2135
2000
1490
GND
1910
0.5
25°C
最大
2465
1680
2420
V
CC
1825
800
2050
150
48
民
2305
1400
2135
2000
1490
GND
1910
0.5
85°C
最大
2465
1680
2420
V
CC
1825
800
2050
150
54
单位
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
mA
输出高电压
1,3
输出低电压
1,3
输入高电压
2135
2420
2135
2420
D / D， EN （ PECL ）
1
EN （ CMOS / TTL ）
2000
V
CC
2000
V
CC
输入低电压
1490
1825
1490
1825
D / D， EN （ PECL ）
1
EN （ CMOS / TTL ）
GND
800
GND
800
参考电压
1
1910
2050
1910
2050
输入低电平电流EN
4
0.5
0.5
输入大电流EN
4
150
150
2
电源电流
48
48
对于其他的3.3V电源电压，使用ECL表值和ADD的电源电压值。
与V指定
EEP
和CS- SEL开放。
与V指定
EEP
和CS- SEL连接到V
EE
.
指定使用EN- SEL开放。
100K PECL DC特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= +5.0V)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
I
IL
I
IH
I
EE
1.
2.
3.
4.
特征
-40°C
民
3955
3075
最大
4165
3445
民
4005
3100
0°C
最大
4165
3338
民
4005
3100
3835
2000
3190
GND
3610
0.5
25°C
最大
4165
3338
4120
V
CC
3525
800
3750
150
48
民
4005
3100
3835
2000
3190
GND
3610
0.5
85°C
最大
4165
3338
4120
V
CC
3525
800
3750
150
54
单位
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
mA
输出高电压
1,3
输出低电压
1,3
输入高电压
3835
4120
3835
4120
D / D， EN （ PECL ）
1
EN （ CMOS / TTL ）
2000
V
CC
2000
V
CC
输入低电压
3190
3525
3190
3525
D / D， EN （ PECL ）
1
EN （ CMOS / TTL ）
GND
800
GND
800
1
参考电压
3610
3750
3610
3750
输入低电平电流EN
4
0.5
0.5
输入大电流EN
4
150
150
电源电流
2
48
48
对于其他的5.0V电源电压，使用ECL表值和ADD的电源电压值。
与V指定
EEP
和CS- SEL开放。
与V指定
EEP
和CS- SEL连接到V
EE
.
指定使用EN- SEL开放。
AC特性
(V
EE
= -3.0V至-5.5V ; V
CC
= GND或V
EE
= GND ; V
CC
= + 3.0V至+ 5.5V ）
符号
t
PLH
/ t
PHL
特征
民
-40°C
典型值
最大
民
0°C
典型值
最大
民
25°C
典型值
最大
民
85°C
典型值
最大
单位
ps
ps
mV
ps
传播延迟
400
400
400
430
（ SE ）
D到Q / Q输出
1
550
550
550
630
D到Q
HG
/Q
HG
输出
1
（ SE ）
t
SKEW
占空比偏移
2
（ SE ）
5
20
5
20
5
20
5
20
3
V
PP
（ AC）最小输入摆幅
80
80
80
80
输出上升/下降时间
1
t
r
/ t
f
100
260
100
260
100
260
100
260
(20% - 80%)
1.
指定输出与V
EEP
和CS- SEL连接到V
EE
与AC耦合50Ω负载。
2.
占空比歪斜是叔之间的区别
PLH
和T
PHL
通过一个装置的传播延迟。
3.
V
PP
是最小的峰 - 峰值差分输入摆幅其中AC参数保证。该装置具有一个电压增益
≈
20 Q / Q
输出和电压增益
≈
100 Q
HG
/Q
HG
输出。
2002年7月* REV - 1
www.azmicrotek.com
3
AZ100LVEL16VV
双频PECL / ECL振荡器
增益级&缓冲区启用
D
ESCRIPTION
该
AZ100LVEL16VV
是具有两个专门振荡器增益级
可选择的数据输入对和高增益输出缓冲器包括一个
启用。可选择的数据输入对允许两种不同的切换
振荡器的频率。在Q
HG
/Q
HG
输出有电压增益数
倍大于在Q / Q输出。使能允许连续振荡
只有控制Q操作
HG
/Q
HG
输出。
该AZ100LVEL16VV还提供了一个参考电压（V
BB
）随着
内部偏置电阻，每个输入，以尽量减少外部元件。
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F
EATURES
最少的外部
组件
高带宽的
≥1GHz
类似的操作为
AZ100LVEL16VR
除了
与可选的数据输入
对
-147 dBc的/ Hz典型噪声
FL OOR
B
LOCK
D
IAGRAM
A
PPLICATIONS
双频振荡器
晶体或SAW振荡器的
只需最少的外部
组件。
P
ACKAGE
A
VAILABILITY
MLP16
o
绿色/ RoHS标准/无铅
订单号
AZ100LVEL16VRL
1
1
2
包
MLP16
记号
AZM + 16K <Date Code>
2
磁带&卷轴
- 添加“ R1 ”的PN结束了7英寸（ 1K部分） ， “ R2 ” （ 2.5K ）的13英寸
见www.azmicrotek.com的
日期代码格式
1630 S Stapley博士， 127套房
梅萨， AZ 85204 USA
2012年5月，版本2.0
www.azmicrotek.com
+1-480-962-5881
索取样品
亚利桑那州晶公司
AZ100LVEL16VV
双频PECL / ECL振荡器
增益级&缓冲区启用
P
IN
D
ESCRIPTION和
C
ONFIGURATION
表1 - 引脚说明AZ100LVEL16VTNA +
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
名字
D0
D0
D1
D1
V
BB
NC
V
EE
NC
EN
Q
HG
Q
HG
SEL
V
CC
NC
Q
Q
TYPE
输入
输入
输入
输入
产量
-
动力
-
输入
产量
产量
输入
动力
-
产量
产量
功能
数据输入
反相输入数据
数据输入
反相输入数据
参考电压
不适用
负电源
不适用
OUTPUT ENABLE
高增益反相PECL输出
高增益PECL输出
数据输入选择
正电源
不适用
PECL输出
反相PECL输出
Q
16
D0
D0
D1
D1
1
2
3
4
5
V
BB
Q
15
NC
14
V
CC
13
12 SEL
假垫
打开或
连接
V
EE
11 Q
HG
10 Q
HG
9
EN
6
NC
7
V
EE
8
NC
图1 - 引脚配置
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索取样品
2
2012年5月，版本2.0
亚利桑那州晶公司
AZ100LVEL16VV
双频PECL / ECL振荡器
增益级&缓冲区启用
E
NGINEERING
N
OTES
数据输入选择与选择引脚（ SEL ） 。当SEL为低电平或打开（ NC）从D0 / D0数据被选中。
当SEL从D1高数据/ D1被选中。请参阅表2数据选择。
使能引脚（ EN）适用于任何数据输入对。当EN为高电平或开（NC） ，输入数据被传递给这两组
的输出。当EN为低电平时， Q
HG
/Q
HG
输出将被分别强制LOW / HIGH ，而输入的数据将
继续被传递到Q / Q输出。 EN和SEL输入可以驱动与ECL / PECL信号或一个完整的供应
摆动式CMOS逻辑信号。见表2启动操作。
内置输入偏置完成了V
BB
独立470Ω偏置电阻每个数据输入连接到V
BB
。该
V
BB
引脚支持1.5毫安汇/源出电流，并应旁路至地用0.01μF电容。
每个Q / Q输出具有4毫安片上下拉电流源。外部电阻器也可以被用于增加下拉
在Q / Q以一个最大25毫安每一个的电流（包括4毫安片上电流源） 。
注：产品规格的ECL / PECL表中是有效的，当热平衡建立。
表2 - 真值表
EN
CS- SEL
Q
Q
Q
HG
Q
HG
高/开放
高/开放
低
低
低/开放
高
低/开放
高
D0/D0
D1/D1
D0/D0
D1/D1
D0/D0
D1/D1
D0/D0
D1/D1
D0/D0
D1/D1
低
低
D0/D0
D1/D1
高
高
D0
D1
EN
SEL
Q
Q
Q
HG
Q
HG
图2 - 时序图
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3
2012年5月，版本2.0
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