【特点32兆位闪存和4兆位/ 8 - Mbit的PSRAM单66球（8毫米×10毫米× 1.2毫米）】,IC型号AT52BC3221A-70CI,AT52BC3221A-70CI PDF资料,AT52BC3221A-70CI经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

32兆位闪存和4兆位/ 8 - Mbit的PSRAM

单66球（8毫米×10毫米× 1.2毫米） CBGA的封装

2.7V至3.3V工作电压

FL灰

32兆位（ 2M ×16 ）

2.7V至3.3V的读/写

访问时间 - 70纳秒

扇区擦除架构

- 六十三32K字的部门有独立的写锁定

- 八4K字部门有独立的写锁定

快字编程时间 - 15微秒

暂停/恢复功能的擦除和编程

- 支持读取和编程的任何部门，暂停的擦除

不同的行业

- 支持读取任何一个字，暂停的任何其他字编程

低功耗工作

- 12毫安活动

- 13 μA待机

数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束

VPP引脚为写保护和加速编程/擦除操作

RESET输入的设备初始化

部门锁定支持

顶部或底部启动块配置可用

128位注册保护

最少100,000次擦写循环

32兆位闪存+

8 - Mbit的PSRAM

堆栈存储器

AT52BC3221A

AT52BC3221AT

PSRAM

8兆位（ 512K ×16 ）

2.7V至3.3V的V

70 ns访问时间

扩展级温度范围

ISB0 < 10 μA时，深度掉电

初步

设备号

AT52BC3221A

AT52BC3221AT

闪存启动

位置

底部

顶部

闪光飞机

CON组fi guration

32M （ 2M ×16 ）

PSRAM

CON组fi guration

8M （ 512K ×16 ）

修订版3466A - STKD ， 11月4日

引脚配置

引脚名称

A0 - A18, A19 - A20

RESET

RDY / BUSY

VPP

VCC

GND

I / O0 - I / O15

PLB

PUB

PVCC

保护地

PCS1

PWE

POE

功能

通用地址输入为8M PSRAM /闪光，禁止闪光地址输入

闪存芯片使能

闪光输出使能

Flash写使能

闪存复位

闪存就绪/忙输出

闪光灯电源的加速编程/擦除操作

闪光灯电源

地闪

数据输入/输出

无连接

PSRAM低字节

PSRAM高字节

PSRAM电源

PSRAM地

PSRAM片选1

低功耗模式

PSRAM写使能

PSRAM输出使能

CBGA （顶视图）

A20

A16

A11

A15

A10

A14

A13

I/O15

I/O13

I/O12

A19

POE

I/O11

I/O9

A12

GND

I/O7

I/O5

PWE I / O14

I/O6

I/O10

I/O8

GND

I/O4

RDY / BUSY

保护地

RESET

VCC PVCC

I/O2

I/O0

I/O3

I/O1

PCS1

VPP

PUB

A17

PLB

A18

AT52BC3221A(T)

3466A–STKD–11/04

AT52BC3221A(T)

框图

地址

OE WE

POE PWE

RESET

RDY / BUSY

32-Mbit

FL灰

4/8-Mbit

PSRAM

PCS1

数据

描述

该AT52BC3221A （T）的结合了一个32兆位闪存（2M ×16）和一个8兆位PSRAM

（组织为512K ×16 ）的堆叠66球CBGA封装。堆叠模块操作

在2.7V至3.3V的宽温度范围。

绝对最大额定值

偏压下...................................温度-25° C至+ 85°C

存储温度..................................... -55 ° C至+ 150°C

所有输入电压

除V

（包括NC引脚）

相对于地面..............................- 0.2V至V

+0.3V

在V电压

相对于地面..................................- 0.2V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面..............................- 0.2V至V

+0.3V

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间会影响器件的条件

可靠性。

直流和交流工作范围

工作温度（外壳）

电源

-25°C - 85°C

2.7V至3.3V

3466A–STKD–11/04

32-megabit

FL灰内存

描述

32兆位闪存是组织为每个16位字2,097,152 AA 2.7伏内存。

该存储器被分成71扇区擦除操作。该设备具有CE和OE CON-

控制信号，以避免任何总线争用。此设备可被读取或使用重新编程

单电源供电，因此非常适合在系统编程。

在读出模式的设备通电。命令序列用于将器件置于

其他的操作模式，如编程和擦除。该设备具有保护能力

在任何扇区的数据（参见“行业锁定”一节）。

为了增加设备的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序暂停

功能。此功能将把擦除或编程搁置任何的时间，让

用户读取的数据或程序数据的任何内存内的剩余扇区。该

一个程序或擦除周期的结束是由就绪/忙管脚，数据轮询或通过检测

切换位。

VPP引脚提供数据保护。当V

输入低于0.4V时，该程序并

擦除功能被禁止。当V

是在0.9V以上，正常的编程和擦除操作

令可以被执行。

一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式）序列去除的要求

进入三字节的程序序列是提供进一步提高了编程时间。

进入六字节代码后，所需的只是单个脉冲的写控制线

写入到器件中。此模式（单脉冲Word程序）是由断电退出

设备，或通过脉冲RESET引脚为低电平至少500 ns的，然后把它背

到V

。擦除，擦除挂起/恢复和程序挂起/恢复命令不会

时工作在这种模式下;如果输入它们将导致数据被编程到器件中。它

不建议6字节代码驻留在最终产物中，但仅在软件

存在于外部编程代码。

框图

I / O0 - I / O15

产量

卜FF器

输入

卜FF器

产量

多路复用器

A0 - A20

输入

卜FF器

状态

数据

识别码

命令

地址

LATCH

数据

比较

RESET

RDY / BUSY

写状态

机

y解码器

Y型GATING

编程/擦除

高压开关

VPP

VCC

GND

X解码器

主

内存

AT52BC3221A(T)

3466A–STKD–11/04

AT52BC3221A(T)

设备

手术

阅读：

在32兆比特的闪存被访问像一个EPROM 。当CE和OE是低电平

和WE为高电平时，存储在由地址管脚所确定的存储器位置中的数据是

上认定的输出。的输出被置于高阻抗状态时的CE或OE

高。这种双行控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。

命令序列：

当设备首次通电时，它会被复位到读或

待机模式下，根据控制线输入的状态。为了执行其它

设备上功能，一系列命令序列将被输入到该设备。命令

序列示于表中的“十六进制命令定义”一节第12 （I / O 8 - 的I / O15是

不关心输入的命令代码）。命令序列被写入通过应用

在WE或CE输入与CE或WE低脉冲低（分别）和OE高。地址

被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。该数据由锁存

CE或WE的第一个上升沿。标准的微处理器写定时被使用。地址

在命令序列中使用的位置不会受到输入命令

序列。

RESET ：

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当Reset为

一个逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平

停止本装置的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗

状态。当一个高级别重申RESET引脚上，该设备返回到读取或

待机模式下，根据控制输入的状态。

删除：

前一个字可以被重新编程，它必须被擦除。的擦除状态

存储器的位是逻辑“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除要擦除的COM

命令或单个扇区可以通过使用扇区擦除命令被删除。

芯片擦除：

整个装置可一次性使用六字节芯片擦除擦除

软件代码。之后，芯片擦除已启动，该器件将内部时间擦除

操作，从而无需外部时钟是必需的。擦除芯片的最大时间为t

如果扇区锁定已启用，芯片擦除不会擦除扇区的数据

这已被锁定;它会删除只未受保护的行业。芯片擦除后，

设备将返回到读或待机模式。

扇区擦除：

作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成71仲

器（ SA0 - SA70 ），其可以被单独擦除。扇区擦除命令是六总线

循环操作。扇区地址被锁存的第六个周期，而落下WE边缘

在30H数据输入命令锁存WE的上升沿。后扇区擦除开始

第六周期的WE的上升沿。擦除操作是内部控制;它会

自动完成时间。擦除扇区的最大时间为t

美国证券交易委员会

。当节

编程器锁定功能未启用，该部门将擦除（来自同一部门

擦除命令）。擦除已被保护会导致中的操作数的扇区的尝试

ATION立即终止。

WORD编程：

一旦一个存储块被删除时，它被编程（为逻辑“ 0”）的

上一个字逐个字为基础。编程是通过内部寄存器命令来完成稳压

存器和一个4总线周期操作。该装置将自动生成所需的

内部编程脉冲。

在嵌入式编程周期写入到芯片的任何命令都会被忽略。如果

在编程过程中一个硬件复位发生时，在该位置的数据正被编程

将被破坏。请注意，一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有清除

操作可以转换的“0”到“1” 。编程是指定的T完成后，

周期

时间。数据轮询功能或翻转位特征可以被用于指示一个所述端

项目周期。如果擦除/编程状态位是“1”时，设备不能够验证

擦除或成功地进行编程操作。

3466A–STKD–11/04

特点

32兆位闪存和4兆位/ 8 - Mbit的PSRAM

单66球（8毫米×10毫米× 1.2毫米） CBGA的封装

2.7V至3.3V工作电压

FL灰

32兆位（ 2M ×16 ）

2.7V至3.3V的读/写

访问时间 - 70纳秒

扇区擦除架构

- 六十三32K字的部门有独立的写锁定

- 八4K字部门有独立的写锁定

快字编程时间 - 15微秒

暂停/恢复功能的擦除和编程

- 支持读取和编程的任何部门，暂停的擦除

不同的行业

- 支持读取任何一个字，暂停的任何其他字编程

低功耗工作

- 12毫安活动

- 13 μA待机

数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束

VPP引脚为写保护和加速编程/擦除操作

RESET输入的设备初始化

部门锁定支持

顶部或底部启动块配置可用

128位注册保护

最少100,000次擦写循环

32兆位闪存+

8 - Mbit的PSRAM

堆栈存储器

AT52BC3221A

AT52BC3221AT

PSRAM

8兆位（ 512K ×16 ）

2.7V至3.3V的V

70 ns访问时间

扩展级温度范围

ISB0 < 10 μA时，深度掉电

初步

设备号

AT52BC3221A

AT52BC3221AT

闪存启动

位置

底部

顶部

闪光飞机

CON组fi guration

32M （ 2M ×16 ）

PSRAM

CON组fi guration

8M （ 512K ×16 ）

修订版3466A - STKD ， 11月4日

引脚配置

引脚名称

A0 - A18, A19 - A20

RESET

RDY / BUSY

VPP

VCC

GND

I / O0 - I / O15

PLB

PUB

PVCC

保护地

PCS1

PWE

POE

功能

通用地址输入为8M PSRAM /闪光，禁止闪光地址输入

闪存芯片使能

闪光输出使能

Flash写使能

闪存复位

闪存就绪/忙输出

闪光灯电源的加速编程/擦除操作

闪光灯电源

地闪

数据输入/输出

无连接

PSRAM低字节

PSRAM高字节

PSRAM电源

PSRAM地

PSRAM片选1

低功耗模式

PSRAM写使能

PSRAM输出使能

CBGA （顶视图）

A20

A16

A11

A15

A10

A14

A13

I/O15

I/O13

I/O12

A19

POE

I/O11

I/O9

A12

GND

I/O7

I/O5

PWE I / O14

I/O6

I/O10

I/O8

GND

I/O4

RDY / BUSY

保护地

RESET

VCC PVCC

I/O2

I/O0

I/O3

I/O1

PCS1

VPP

PUB

A17

PLB

A18

AT52BC3221A(T)

3466A–STKD–11/04

AT52BC3221A(T)

框图

地址

OE WE

POE PWE

RESET

RDY / BUSY

32-Mbit

FL灰

4/8-Mbit

PSRAM

PCS1

数据

描述

该AT52BC3221A （T）的结合了一个32兆位闪存（2M ×16）和一个8兆位PSRAM

（组织为512K ×16 ）的堆叠66球CBGA封装。堆叠模块操作

在2.7V至3.3V的宽温度范围。

绝对最大额定值

偏压下...................................温度-25° C至+ 85°C

存储温度..................................... -55 ° C至+ 150°C

所有输入电压

除V

（包括NC引脚）

相对于地面..............................- 0.2V至V

+0.3V

在V电压

相对于地面..................................- 0.2V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面..............................- 0.2V至V

+0.3V

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间会影响器件的条件

可靠性。

直流和交流工作范围

工作温度（外壳）

电源

-25°C - 85°C

2.7V至3.3V

3466A–STKD–11/04

32-megabit

FL灰内存

描述

32兆位闪存是组织为每个16位字2,097,152 AA 2.7伏内存。

该存储器被分成71扇区擦除操作。该设备具有CE和OE CON-

控制信号，以避免任何总线争用。此设备可被读取或使用重新编程

单电源供电，因此非常适合在系统编程。

在读出模式的设备通电。命令序列用于将器件置于

其他的操作模式，如编程和擦除。该设备具有保护能力

在任何扇区的数据（参见“行业锁定”一节）。

为了增加设备的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序暂停

功能。此功能将把擦除或编程搁置任何的时间，让

用户读取的数据或程序数据的任何内存内的剩余扇区。该

一个程序或擦除周期的结束是由就绪/忙管脚，数据轮询或通过检测

切换位。

VPP引脚提供数据保护。当V

输入低于0.4V时，该程序并

擦除功能被禁止。当V

是在0.9V以上，正常的编程和擦除操作

令可以被执行。

一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式）序列去除的要求

进入三字节的程序序列是提供进一步提高了编程时间。

进入六字节代码后，所需的只是单个脉冲的写控制线

写入到器件中。此模式（单脉冲Word程序）是由断电退出

设备，或通过脉冲RESET引脚为低电平至少500 ns的，然后把它背

到V

。擦除，擦除挂起/恢复和程序挂起/恢复命令不会

时工作在这种模式下;如果输入它们将导致数据被编程到器件中。它

不建议6字节代码驻留在最终产物中，但仅在软件

存在于外部编程代码。

框图

I / O0 - I / O15

产量

卜FF器

输入

卜FF器

产量

多路复用器

A0 - A20

输入

卜FF器

状态

数据

识别码

命令

地址

LATCH

数据

比较

RESET

RDY / BUSY

写状态

机

y解码器

Y型GATING

编程/擦除

高压开关

VPP

VCC

GND

X解码器

主

内存

AT52BC3221A(T)

3466A–STKD–11/04

AT52BC3221A(T)

设备

手术

阅读：

在32兆比特的闪存被访问像一个EPROM 。当CE和OE是低电平

和WE为高电平时，存储在由地址管脚所确定的存储器位置中的数据是

上认定的输出。的输出被置于高阻抗状态时的CE或OE

高。这种双行控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。

命令序列：

当设备首次通电时，它会被复位到读或

待机模式下，根据控制线输入的状态。为了执行其它

设备上功能，一系列命令序列将被输入到该设备。命令

序列示于表中的“十六进制命令定义”一节第12 （I / O 8 - 的I / O15是

不关心输入的命令代码）。命令序列被写入通过应用

在WE或CE输入与CE或WE低脉冲低（分别）和OE高。地址

被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。该数据由锁存

CE或WE的第一个上升沿。标准的微处理器写定时被使用。地址

在命令序列中使用的位置不会受到输入命令

序列。

RESET ：

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当Reset为

一个逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平

停止本装置的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗

状态。当一个高级别重申RESET引脚上，该设备返回到读取或

待机模式下，根据控制输入的状态。

删除：

前一个字可以被重新编程，它必须被擦除。的擦除状态

存储器的位是逻辑“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除要擦除的COM

命令或单个扇区可以通过使用扇区擦除命令被删除。

芯片擦除：

整个装置可一次性使用六字节芯片擦除擦除

软件代码。之后，芯片擦除已启动，该器件将内部时间擦除

操作，从而无需外部时钟是必需的。擦除芯片的最大时间为t

如果扇区锁定已启用，芯片擦除不会擦除扇区的数据

这已被锁定;它会删除只未受保护的行业。芯片擦除后，

设备将返回到读或待机模式。

扇区擦除：

作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成71仲

器（ SA0 - SA70 ），其可以被单独擦除。扇区擦除命令是六总线

循环操作。扇区地址被锁存的第六个周期，而落下WE边缘

在30H数据输入命令锁存WE的上升沿。后扇区擦除开始

第六周期的WE的上升沿。擦除操作是内部控制;它会

自动完成时间。擦除扇区的最大时间为t

美国证券交易委员会

。当节

编程器锁定功能未启用，该部门将擦除（来自同一部门

擦除命令）。擦除已被保护会导致中的操作数的扇区的尝试

ATION立即终止。

WORD编程：

一旦一个存储块被删除时，它被编程（为逻辑“ 0”）的

上一个字逐个字为基础。编程是通过内部寄存器命令来完成稳压

存器和一个4总线周期操作。该装置将自动生成所需的

内部编程脉冲。

在嵌入式编程周期写入到芯片的任何命令都会被忽略。如果

在编程过程中一个硬件复位发生时，在该位置的数据正被编程

将被破坏。请注意，一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有清除

操作可以转换的“0”到“1” 。编程是指定的T完成后，

周期

时间。数据轮询功能或翻转位特征可以被用于指示一个所述端

项目周期。如果擦除/编程状态位是“1”时，设备不能够验证

擦除或成功地进行编程操作。

3466A–STKD–11/04