【AF9902M2N和2P沟道增强型功率MOSFET特点- 简单的驱动要求- 低导通电阻- 液晶显示器】,IC型号AX9902MS,AX9902MS PDF资料,AX9902MS经销商,ic,电子元器件-51电子网

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AF9902M

2N和2P沟道增强型功率MOSFET

特点

- 简单的驱动要求

- 低导通电阻

- 液晶显示器 - 高压全桥应用

- 无铅电镀产品

概述

先进的功率MOSFET提供设计师

与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和

成本效益。

在SO -8封装的普遍首选的所有

商业，工业表面贴装应用和

适用于低电压应用，如直流/直流

转换器。

产品概述

CH

N

P

BV

DSS

(V)

30

-30

R

DS （ ON）

(m)

40

70

I

D

(A)

4.3

-3.3

引脚分配

N1G

N1D/P1D

N1S/N2S

N2G

1

2

3

4

8

7

6

5

引脚说明

P1G

P1S/P2S

N2D/P2D

P2G

引脚名称

N1G

N1D/P1D

N1S/N2S

N2G

P2G

N2D/P2D

P1S/P2S

P1G

X

填料

描述

门（ NMOS1 ）

漏（ NMOS1 ） /漏极（ PMOS1 ）

源（ NMOS1 ） /源（ NMOS2 ）

门（ NMOS2 ）

门（ PMOS2 ）

漏（ NMOS2 ） /漏极（ PMOS2 ）

源（ PMOS1 ） /源（ PMOS2 ）

门（ PMOS1 ）

SO-8

订购信息

一个X

特征

F： MOSFET

PN

9902M X

包

S： SO - 8

空白：管或散装

答：带卷&

框图

P1S

P1G

P1N1D

N1G

N1S

N2S

P2N2D

N2G

P2S

P2G

该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果

此产品。在任何授权不得销售该产品。

1.0版2005年9月22日

1/8

AF9902M

2N和2P沟道增强型功率MOSFET

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

（注1 ）

漏电流脉冲

（注2 ）

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

N沟道P沟道

30

-30

±12

±12

T

A

=25C

4.3

-3.3

T

A

=70C

3.4

-2.6

20

-20

T

A

=25C

1.38

0.01

-55到150

-55到150

单位

V

A

A

W

W / ℃，

C

C

热数据

符号

R

θJA

参数

热阻结到环境

（注1 ）

马克斯。

价值

90

单位

摄氏度/ W

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

符号

BV

DSS

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

V

GS

= 0V时，我

D

=-250uA

参考25 C ，

ΔBV

DSS

/ Δ击穿电压温度我

D

=1mA

系数

T

J

参考25 C ，

I

D

=-1mA

V

GS

= 10V ，我

D

=5A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=4A

V

GS

= 2.5V ，我

D

=2A

静态漏源

R

DS （ ON）

导通电阻

（注3）

V

GS

= -10V ，我

D

=-4A

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-3A

V

GS

= -2.5V ，我

D

=-2A

V

DS

= V

GS

, I

D

=250uA

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

V

DS

= V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

= 5V ，我

D

=4A

g

fs

正向跨导

V

DS

= -5V ，我

D

=-3A

T

J

= 25°C V

DS

=30V, V

GS

=0V

漏源漏牛逼

J

= 70C V

DS

=24V, V

GS

=0V

I

DSS

当前

T

J

= 25°C V

DS

=-30V, V

GS

=0V

T

J

= 70C V

DS

=-24V, V

GS

=0V

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

栅源漏

总栅极电荷

（注3）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

V

GS

=±12V

N沟道

V

DS

=24V, V

GS

=4.5V

I

D

=4A

P沟道

V

DS

=-24V, V

GS

=-4.5V

I

D

=-3A

CH

N

P

N

P

N

范围

分钟。

典型值。

30

-

-30

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.5

-0.5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.03

-0.02

-

-

-

-

-

-

-

-

13

8

-

-

-

-

-

-

9

10

1.6

2

4

3

马克斯。

-

-

-

V / OC

-

40

50

60

70

90

120

-

-

-

-

1

25

-1

-25

±100

±100

15

16

-

-

-

-

单位

V

m

P

N

P

N

P

N

P

N

P

N

P

N

P

N

P

V

S

uA

nA

nC

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1.0版

2005年9月22日

AF9902M

2N和2P沟道增强型功率MOSFET

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

符号

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

导通延迟时间

（注3）

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

测试条件

N沟道

V

DS

=15V, V

GS

=5V

I

D

= 1A ，R

G

=3.3,

R

D

=15

P沟道

V

DS

=-15V, V

GS

=-5V

I

D

= -1A ，R

G

=3.3,

R

D

=15

N沟道

V

GS

=0V, V

DS

=25V

f=1.0MHz

P沟道

V

GS

=0V, V

DS

=-25V

f=1.0MHz

CH

N

P

N

P

N

P

N

P

N

P

N

P

N

P

范围

分钟。

典型值。

-

8

-

8

-

9

-

9

-

17

-

25

-

5

-

14

-

630

-

690

-

140

-

170

-

65

-

75

马克斯。

-

-

-

-

-

-

-

-

1000

1100

-

-

-

-

单位

ns

pF

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

（注3）

反向恢复时间

反向恢复电荷

2

测试条件

I

S

= 1.2A ，V

GS

=0V

I

S

= -1.2A ，V

GS

=0V

N沟道

I

S

= 4A ，V

GS

=0V

dl/dt=100A/s

P沟道

I

S

= -3A ，V

GS

=0V

dl/dt=-100A/s

CH

N

P

N

P

N

P

范围

分钟。

典型值。

-

-

-

-

-

17

-

-

-

25

9

20

马克斯。

1.2

-1.2

-

-

-

-

单位

V

ns

nC

注1 ：

表面FR4电路板的铜垫装上1 ;吨

≤10sec;

安装在最小的时候186C / W 。铜垫。

注2 ：

脉冲宽度有限的最大值。结温

注3 ：

脉冲宽度

＆ LT ;

300US ，占空比

＆ LT ;

2%.

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1.0版

2005年9月22日

AF9902M

2N和2P沟道增强型功率MOSFET

典型性能特性（ N沟道）

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2005年9月22日

AF9902M

2N和2P沟道增强型功率MOSFET

典型性能特性（ N沟道）（续）

易亨电子股份有限公司

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联系人：连

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联系人：刘先生

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