APTM100UM65DAG
单开关
同系列二极管
MOSFET功率模块
SK
S
D
V
DSS
= 1000V
R
DSON
= 65mΩ （典型值） @ TJ = 25°C
I
D
= 145A @ T C = 25°C
应用
零电流开关谐振模式
G
DK
特点
功率MOS 7
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
对于改进的热性能的AlN衬底
好处
突出表现在高频率
手术
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
低调
符合RoHS
DK
S
D
SK
G
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
1–6
APTM100UM65DAG - 版本1
最大额定值
1000
145
110
580
±30
78
3250
30
50
3200
单位
V
A
V
m
W
A
mJ
2006年7月
APTM100UM65DAG
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，
我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
散热器来
安装力矩
对于端子上
包装重量
晶体管
串联二极管
2500
-40
-40
-40
3
2
150
125
100
5
3.5
280
民
典型值
最大
0.038
0.23
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
M6
M5
SP6封装外形
（单位：mm ）
请参阅应用笔记APT0601 - 安装说明书SP6电源模块上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
3–6
APTM100UM65DAG - 版本1
2006年7月
APTM100UM65DAG
R
DS
（上） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
I
D
，漏电流（ A）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
V
GS
，门源电压（ V）
100000
西塞
C，电容（pF ）
10000
14
12
10
8
6
4
2
0
0
300
600
900
1200
1500
2006年7月
在电阻与温度
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
V
GS
=10V
I
D
=72.5A
1000
100s
限于由R
DS
on
100
1ms
10
单脉冲
T
J
=150°C
T
C
=25°C
1
10ms
1
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
栅极电荷VS门源电压
I
D
=145A
T
J
=25°C
V
DS
=200V
V
DS
=500V
V
DS
=800V
科斯
1000
CRSS
100
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（ V）
栅极电荷（ NC）
www.Microsemi.com
5–6
APTM100UM65DAG - 版本1
APTM100UM65DAG
单开关
同系列二极管
MOSFET功率模块
V
DSS
= 1000V
R
DSON
= 65mΩ （典型值） @ TJ = 25°C
I
D
= 145A @ T C = 25°C
应用
零电流开关谐振模式
特点
功率MOS 7
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
对于改进的热性能的AlN衬底
好处
突出表现在高频率
手术
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
低调
符合RoHS
S
D
SK
G
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
最大额定值
1000
145
110
580
±30
78
3250
30
50
3200
单位
V
A
V
mΩ
W
A
mJ
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
1–6
APTM100UM65DAG - 第2版
2008年6月，
APTM100UM65DAG
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，
我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
散热器来
安装力矩
对于端子上
包装重量
晶体管
串联二极管
2500
-40
-40
-40
3
2
150
125
100
5
3.5
280
民
典型值
最大
0.038
0.23
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
M6
M5
SP6封装外形
（单位：mm ）
www.Microsemi.com
3–6
APTM100UM65DAG - 第2版
请参阅应用笔记APT0601 - 安装说明书SP6电源模块上www.microsemi.com
2008年6月，
APTM100UM65DAG
R
DS
（上） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
在电阻与温度
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
1000
100s
V
GS
=10V
I
D
=72.5A
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
I
D
，漏电流（ A）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
V
GS
，门源电压（ V）
100000
西塞
C，电容（pF ）
10000
14
12
10
8
6
4
2
0
0
限于由R
DS
on
100
1ms
10
单脉冲
T
J
=150°C
T
C
=25°C
1
10ms
1
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
栅极电荷VS门源电压
I
D
=145A
T
J
=25°C
V
DS
=200V
V
DS
=500V
V
DS
=800V
科斯
1000
CRSS
100
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（ V）
300
600
900
1200
1500
2008年6月，
栅极电荷（ NC）
www.Microsemi.com
5–6
APTM100UM65DAG - 第2版
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