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亚利桑那州晶公司
AZ10ELT20
AZ100ELT20
CMOS / TTL至差分PECL转换器
特点
0.5ns的典型传播延迟
差分PECL输出
流经引脚分配
经营+ 3.0V至+ 5.5V
直接替代安森美半导体
MC100ELT20 &麦克雷尔SY89329V
提供2×2和3×3毫米MLP
套餐
IBIS模型文件上可用
亚利桑那州晶网站
MLP 8 ( 2x2x0.75 )
MLP 8 ( 2x2x0.75 )
绿色/ RoHS指令
符合/铅
(以Pb计)免费
MLP 16 ( 3×3 )
MLP 16 ( 3×3 )
绿色/ RoHS指令
符合/铅
(以Pb计)免费
SOIC 8
SOIC 8
SOIC 8 RoHS指令
符合/铅
(以Pb计)免费
SOIC 8绿/
符合RoHS /
铅(Pb )免费
包装可用性
产品型号
AZ100ELT20N
记号
TC
<date code>
TCG
<date code>
AZM
T20
<date code>
AZMG
T20
<date code>
AZM10
ELT20
AZM100
ELT20
AZM100+
ELT20
AZM100G
ELT20
笔记
1,2
AZ100ELT20NG
1,2
AZ10/100ELT20L
1,2
AZ10/100ELT20LG
1,2
AZ10ELT20D
AZ100ELT20D
AZ100ELT20D+
1,2,3
1,2,3
1,2,3
描述
AZ100ELT20DG
1,2,3
AZH
AZ10/100ELT20
is
a
TSSOP 8
AZ100ELT20T
1,2,3
LT20
CMOS / TTL至差分PECL
TSSOP 8绿/
翻译。它采用单电源
AZHG
AZ100ELT20TG
1,2,3
符合RoHS /
供应+3.0至+5.5伏,使得它
LT20
铅(Pb )免费
理想选择LVCMOS / LVTTL和
DIE
AZ10/100ELT20XP
不适用
4
CMOS / TTL应用。极
1
添加R1在零件编号最后为7英寸( 1K件) , R2为13英寸( 2.5K
小型MLP 2x2的8 mm的封装使得它
件)磁带&卷轴。
适合于那些应用空间,
2
日期代码格式为:“ Y”或“ YY”的一年,其次是“ WW ”的一周。
3
日期代码“ YWW ”或部分底部“ YYWW ” 。
高性能和低功耗处于一个
华夫饼包。
4
溢价。
当D输入端悬空时,Q输出被强制为高,并且在Q输出被强制为低电平。
该ELT20在这两个PECL标准可供选择: AZ10ELT20是10K PECL逻辑电平兼容
而AZ100ELT20是100K PECL逻辑电平兼容。
注:产品规格的PECL表中是有效的,当热平衡建立。
框图
Q
D
Q
1630 S. STAPLEY DR 。 , SUITE 127
亚利桑那州Mesa 85204
美国
(480) 962-5881
传真( 480 ) 890-2541
www.azmicrotek.com
AZ10ELT20
AZ100ELT20
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的寿命可能会受到影响。
符号
V
CC
V
IN
I
OUT
T
A
T
英镑
特征
直流电源电压(参考GND)
输入电压
目前适用于输出低输出状态
工作温度范围(在自由空气)
存储温度范围
价值
0至8.0
0至+6.0
50
100
-40至+85
-65到+150
单位
V
V
mA
°C
°C
- 连续
- 浪涌
TTL / CMOS输入直流特性
( GND = 0.0V ,V
CC
= + 3.0V至+ 5.5V )
符号
I
IH
I
IHH
I
IL
V
IK
V
IH
V
IL
特征
输入高电流
输入高电流
输入低电平电流
输入钳位二极管电压
输入高电压
输入低电压
典型值
最大
15
20
-0.1
-1.2
0.8
单位
μA
μA
mA
V
V
V
条件
V
IN
= 2.7V
V
IN
= V
CC
V
IN
= 0.5V
I
IN
= -18mA
2.0
10K LVPECL直流特性
( GND = 0.0V ,V
CC
= +3.3V)
符号
特征
V
OH
输出高电压
1,2
V
OL
输出低电压
1,2
I
CC
电源电流
3
1.
输出参数发生变化1 : 1与V
CC
.
2.
每个输出通过一个50Ω电阻至V终止
CC
– 2V.
3.
I
CC
测量必须具有输出开路来完成。
2220
1350
-40°C
典型值
最大
2410
1650
16
2280
1350
0°C
典型值
最大
2460
1670
16
2320
1350
25°C
典型值
最大
2490
1670
16
2390
1350
85°C
典型值
最大
2580
1705
16
单位
mV
mV
mA
10K PECL DC特性
( GND = 0.0V ,V
CC
= +5.0V)
符号
特征
V
OH
输出高电压
1,2
V
OL
输出低电压
1,2
I
CC
电源电流
3
1.
输出参数发生变化1 : 1与V
CC
.
2.
每个输出通过一个50Ω电阻至V终止
CC
– 2V.
3.
I
CC
测量必须具有输出开路来完成。
3920
3050
-40°C
典型值
最大
4110
3350
16
3980
3050
0°C
典型值
最大
4160
3370
16
4020
3050
25°C
典型值
最大
4190
3370
16
4090
3050
85°C
典型值
最大
4280
3405
16
单位
mV
mV
mA
100K LVPECL直流特性
( GND = 0.0V ,V
CC
= +3.3V)
符号
特征
V
OH
输出高电压
1,2
V
OL
输出低电压
1,2
I
CC
电源电流
3
1.
输出参数发生变化1 : 1与V
CC
.
2.
每个输出通过一个50Ω电阻至V终止
CC
– 2V.
3.
I
CC
测量必须具有输出开路来完成。
2220
1400
-40°C
典型值
最大
2420
1750
16
2275
1400
0°C
典型值
最大
2420
1680
16
2275
1400
25°C
典型值
最大
2420
1680
16
2275
1400
85°C
典型值
最大
2420
1680
16
单位
mV
mV
mA
100K PECL DC特性
( GND = 0.0V ,V
CC
= +5.0V)
符号
特征
V
OH
输出高电压
1,2
V
OL
输出低电压
1,2
I
CC
电源电流
3
1.
输出参数发生变化1 : 1与V
CC
.
2.
每个输出通过一个50Ω电阻至V终止
CC
– 2V.
3.
I
CC
测量必须具有输出开路来完成。
3920
3100
-40°C
典型值
最大
4120
3450
16
3975
3100
0°C
典型值
最大
4120
3380
16
3975
3100
25°C
典型值
最大
4120
3380
16
3975
3100
85°C
典型值
最大
4120
3380
16
单位
mV
mV
mA
2007年4月* REV - 18
www.azmicrotek.com
2
AZ10ELT20
AZ100ELT20
AC特性
( GND = 0.0V ,V
CC
= + 3.0V至+ 5.5V )
-40
0
C
0°C
25°C
85°C
单位
最大
最大
典型值
最大
最大
t
PLH
/t
PHL
传播延迟
1
100
600
100
600
100
600
100
600
ps
t
r
/t
f
输出上升/下降时间
200
500
200
500
200
500
200
500
ps
2
f
最大
最大频率
800
800
800
800
兆赫
1.
传播延迟是从+ 1.5V上测量输入到PECL输出摆幅的50%。输入的上升/下降时间均为<为1ns / V 。
2.
输出在-3分贝。
符号
特征
条件
20-80%
850
750
单端输出(MV P-P )
650
550
输入: 150mV的峰 - 峰值正弦
波单端
450
350
250
150
1
10
100
1000
10000
频率(MHz)
大信号带宽
2007年4月* REV - 18
www.azmicrotek.com
3
AZ10ELT20
AZ100ELT20
引脚说明
Q, Q
D
GND
V
CC
NC
10K
功能
差分PECL输出
TTL / CMOS输入
正电源
无连接,悬空
除非另有说明
10K / 100K模式选择
AZ100ELT20N
MLP 8 ,采用2x2mm
NC 1
Q
Q
2
3
8
7
6
V
CC
D
NC
MLP 16 (L )包装及模具:
10K / 100K的选择
连接引脚/焊盘10K至GND选择
10K操作。 FLOAT( NC )引脚/焊盘10K
选择100K的操作。 GND
连接必须小于1Ω 。
在MLP 16封装的8脚可能
连接到引脚7 (GND)的无效果
在该电路。
NC 4
顶视图
5 GND
离开中心底部垫打开或连接到GND 。
AZ10ELT20D
AZ100ELT20D
AZ100ELT20T
AZ10/100ELT20L
NC
16
NC
15
V
CC
14
NC
13
12
NC
1
8
V
CC
Q
1
NC
D
NC
NC
Q
2
Q
3
SOIC 8
TSSOP 8
7
D
NC
NC
2
3
MLP 16
3x3mm
顶视图
11
10
9
6
NC
Q
4
5
NC
4
5
GND
6
7
8
NC
10K
GND
NC
离开中心底部垫打开或连接到GND 。
2007年4月* REV - 18
www.azmicrotek.com
4
AZ10ELT20
AZ100ELT20
模垫坐标
AZ10 / 100ELT20 DIE :
ELT20 22
A
B
C
D
M
L
K
J
DIE SIZE : 950u X 940u
模具厚度: 14密耳
焊盘: 85U X 85U
I
H
G
E
F
注:其他模具厚度可用。请与工厂联系获取更多信息。
芯片背面可悬空或连接到GND 。
PAD中心的坐标
名字
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
NC =无连接,平仓离场。
垫名称
NC
NC
D
NC
V
CC
V
CC
Q
Q
NC
NC
NC
10K
GND
X(微米)
-342.5
-342.5
-342.5
-342.5
-33.5
126.5
312.5
312.5
312.5
312.5
302.5
142.5
-140.5
Y(微米)
312.5
144.5
-87.0
-255.0
-312.5
-312.5
-248.5
-98.5
51.5
201.5
342.5
342.5
342.5
2007年4月* REV - 18
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AZ100ELT20N
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
AZ100ELT20N
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