汽车级
AUIRFR540Z
AUIRFU540Z
HEXFET
功率MOSFET
D
D
S
S
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
100V
22.5m
28.5m
35A
G
S
G
D
G
D- PAK
IRFR540ZPbF
I- PAK
IRFU540ZPbF
应用
l
自动电压调节器（ AVR ）
l
电磁阀注入
l
车身控制
l
低功耗
汽车应用
G
门
D
漏
S
来源
基本零件编号
AUIRFR540Z
套餐类型
DPAK
AUIRFU540Z
IPAK
标准包装
形式
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴左
磁带和卷轴权
管
订购型号
QUANTITY
75
2000
3000
3000
75
AUIRFR540Z
AUIRFR540ZTR
AUIRFR540ZTRL
AUIRFR540ZTRR
AUIRFU540Z
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只;和
该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。置身于absolute-
长时间最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。热敏电阻和功率耗散额定值下测
电路板安装和静止空气条件。环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS （测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
h
d
g
马克斯。
35
25
140
91
0.61
± 20
39
75
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
工作结
存储温度范围
回流焊温度，持续10秒
300
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
j
参数
j
ij
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.64
40
110
单位
° C / W
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
1
www.irf.com
2012国际整流器
2012年7月18日
AUIRFR/U540Z
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
分钟。
典型值。
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
100
–––
–––
0.092
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
–––
22.5
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
2.0
–––
政府飞行服务队
正向跨导
28
–––
漏极至源极漏电流
–––
–––
I
DSS
–––
–––
栅 - 源正向漏
–––
–––
I
GSS
栅 - 源反向漏
–––
–––
总栅极电荷
–––
39
Q
g
栅极 - 源极充电
–––
11
Q
gs
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
–––
12
Q
gd
t
D（上）
导通延迟时间
–––
14
上升时间
–––
42
t
r
打开-O FF延迟时间
–––
43
t
D（关闭）
下降时间
–––
34
t
f
内部排水电感
–––
4.5
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.5
1690
180
100
720
110
190
马克斯。
–––
–––
28.5
4.0
–––
20
250
200
-200
59
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
单位
条件
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 21A
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50μA
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 21A
μA
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 21A
nC
V
DS
= 50V
V
GS
= 10V
V
DD
= 50V
I
D
= 21A
ns
R
G
= 13
V
GS
= 10V
D
铅之间，
nH
6毫米（0.25英寸）。
G
从包
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
pF
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
e
e
e
f
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
连续源电流
（体二极管）
I
SM
脉冲源电流
（体二极管）
V
SD
二极管的正向电压
t
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
Q
rr
向前开启时间
t
on
条件
MOSFET符号
展示
A
–––
–––
140
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 21A ，V
GS
= 0V
–––
–––
1.3
V
–––
32
48
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 21A ，V
DD
= 50V
–––
40
60
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
分钟。
–––
典型值。
–––
马克斯。
35
单位
e
e
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.17mH
R
G
= 25, I
AS
= 21A ，V
GS
= 10V 。不属于
推荐使用高于此值。
脉冲宽度
1.0ms的;占空比
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复
雪崩性能。
从样品失效人口这个值来决定。 100 ％
测试，在生产该值。
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
R
测定在T
J
约90℃的
2
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2012国际整流器
2012年7月18日
AUIRFR/U540Z
40
2.5
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID = 21A
2.0
VGS = 10V
ID ，漏电流（ A）
30
20
1.5
10
1.0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TC ， CaseTemperature （ ° C）
TJ ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
10
热响应（Z thJC ）
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
J
R
1
R
1
J
1
2
R
2
R
2
R
3
R
3
3
C
3
1
2
RI（ ° C / W）
i
（秒）
2.626
0.000052
0.6611 0.001297
0.7154
0.01832
0.01
CI-
iRi
次iRi
单脉冲
（热反应）
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
5
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2012国际整流器
2012年7月18日
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