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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1224页 > AUIRGS4062D1
汽车级
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
低V
CE (上)
沟道IGBT技术
低开关损耗
5μs的短路安全
广场RBSOA
各部分的100 %测试我
LM
正V
CE (上)
温度COEF网络cient 。
超快速软恢复合作-PAK二极管
参数的分布更为紧密
无铅,符合RoHS
汽车合格*
AUIRGB4062D1
AUIRGS4062D1
AUIRGSL4062D1
C
V
CES
= 600V
I
C(标称)
= 24A
G
E
t
SC
为5μs ,T
J(下最大)
= 175°C
N沟道
C
C
V
CE (ON)的
(典型值) 。 = 1.57V
C
好处
高效率,广泛的应用范围
适用于开关频率引起了广泛的
低V
CE (上)
和低开关损耗
为提高可靠性坚固的瞬态性能
优良的电流共享并联运行
低EMI
应用
空调压缩机
E
C
G
TO-220AB
AUIRGB4062D1
E
G
D
2
PAK
AUIRGS4062D1
TO-262
E
C
G
AUIRGSL4062D1
订购信息
基本零件编号
AUIRGB4062D1
AUIRGSL4062D1
AUIRGS4062D1
套餐类型
TO-220
TO-262
D2Pak
标准包装
形式
磁带和卷轴左
磁带和卷轴权
G
QUANTITY
50
50
50
800
800
C
集热器
E
辐射源
完整型号
AUIRGB4062D1
AUIRGSL4062D1
AUIRGS4062D1
AUIRGS4062D1TRL
AUIRGS4062D1TRR
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只;和功能
该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件,操作不implied.Exposure绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。热电阻和功率耗散额定值是根据董事会测量和安装
静止空气条件。环境温度(T
A
)是25℃ ,除非另有说明
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
公称
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 25°C
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
额定电流
脉冲集电极电流,V
GE
= 15V
钳位感性负载电流,V
GE
= 20V
二极管连续正向电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短暂的门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒。 ( 1.6毫米的情况下)
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
马克斯。
600
59
39
24
72
96
59
39
96
±20
±30
246
123
-55到+175
300
10磅在( 1.1N m)的
分钟。
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.50
62
马克斯。
0.61
1.2
–––
–––
° C / W
单位
V
W
A
单位
V
c
d
连续的门极 - 发射极电压
°C
热阻
R
θJC
(IGBT)
R
θJC
(二极管)
R
θCS
R
θJA
参数
热阻结到外壳( IGBT )
e
热阻结到外壳(二极管)
e
热电阻,凯斯到水槽(平,润滑表面)
热阻,结到环境
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
1
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2013国际整流器
2013年5月2日
AUIRGB/S/SL4062D1
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) CES
ΔV
( BR ) CES
/ΔT
J
V
CE (ON)的
V
GE (日)
ΔV
GE (日)
/ ΔTJ
GFE
I
CES
V
FM
集电极 - 发射极击穿电压
温度COEFF 。击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
阈值电压温度。系数
正向跨导
集电极 - 发射极漏电流
二极管的正向压降
分钟。
600
4.0
典型值。
0.3
1.57
1.87
1.94
-17
12
1.0
3.5
1.57
1.40
1.47
MAX 。单位
1.77
6.5
25
±100
nA
V
V
S
μA
mA
V
V
条件
V
GE
= 0V时,我
C
= 100μA
e
V /°C, V
GE
= 0V时,我
C
= 10毫安( 25 ° C- 175 ° C)
I
C
= 24A ,V
GE
= 15V ,T
J
= 25°C
I
C
= 24A ,V
GE
= 15V ,T
J
= 150°C
I
C
= 24A ,V
GE
= 15V ,T
J
= 175°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 700μA
V
CE
= 50V ,我
C
= 24A , PW = 20μs的
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ,T
J
= 175°C
I
F
= 24A
I
F
= 19A
I
F
= 24A ,T
J
= 175°C
V
GE
= ±20V
毫伏/°C, V
CE
= V
GE
, I
C
= 1.0毫安(25℃ - 175 ℃)下
I
GES
门极 - 发射极漏电流
开关特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
Q
g
Q
ge
Q
gc
E
on
E
关闭
E
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
RBSOA
SCSOA
EREC
t
rr
I
rr
总栅极电荷(导通)
门极 - 发射极电荷(导通)
栅极 - 集电极费(导通)
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
反向偏置安全工作区
短路安全工作区
二极管的反向恢复能量
二极管的反向恢复时间
峰值反向恢复电流
分钟。
典型值。
51
14
21
532
311
843
19
24
90
23
726
549
1275
12
23
92
84
1487
118
44
MAX 。单位
77
21
32
754
526
1280
36
41
109
40
pF
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
F = 1.0MHz的
T
J
= 175 ° C,I
C
= 96A
V
CC
= 480V ,副总裁
600V
ns
μJ
ns
μJ
nC
I
C
= 24A
V
GE
= 15V
V
CC
= 400V
条件
I
C
= 24A ,V
CC
= 400V, V
GE
= 15V
R
G
= 10Ω , L = 210μH ,T
J
= 25°C
能量损失包括尾&二极管的反向恢复
I
C
= 24A ,V
CC
= 400V, V
GE
= 15V
R
G
= 10Ω , L = 210μH ,T
J
= 25°C
I
C
= 24A ,V
CC
= 400V, V
GE
=15V
R
G
= 10Ω , L = 210μH ,T
J
= 175°C
e
能量损失包括尾&二极管的反向恢复
I
C
= 24A ,V
CC
= 400V, V
GE
= 15V
R
G
= 10Ω ,L = 200μH ,L-
S
= 150nH
T
J
= 175°C
完整的正方形
RG = 10Ω ,V
GE
= + 20V至0V
5
773
102
32
μs
μJ
ns
A
V
CC
= 400V ,副总裁
600V
RG = 10Ω ,V
GE
= + 15V至0V
T
J
= 175°C
V
CC
= 400V ,我
F
= 24A
V
GE
= 15V中,R 9 = 10Ω ,L = 210μH
注意事项:
V
CC
= 80% (V
CES
), V
GE
= 20V , L = 210μH ,R
G
= 50Ω.
脉冲宽度有限的最大。结温。
R
θ
测定在T
J
大约90 ℃。
最大的限制是基于统计样本大小的表征。
2
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2013国际整流器
2013年5月2日
AUIRGB/S/SL4062D1
70
60
50
300
250
200
IC ( A)
40
30
20
10
0
25
50
75
100
T C ( ° C)
125
150
175
P合计(W)的
150
100
50
0
25
50
75
100
T C ( ° C)
125
150
175
图。 1
- 最大直流电集电极电流与
外壳温度
100
10μsec
100μsec
10
IC ( A)
IC ( A)
图。 2
- 功耗与案例
温度
1000
100
1msec
DC
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
VCE ( V)
10
1
100
1000
10
100
VCE ( V)
1000
图。 3
- 正向SOA
T
C
= 25 ° C,T
J
175 ℃; V
GE
=15V
100
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 11V
VGE = 10V
VGE = 9.0V
VGE = 8.0V
VGE = 7.0V
图。 4
- 反向偏置SOA
T
J
= 175℃ ; V
GE
= 20V
100
90
80
70
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 11V
VGE = 10V
VGE = 9.0V
VGE = 8.0V
VGE = 7.0V
80
ICE ( A)
ICE ( A)
60
60
50
40
30
40
20
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0
2
4
6
8
10
VCE ( V)
VCE ( V)
图。五
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= -40°C ; TP = 20μS
3
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2013国际整流器
图。 6
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 25°C ; TP = 20μS
2013年5月2日
AUIRGB/S/SL4062D1
100
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 11V
VGE = 10V
VGE = 9.0V
VGE = 8.0V
VGE = 7.0V
100
80
80
T J = -40°C
ICE ( A)
60
60
T J = 175℃
T J = 25°C
40
如果( A)
40
20
0
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.0
0.5
1.0
1.5
VF ( V)
2.0
2.5
3.0
VCE ( V)
图。 7
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 175℃ ; TP = 20μS
8
图。 8
- 典型。二极管的正向特性
TP = 20μS
8
6
ICE = 12A
4
ICE = 24A
ICE = 48A
6
ICE = 12A
ICE = 24A
ICE = 48A
2
VCE ( V)
VCE ( V)
4
2
0
5
10
VGE ( V)
15
20
0
5
10
VGE ( V)
15
20
图。 9
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= -40°C
8
IC ,集电极 - 发射极电流(A )
图。 10
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 25°C
100
T J = 25°C
T J = 175℃
6
VCE ( V)
ICE = 12A
ICE = 24A
ICE = 48A
80
60
4
40
2
20
0
5
10
VGE ( V)
15
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VGE ,门极 - 发射极电压(V )
图。 11
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 175°C
图。 12
- 典型。传输特性
V
CE
= 50V ; TP = 20μS
4
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2013年5月2日
AUIRGB/S/SL4062D1
2500
1000
2000
Swiching时间(纳秒)
tdoff
能量( μJ )
1500
100
tF
tR
10
Tdon
1000
EOFF
500
0
0
10
20
IC ( A)
30
40
50
1
0
10
20
IC ( A)
30
40
50
图。 13
- 典型。能量损失与我
C
T
J
= 175℃ ; L = 210μH ; V
CE
= 400V ,R
G
= 10Ω; V
GE
= 15V
2000
图。 14
- 典型。开关时间与我
C
T
J
= 175℃ ; L = 210μH ; V
CE
= 400V ,R
G
= 10Ω; V
GE
= 15V
1000
1600
Swiching时间(纳秒)
100
tR
10
tdoff
tF
能量( μJ )
1200
EOFF
800
Tdon
400
0
0
20
40
60
RG (
Ω
)
80
100
120
1
0
20
40
60
80
100
RG( Ω )
图。 15
- 典型。能量损失与
G
T
J
= 175℃ ; L = 210μH ; V
CE
= 400V ,我
CE
= 24A ; V
GE
= 15V
35
30
25
IRR ( A)
图。 16
- 典型。开关时间与
G
T
J
= 175℃ ; L = 210μH ; V
CE
= 400V ,我
CE
= 24A ; V
GE
= 15V
35
RG = 10Ω
30
20
RG = 47
15
RG = 100Ω
10
5
10
15
20
25
30
如果( A)
35
40
45
50
IRR ( A)
RG = 22
25
20
15
10
0
20
40
60
80
100
RG( Ω )
图。 17
- 典型。二极管我
RR
与我
F
T
J
= 175°C
图。 18
- 典型。二极管我
RR
G
T
J
= 175°C
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
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电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
AUIRGS4062D1
infineon
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355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
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电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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AUIRGS4062D1
Infineon
2025+
26820
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【原装优势★★★绝对有货】
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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International Rectifier
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22000
-
原装正品假一赔百!
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电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
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AUIRGS4062D1
INFINEON
2022
345860
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电话:0755-82574045
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地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
AUIRGS4062D1
英飞凌
21+22+
62710
TO-247
原装正品
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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英飞凌
20+
200
TO-247
原装正品,支持实单
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电话:755-23914055
联系人:郭
地址:深圳市福田区华强广场C座24I
AUIRGS4062D1
英飞凌
20+
1850
TO-247
全新原装 一站式配单
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
AUIRGS4062D1
Infineon Technologies
21+
12540
SMD
全新原装正品/质量有保证
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电话:021-51097965
联系人:杨全兴
地址:松江区石湖荡镇松蒸公路2183号22幢-19
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英飞凌
20+
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