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28-36 GHz的砷化镓MMIC
低噪声放大器
AA035N1-00 , AA035N2-00
特点
s
双偏置电源供电( 4.5 V )
s
2.8分贝典型噪声系数为32 GHz的
s
12分贝典型小信号增益
s
0.25
m
钛/钯/金·盖茨
s
100 %的晶片RF , DC和噪声系数
检测
s
100 %目视检查,以MIL -STD- 883
MT 2010
1.598
芯片大纲
2.370
2.255
0.116
0.000
0.000
0.269
0.627
0.985
1.343
1.701
2.059
2.417
2.690
描述
阿尔法的两级平衡28-36 GHz的MMIC低噪声
放大器具有12dB的典型小信号增益,
2.6 dB的典型噪声系数为32千兆赫。该芯片采用
Alpha的行之有效0.25
m
低噪声PHEMT技术,
基于MBE层和电子束光刻用
对于最高的均匀性和可重复性。场效应管
采用表面钝化,保证坚固耐用,可靠
用通孔和通基底部分金基
背面金属化,以促进导电环氧树脂模
重视过程。
尺寸以毫米。
所有的直流电压(V )垫是0.1 ×0.1毫米, RF输入,输出垫0.07毫米宽。
芯片厚度= 0.1毫米。
AA035N1-00电气规格在25 ° C( V
DS
= 4.5 V,I
D
= 70 mA)的
参数
漏电流
小信号增益
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
1 dB增益压缩输出功率
1
阻力
2
F = 28-36 GHz的
F = 32 GHz的
F = 28-36 GHz的
F = 28-36 GHz的
F = 35 GHz的
条件
符号
I
DS
G
NF
RL
I
RL
O
P
1分贝
Θ
JC
10
分钟。
典型值。
3
70
12
2.8
-17
-20
10
50
3.2
-12
-12
马克斯。
90
单位
mA
dB
dB
dB
dB
DBM
° C / W
AA035N2-00电气规格在25 ° C( V
DS
= 4.5 V,I
D
= 70 mA)的
参数
漏电流
小信号增益
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
1 dB增益压缩输出功率
1
阻力
2
F = 28-36 GHz的
F = 32 GHz的
F = 28-36 GHz的
F = 28-36 GHz的
F = 35 GHz的
条件
符号
I
DS
G
NF
RL
I
RL
O
P
1分贝
Θ
JC
9
分钟。
典型值。
3
70
12
3.0
-17
-20
10
50
3.8
-12
-12
马克斯。
90
单位
mA
dB
dB
dB
dB
DBM
° C / W
1.未测量了100%的基础上。
基于离散FET的测量2.计算值。
3.典型代表整个指定的位数参数值
频率范围的中位数芯片。
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
电子邮件
sales@alphaind.com
www.alphaind.com
规格如有变更,恕不另行通知。 7 / 00A
1
28-36 GHz的砷化镓MMIC低噪声放大器
AA035N1-00 , AA035N2-00
典型性能数据
20
10
0
S
21
14
12
10
8
收益
80
60
噪声系数
40
20
I
D
0
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
-10
-20
S
22
-30
-40
-50
30
32
34
36
38
40
S
12
S
11
120
100
漏极电流(mA )
( dB)的
( dB)的
6
4
2
0
-2
-4
-0.5
频率(GHz )
(V
G
)
典型的小信号性能
S参数(V
D
= 4.5 V)
5.0
4.5
典型的35 GHz的噪声系数和
增益栅电压的函数( VG )
绝对最大额定值
特征
工作温度(T
C
)
价值
-55 ° C至+ 90°C
-65 ° C至+ 150°C
5.5 V
DC
16 dBm的
175°C
噪声系数(dB )
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
30
32
34
36
38
40
存储温度(T
ST
)
偏置电压( V
D
)
在功率(P
IN
)
结温(T
J
)
偏置安排
.01
F
50 pF的
V
G
50 pF的0.01
F
V
D
= 4.5 V
频率(GHz )
典型噪声系数性能
与频率的关系
在RF
RF OUT
V
G
.01
F
50 pF的
V
D
= 4.5 V
50 pF的0.01
F
对于偏上,调整V
G
从零到所需的值
( 0.3 V典型的是最佳) 。然后调整V
D
从零到所需的值
( 4.5 V推荐) 。对于偏关,反向偏置的过程。
2
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
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28-36 GHz的砷化镓MMIC低噪声放大器
AA035N1-00 , AA035N2-00
电路原理图
G
D
细节A
V
G
V
D
G
在RF
D
RF OUT
SEE
详细信息
A
G
D
V
G
V
D
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3
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