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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第865页 > AD5293BRUZ-20-RL7
单通道， 1024位，
1 ％R -公差数字电位计
AD5293
特点
单通道， 1024位分辨率
20 kΩ的标称阻值
校准的1 ％标称电阻容差（电阻器
性能模式时）
变阻器模式下的温度系数为35ppm /°C的
分压器温度系数为5ppm /°C的
单电源供电： 9 V至33 V
双电源供电： ± 9 V至± 16.5 V
SPI兼容串行接口
抽头设置回读
功能框图
V
DD
POWER- ON
RESET
V
逻辑
SCLK
SYNC
DIN
串行
接口
10
RDAC
注册
RESET
AD5293
A
W
B
SDO
应用
替代机械电位器
仪器仪表：增益和失调电压调整
可编程电压至电流转换
可编程滤波器，延迟，和时间常数
可编程电源
低分辨率DAC的替代
传感器校准
RDY
V
SS
EXT_CAP
GND
07675-001
图1 。
概述
的AD5293是单通道， 1024位数字电位
位计
1
与<1 ％，最终到终端电阻容差误差。该
AD5293执行相同的电子调整功能作为
机械电位器具有增强的分辨率，固态
可靠性和出色的低温度系数性能。
该器件能够工作在高电压和支持
无论是在± 10.5 V双电源供电至±15 V单电源供电
工作在21 V至30 V.
1
该AD5293提供保证的业界领先的低电阻
的±1％ ，标称温度系数容差误差
35 PPM / °以下。低电阻容差特性简化
开环应用以及精密校准和
容差匹配应用。
该AD5293是采用紧凑型14引脚TSSOP封装。
该器件保证工作在扩展工业
温度范围为-40 ° C至+ 105°C 。
本数据手册，术语数字电位计和RDAC这些接口使用
可转换。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113
2009 ADI公司保留所有权利。
AD5293
目录
功能................................................. 1 ..............................................
应用................................................. ....................................... 1
功能框图............................................... ................ 1
概述................................................ .......................... 1
修订历史................................................ ................................ 2
Specifications......................................................................................3
电气特性................................................ .............. 3
电阻性能（ R- PERF ）模式代码范围................ 4
接口时序规格............................................... 5 ....
时序图................................................ ........................... 6
绝对最大额定值............................................... .............. 7
热阻................................................ ....................... 7
ESD注意事项................................................ ................................... 7
引脚配置和功能描述.............................. 8
典型性能特征.............................................. 9
测试电路................................................ ..................................... 13
工作原理............................................... ....................... 14
串行数据接口............................................... .................... 14
移位寄存器................................................ ............................... 14
RDAC注册................................................ ............................ 14
写保护................................................ ......................... 14
基本操作................................................ .......................... 14
关断模式................................................ .......................... 14
复位................................................. ............................................ 15
电阻性能模式............................................... ....... 15
菊花链运作.............................................. ............... 15
RDAC结构................................................ .................... 16
编程可变电阻......................................... 16
编程电位分压器............................... 16
EXT_CAP电容................................................ .................. 17
终端电压工作范围.......................................... 17
应用信息................................................ .............. 18
高电压DAC ............................................... ....................... 18
可编程电压源升压输出............ 18
高精度DAC ............................................... ................... 18
音量控制............................................... ............... 19
外形尺寸................................................ ....................... 20
订购指南................................................ ........................... 20
修订历史
4月9日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第20页2
AD5293
特定网络阳离子
电气特性
V
DD
= 21 V至33 V ，V
SS
= 0 V; V
DD
= 10.5 V至16.5 V ，V
SS
= -10.5 V至-16.5 V ; V
逻辑
= 2.7 V至5.5 V ，V
A
= V
DD
, V
B
= V
SS
， -40°C <牛逼
A
＆ LT ;
+ 105℃，除非另有说明。
表1中。
参数
直流特性，
变阻器模式
决议
电阻微分非线性
2
电阻积分非线性
2
标称电阻容差
（R- PERF模式）
3
标称电阻容差
（正常模式）
电阻温度
系数
4
滑动端电阻
直流特性，
电位器分频模式
决议
微分非线性
5
积分非线性
5
分压器温度
系数
4
满量程误差
零刻度误差
电阻端子
终端电压范围
6
电容，电容B
4
电容W
4
共模漏电流
数字输入
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入电流
输入电容
4
数字量输出（ SDO和RDY ）
输出高电压
输出低电压
三态泄漏电流
输出电容
4
电源
单电源功率范围
双电源功率范围
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电压范围
逻辑电源电流
功耗
7
电源抑制比
4
符号
条件
民
典型值
1
最大
单位
N
R- DNL
R- INL
R- INL
R
AB
/R
AB
R
AB
/R
AB
(R
AB
/R
AB
)/T × 10
6
R
W
R
WB
|V
DD
V
SS
| = 26 V至33 V
|V
DD
V
SS
| = 21 V至26 V
SEE
表2
10
1
2
3
1
±0.5
±20
35
60
+1
+2
+3
+1
位
最低位
最低位
最低位
%
%
PPM /°C的
100
Ω
N
DNL
INL
(V
W
/V
W
)/T × 10
6
V
WFSE
V
WZSE
V
A
, V
B
, V
W
C
A
, C
B
C
W
I
CM
V
IH
V
IL
I
IL
C
IL
V
OH
V
OL
C
OL
V
DD
V
DD
/V
SS
I
DD
I
SS
V
逻辑
I
逻辑
P
DISS
PSSR
10
1
1.5
CODE =半秤
代码=满量程
代码=零刻度
8
0
V
SS
F = 1MHz时，测量到GND ，
代码=半刻度
F = 1MHz时，测量到GND ，
代码=半刻度
V
A
= V
B
= V
W
V
逻辑
= 2.7 V至5.5 V
V
逻辑
= 2.7 V至5.5 V
V
IN
= 0 V或V
逻辑
2.0
50
65
5
+1
+1.5
位
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
V
pF
pF
nA
V
V
μA
pF
V
V
μA
pF
V
V
μA
μA
V
μA
μW
%/%
0
8
V
DD
±1
JEDEC标准
0.8
±1
5
R
PULL -UP
= 2.2 kΩ到V
逻辑
R
PULL -UP
= 2.2 kΩ到V
逻辑
V
逻辑
0.4
1
5
GND + 0.4
+1
V
SS
= 0 V
V
DD
/V
SS
= ±16.5 V
V
DD
/V
SS
= ±16.5 V
V
逻辑
= 5 V; V
IH
= 5伏，或V
IL
= GND
V
IH
= 5伏，或V
IL
= GND
V
DD
/V
SS
= ±15 V ± 10%
9
±9
2
2.7
0.1
0.1
1
8
0.025
33
±16.5
2
5.5
10
110
0.08
第0版|第20页3
AD5293
参数
动态特性
4
, 8
带宽
总谐波失真
V
W
建立时间
符号
BW
THD
W
t
S
条件
-3分贝
V
A
= 1 V有效值，V
B
= 0 V ， F = 1 kHz时，
V
A
= 30 V, V
B
= 0 V ，± 0.5 LSB误差
乐队，最初的代码=零刻度
代码=满量程，正常模式
代码=满量程， R- PERF模式
代码=满量程的一半，正常模式
代码=满量程的一半， R- PERF模式
R
WB
= 10 kΩ的，T
A
= 25 ℃，0千赫至200千赫
民
典型值
1
520
93
最大
单位
千赫
dB
电阻噪声密度
1
2
e
N_WB
750
2.5
2.5
5
0.11
ns
μs
μs
μs
纳伏/赫兹÷
标准结构代表平均读数在25℃ ; V
DD
= +15 V, V
SS
= -15 V，和V
逻辑
= 5 V.
电阻位置非线性误差。 R- INL是从R之间测量的理想值的偏差
WB
在代码0×02和R用
WB
在代号为0xFF或R之间
WA
at
代码是0xFD和R
WA
在代码为0x00 。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。本说明书中是有保证的电阻
以1mA的电流抽头为V性能模式
A
< 12 V和1.2 mA，对于V
A
≥ 12 V.
3
术语电阻性能模式和R- PERF的模式可以互换使用。
4
通过设计保证;不受生产测试。
5
INL和DNL在V测量
W
与配置类似的电压输出DAC电位分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0 V DNL规范极限值
±1 LSB（最大值）保证单调的工作条件。
6
在A， B和W电阻端子间无极性限制，相对于对方。双电源供电使接地参考的双极信号
调整。
7
P
DISS
从（我计算
DD
× V
DD
) + (I
SS
× V
SS
) + (I
逻辑
× V
逻辑
).
8
所有的动态特性采用V
DD
= +15 V, V
SS
= -15 V，和V
逻辑
= 5 V.
电阻特性（ R- PERF ）模式代码范围
表2中。
电阻器
公差
每码
1 ％R -公差
2 ％的R-公差
3 ％的R-公差
|V
DD
V
SS
| = 30 V至33 V
R
WB
从0x15E
到0x3FF
从0x8C
到0x3FF
从字5AH
到0x3FF
R
WA
为0x00
到0x2A1
为0x00
为0x373
为0x00
到0x3A5
|V
DD
V
SS
| = 26 V至30 V
R
WB
从0x1F4
到0x3FF
从0xB4
到0x3FF
从0x64
到0x3FF
R
WA
为0x00
到0x20B
为0x00
到0x34B
为0x00
到0x39B
|V
DD
V
SS
| = 22 V至26 V
R
WB
从0x1F4
到0x3FF
从0xFA回应
到0x3FF
从0x78
到0x3FF
R
WA
为0x00
到0x20B
为0x00
为0x305
为0x00
为0x387
|V
DD
V
SS
| = 21 V至22 V
R
WB
不适用
从0xFA回应
到0x3FF
从0x78
到0x3FF
R
WA
不适用
为0x00
为0x305
为0x00
为0x387
第0版|第20页4
AD5293
接口时序规范
V
DD
= V
SS
= ±15 V, V
逻辑
= 2.7 V至5.5 V和-40°C <牛逼
A
< + 105°C 。所有规格牛逼
民
给T
最大
中，除非另有说明。
表3中。
参数
t
1 2
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
t
9
t
10 4
t
114
t
124
极限
1
20
10
10
10
5
5
1
400
3
14
1
40
2.4
410
1.5
450
450
20
2
单位
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最大值）
微秒最大
ns（最大值）
ms（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ms（最大值）
测试条件/评论
SCLK周期时间
SCLK高电平时间
SCLK低电平时间
SYNC到SCLK下降沿建立时间
数据建立时间
数据保持时间
SCLK下降沿到SYNC上升沿
最小SYNC高电平时间
SYNC上升沿到下一个SCLK下降沿忽略
RDY上升到SYNC下降沿
SYNC上升到RDY下降时间
RDY低的时间， RDAC寄存器写入命令执行的时间（ R- PERF模式）
RDY低的时间， RDAC寄存器写入命令执行的时间（正常模式）
SOFTWARE \\硬件复位
RDY低的时间， RDAC寄存器中读取指令执行时间
SCLK上升沿到SDO有效。
最小复位脉冲宽度（异步）
通电时间的一半规模
t
134
t
144
t
RESET
t
POWER- UP 5
1
2
所有输入信号均采用t指定
R
= t
F
= 1纳秒/ V（ 10 ％90 ％的V
DD
）和定时从一个电压电平（V
IL
+ V
IH
)/2.
最大SCLK频率为50兆赫。
3
请参阅吨
12
和T
13
对于RDAC寄存器命令操作。
4
R
PULL -UP
= 2.2 kΩ到V
逻辑
与168 pF的电容负载。
5
2 MS / V（典型）电源电压摆率。
DB9 （MSB）
0
0
C3
C2
C1
C0
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
DB0 （ LSB ）
D1
D0
07675-002
控制位
数据位
图2.移位寄存器的内容
第0版|第20页5
单通道， 1024位，
1 ％R -公差数字电位计
AD5293
特点
单通道， 1024位分辨率
20千欧， 50千欧，和100 kΩ的标称阻值
校准的1 ％标称电阻容差（电阻器
性能模式）
变阻器模式下的温度系数为35ppm /°C的
分压器温度系数为5ppm /°C的
单电源供电： 9 V至33 V
双电源供电： ± 9 V至± 16.5 V
SPI兼容串行接口
抽头设置回读
功能框图
V
DD
POWER- ON
RESET
V
逻辑
SCLK
SYNC
DIN
串行
接口
10
RDAC
注册
RESET
AD5293
A
W
B
SDO
应用
替代机械电位器
仪器仪表：增益和失调电压调整
可编程电压至电流转换
可编程滤波器，延迟，和时间常数
可编程电源
低分辨率DAC的替代品
传感器校准
RDY
V
SS
EXT_CAP
GND
07675-001
图1 。
概述
的AD5293是单通道， 1024位数字
电位器
1
用<1 ％的终端到端到端电阻容差误差。
在AD5293执行相同的电子调整功能
机械电位器具有增强的分辨率，固态
可靠性和出色的低温度系数性能。
该器件能够工作在高电压和支持
无论是在± 10.5 V双电源供电至±15 V单电源供电
工作在21 V至30 V.
该AD5293提供保证的业界领先的低电阻
的±1％ ，标称温度系数容差误差
35 PPM / °以下。低电阻容差特性可以简化开
环应用以及精密校准和容差
匹配的应用程序。
该AD5293是采用紧凑型14引脚TSSOP封装。
该器件保证工作在扩展工业
温度范围为-40 ° C至+ 105°C 。
1
本数据手册，术语数字电位计和RDAC使用
互换。
Rev. D的
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113 2009-2011 ADI公司保留所有权利。
AD5293
目录
功能................................................. 1 ..............................................
Applications........................................................................................1
功能框图............................................... ................ 1
概述................................................ .......................... 1
修订历史................................................ ................................ 2
Specifications......................................................................................3
电气特性- 20 kΩ的版本............................... 3
电阻性能模式代码范围， 20 kΩ的版本... 4
电气特性， 50 kΩ和100 kΩ的版本.......... 5
电阻性能模式代码范围， 50 kΩ和100 kΩ的
Versions...........................................................................................6
接口时序规格............................................... 7 ....
时序图................................................ ........................... 8
绝对最大额定值............................................... .............. 9
热阻................................................ ....................... 9
ESD注意事项................................................ ................................... 9
引脚配置和功能描述........................... 10
典型性能特征........................................... 11
测试电路................................................ ..................................... 17
工作原理............................................... ....................... 18
串行数据接口............................................... .................... 18
移位寄存器................................................ ............................... 18
RDAC注册................................................ ............................ 18
写保护................................................ ......................... 18
基本操作................................................ .......................... 18
关断模式................................................ .......................... 18
复位................................................. ............................................ 19
电阻性能模式............................................... ....... 19
SDO引脚和菊花链运作..................................... 19
RDAC结构................................................ .................... 20
编程可变电阻......................................... 20
编程电位分压器............................... 21
EXT_CAP电容................................................ .................. 21
终端电压工作范围.......................................... 21
应用信息................................................ .............. 22
高电压DAC ............................................... ....................... 22
可编程电压源升压输出............ 22
高精度DAC ............................................... ................... 22
可变增益仪表放大器............................... 22
音量控制............................................... ............... 23
外形尺寸................................................ ....................... 24
订购指南................................................ ........................... 24
修订历史
3月11日 - 修订版。 C到Rev. D的
更改表1 ，尾2 ........................................... ..................... 4
更改表3 ，尾2 ........................................... ............. 6
9月10日 - 修订版。 B到C版
加入CPOL = 0 ， CPHA = 1至图3和图4中的字幕..... 8
更改SDO引脚和菊花链业务科....... 19
3月10日 - 修订版。 A到版本B
更改电阻噪声密度条件下（表3） ........... 6
12/09 -REV 。 0到版本A
加入50 kΩ和100 kΩ的规格.........................通用
更改功能部分.............................................. .............. 1
更改表1 .............................................. .............................. 3
更改表2 .............................................. .............................. 4
添加表3 ;重新编号按顺序.................................... 5
添加表4 ............................................... ..................................... 6
更改表5 .............................................. .............................. 7
变为表6和注1 ，表7 ........................................ 9
更改典型性能特性部分......... 11
更改编程可变电阻部分.......... 20
更改编程电位器
分频器部分................................................ ............................... 21
更改订购指南第............................................ 24
4月9日 - 修订版0 ：初始版
修订版D |页24 2
AD5293
特定网络阳离子
电气特性- 20 kΩ的
V
DD
= 21 V至33 V ，V
SS
= 0 V; V
DD
= 10.5 V至16.5 V ，V
SS
= -10.5 V至-16.5 V ; V
逻辑
= 2.7 V至5.5 V ，V
A
= V
DD
, V
B
= V
SS
,
-40°C <牛逼
A
< + 105℃，除非另有说明。
表1中。
参数
直流特性，
变阻器模式
决议
电阻微分非线性
2
电阻积分非线性
2
标称电阻容差
（R- PERF模式）
3
标称电阻容差
（正常模式）
电阻温度COEF网络cient
4
滑动端电阻
直流特性，
电位器分频模式
决议
微分非线性
5
积分非线性
5
分压器温度
系数
4
满量程误差
零刻度误差
电阻端子
终端电压范围
6
电容，电容B
4
电容W
4
共模漏电流
数字输入
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入电流
输入电容
4
数字量输出（ SDO和RDY ）
输出高电压
输出低电压
三态泄漏电流
输出电容
4
电源
单电源功率范围
双电源功率范围
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电压范围
逻辑电源电流
功耗
7
电源抑制比
4
符号
条件
民
典型值
1
最大
单位
N
R- DNL
R- INL
R- INL
R
AB
/R
AB
R
AB
/R
AB
(R
AB
/R
AB
)/T × 10
6
R
W
R
WB
|V
DD
V
SS
| = 26 V至33 V
|V
DD
V
SS
| = 21 V至26 V
见表2
10
1
2
3
1
±0.5
±7
35
60
+1
+2
+3
+1
位
最低位
最低位
最低位
%
%
PPM /°C的
Ω
100
N
DNL
INL
(V
W
/V
W
)/T × 10
6
V
WFSE
V
WZSE
V
A
, V
B
, V
W
C
A
, C
B
C
W
I
CM
V
IH
V
IL
I
IL
C
IL
V
OH
V
OL
C
OL
V
DD
V
DD
/V
SS
I
DD
I
SS
V
逻辑
I
逻辑
P
DISS
PSSR
10
1
1.5
CODE =半秤
代码=满量程
代码=零刻度
8
0
V
SS
F = 1MHz时，测量到GND ，
代码=半刻度
F = 1MHz时，测量到GND ，
代码=半刻度
V
A
= V
B
= V
W
V
逻辑
= 2.7 V至5.5 V
V
逻辑
= 2.7 V至5.5 V
V
IN
= 0 V或V
逻辑
2.0
85
65
5
+1
+1.5
位
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
V
pF
pF
nA
V
V
μA
pF
V
V
μA
pF
V
V
μA
μA
V
μA
μW
%/%
0
8
V
DD
±1
JEDEC标准
0.8
±1
5
R
PULL -UP
= 2.2 kΩ到V
逻辑
R
PULL -UP
= 2.2 kΩ到V
逻辑
V
逻辑
0.4
1
5
GND + 0.4
+1
V
SS
= 0 V
V
DD
/V
SS
= ±16.5 V
V
DD
/V
SS
= ±16.5 V
V
逻辑
= 5 V; V
IH
= 5 V或V
IL
= GND
V
IH
= 5 V或V
IL
= GND
V
DD
/V
SS
= ±15 V ± 10%
修订版D |第24 3
9
±9
2
2.7
0.1
0.1
1
8
0.103
33
±16.5
2
5.5
10
110
AD5293
参数
动态特性
4, 8
带宽
总谐波失真
V
W
建立时间
符号
BW
THD
W
t
S
条件
-3分贝
V
A
= 1 V有效值，V
B
= 0 V ， F = 1 kHz时，
V
A
= 30 V, V
B
= 0 V ，± 0.5 LSB误差
乐队，最初的代码=零刻度
代码=满量程， R-正常模式
代码=满量程， R- PERF模式
代码=满量程的一半， R-正常模式
代码=满量程的一半， R- PERF模式
R
WB
= 10 kΩ的，T
A
= 25°C,
0千赫至200千赫
民
典型值
1
520
93
最大
单位
千赫
dB
电阻噪声密度
1
2
e
N_WB
750
2.5
2.5
5
10
ns
μs
μs
μs
纳伏/赫兹÷
标准结构代表平均读数在25℃ ; V
DD
= +15 V, V
SS
= -15 V，和V
逻辑
= 5 V.
电阻位置非线性误差。 R- INL是指R的测量理想值之间的偏差
WB
在代码0x00B编写0x3FF处或R之间
WA
在代码0x3F3至
代码量0x000 。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。该规范是保证与电阻性能模式
以1mA的电流抽头为V
A
< 12 V和1.2 mA，对于V
A
≥ 12 V.
3
术语电阻性能模式和R- PERF的模式可以互换使用。
4
通过设计保证;不受生产测试。
5
INL和DNL在V测量
W
与配置类似的电压输出DAC电位分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0 V DNL规范极限值
±1 LSB（最大值）保证单调的工作条件。
6
在A， B和W电阻端子间无极性限制，相对于对方。双电源供电使接地参考的双极信号
调整。
7
P
DISS
从（我计算
DD
× V
DD
) + (I
SS
× V
SS
) + (I
逻辑
× V
逻辑
).
8
所有的动态特性采用V
DD
= +15 V, V
SS
= -15 V，和V
逻辑
= 5 V.
电阻性能模式代码范围， 20 kΩ的
表2中。
电阻器
公差
每码
1 ％R -公差
2 ％的R-公差
3 ％的R-公差
|V
DD
V
SS
| = 30 V至33 V
R
WB
R
WA
从0x15E
从量0x000
到0x3FF
到0x2A1
从0x8C
从量0x000
到0x3FF
为0x373
从字5AH
从量0x000
到0x3FF
到0x3A5
R
AB
= 20 kΩ
|V
DD
V
SS
| = 26 V至30 V
|V
DD
V
SS
| = 22 V至26 V
R
WB
R
WA
R
WB
R
WA
从0x1F4
从量0x000
从0x1F4
从量0x000
到0x3FF
到0x20B
到0x3FF
到0x20B
从0xB4
从量0x000
从0xFA回应
从量0x000
到0x3FF
到0x34B
到0x3FF
为0x305
从0x64
从量0x000
从0x78
从量0x000
到0x3FF
到0x39B
到0x3FF
为0x387
|V
DD
V
SS
| = 21 V至22 V
R
WB
R
WA
不适用
不适用
从0xFA回应
到0x3FF
从0x78
到0x3FF
从量0x000
为0x305
从量0x000
为0x387
修订版D |第24 4
AD5293
电气特性， 50 kΩ和100 kΩ的
V
DD
= 21 V至33 V ，V
SS
= 0 V; V
DD
= 10.5 V至16.5 V ，V
SS
= -10.5 V至-16.5 V ; V
逻辑
= 2.7 V至5.5 V ，V
A
= V
DD
, V
B
= V
SS
,
-40°C <牛逼
A
< + 105℃，除非另有说明。
表3中。
参数
直流特性，
变阻器模式
决议
电阻微分非线性
2
电阻积分非线性
2
标称电阻容差
（R- PERF模式）
3
标称电阻容差
（正常模式）
电阻温度COEF网络cient
4
滑动端电阻
直流特性，
电位器分频模式
决议
微分非线性
5
积分非线性
5
分压器温度
系数
4
满量程误差
零刻度误差
电阻端子
终端电压范围
6
电容，电容B
4
电容W
4
共模漏电流
数字输入
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入电流
输入电容
4
数字量输出（ SDO和RDY ）
输出高电压
输出低电压
三态泄漏电流
输出电容
4
电源
单电源功率范围
双电源功率范围
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电压范围
逻辑电源电流
功耗
7
电源抑制比
4
符号
条件
民
典型值
1
最大
单位
N
R- DNL
R- INL
R
AB
/R
AB
R
AB
/R
AB
(R
AB
/R
AB
)/T × 10
6
R
W
R
WB
见表4
10
1
2
1
±0.5
±20
35
60
+1
+2
+1
位
最低位
最低位
%
%
PPM /°C的
Ω
100
N
DNL
INL
(V
W
/V
W
)/T × 10
6
V
WFSE
V
WZSE
V
A
, V
B
, V
W
C
A
, C
B
C
W
I
CM
V
IH
V
IL
I
IL
C
IL
V
OH
V
OL
C
OL
V
DD
V
DD
/V
SS
I
DD
I
SS
V
逻辑
I
逻辑
P
DISS
PSSR
10
1
1.5
CODE =半秤
代码=满量程
代码=零刻度
8
0
V
SS
F = 1MHz时，测量到GND ，
代码=半刻度
F = 1MHz时，测量到GND ，
代码=半刻度
V
A
= V
B
= V
W
V
逻辑
= 2.7 V至5.5 V
V
逻辑
= 2.7 V至5.5 V
V
IN
= 0 V或V
逻辑
2.0
85
65
5
+1
+1.5
位
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
V
pF
pF
nA
V
V
μA
pF
V
V
μA
pF
V
V
μA
μA
V
μA
μW
%/%
%/%
+1
8
V
DD
±1
JEDEC标准
0.8
±1
5
R
PULL -UP
= 2.2 kΩ到V
逻辑
R
PULL -UP
= 2.2 kΩ到V
逻辑
V
逻辑
0.4
1
5
GND + 0.4
+1
V
SS
= 0 V
V
DD
/V
SS
= ±16.5 V
V
DD
/V
SS
= ±16.5 V
V
逻辑
= 5 V; V
IH
= 5 V或V
IL
= GND
V
IH
= 5 V或V
IL
= GND
V
DD
/V
SS
= ±15 V ± 10%
R
AB
= 50 kΩ
R
AB
= 100 kΩ
9
±9
2
2.7
0.1
0.1
1
8
0.039
0.021
33
±16.5
2
5.5
10
110
修订版D |第24 5
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