AVD400
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI AVD400
是硅NPN电源
晶体管，设计用于高功率和
低占空比DME和敌我识别应用程序。
包装风格.400 2L FLG （ A）
4x .062 x 45°
2xB
A
.040 x 45°
C
F
E
D
G
2xR
H
J
K
P
产品特点：
内部输入/输出匹配网络
P
G
= 6.5分贝400W / 1150兆赫
Omnigold
金属化系统
I
L
N
M
暗淡
A
M IN IM UM
英寸/ M M
M A XIM UM
英寸/ M M
.135 / 3.43
.100 / 2.54
.050 / 1.27
.376 / 9.55
.110 / 2.79
.395 / 10.03
.193 / 4.90
.490 / 12.45
.100 / 2.54
.690 / 17.53
.890 / 22.61
.003 / 0.08
.052 / 1.32
.118 / 3.00
.145 / 3.68
.120 / 3.05
.396 / 10.06
.130 / 3.30
.407 / 10.34
.510 / 12.95
.710 / 18.03
.910 / 23.11
.006 / 0.18
.072 / 1.83
.131 / 3.33
.230 / 5.84
最大额定值
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
22 A
55 V
1458 W @ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65℃ + 200 ℃，
0.12 C / W
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
P
订货编号： ASI10567
特征
符号
BV
CBO
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
η
C
I
C
= 25毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 10毫安
V
CE
= 50 V
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 50 V
P
IN
= 90 W
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
最小典型最大
65
65
3.5
25
单位
V
V
V
mA
---
dB
%
I
C
= 0.25 A
P
OUT
= 400 W
F = 1025年至1150年兆赫
10
6.5
40
200
脉冲宽度= 10微秒，占空比= 1 ％
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本C
1/3
AVD400
错误！未找到引用源。
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本C
2/3
AVD400
错误！未找到引用源。
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本C
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AVD400
NPN硅射频功率晶体管
包装风格.400 2L FLG （ A）
4x .062 x 45°
A
.040 x 45°
C
描述：
该
ASI AVD400
是专为
2xB
E
D
G
F
2xR
H
J
K
P
产品特点：
Omnigold
金属化系统
I
L
N
M
暗淡
A
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.135 / 3.43
.100 / 2.54
.050 / 1.27
.376 / 9.55
.110 / 2.79
.395 / 10.03
.193 / 4.90
.490 / 12.45
.100 / 2.54
.690 / 17.53
.890 / 22.61
.003 / 0.08
.052 / 1.32
.118 / 3.00
.145 / 3.68
.120 / 3.05
最大额定值
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
O
B
C
D
.396 / 10.06
.130 / 3.30
.407 / 10.34
28 A
55 V
1000瓦@ T
C
≤
80 C
O
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
P
.510 / 12.95
.710 / 18.03
.910 / 23.11
.006 / 0.18
.072 / 1.83
.131 / 3.33
.230 / 5.84
-65℃至+ 250
-65℃至+ 200C
0.12 C / W
O
O
O
订货编号： ASI10567
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
η
C
I
C
= 15毫安
I
C
= 50毫安
T
C
= 25 C
O
NONETEST
条件
R
BE
= 10
最小典型最大
65
65
3.5
35
单位
V
V
V
mA
---
dB
%
I
E
= 1.0毫安
V
CE
= 50 V
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 50 V
兆赫
I
C
= 1.0 A
P
OUT
= 400 W
f = 1025 - 1150
15
6.5
40
120
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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