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Am29SL160C
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持"Am"和"MBM"开始现有的部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
21635
调整
C
修订
+3
发行日期
2004年11月1日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
这页有意留为空白。
2
Am29SL160C
2004年11月1日
Am29SL160C
16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位)
CMOS 1.8伏只超低电压闪存
特色鲜明
架构优势
安全硅( SecSi )部门: 256字节扇区
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;
通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂数据保护
客户可锁定:
客户可自行编程
自定义数据。一旦被锁定,数据不能被改变
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
封装选项
- 48球FBGA
- 48引脚TSOP
顶部或底部启动块
在0.32微米制程技术制造的
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件与单加电兼容
供应闪存标准
软件特点
支持通用闪存接口( CFI )
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,使编程
同一家银行
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读阵列数据
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能可保护2
最外层的引导扇区,无论部门保护状态,
- 加速度( ACC )功能,加速项目
定时
扇区保护
- 硬件锁定的扇区的方法,无论是IN-
系统或使用编程设备,以防止
该部门内的任何编程或擦除操作
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
性能特点
高性能
- 存取时间快90纳秒
- 计划时间: 8微秒/字典型的使用加速
超低功耗(典型值)
- 1 mA的1 MHz有源读取电流
- 5毫安在5 MHz有源读取电流
- 1 μA待机或自动睡眠模式
按最低保证百万次擦写
扇形
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品的规格,本数据资料
在随后的版本或修改由于改变技术规范进行修订。
出版#
21635
启:
C
Amendment/+3
发行日期:
2004年11月1日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
概述
该Am29SL160C是16兆, 1.8 V电压,仅限于Flash
内存组织为2,097,152字节或1,048,576
话。这些数据显示在DQ0 - DQ15 。该装置是
采用48引脚TSOP和48球FBGA封装。
字级数据( X16 )出现在DQ15 - DQ0 ;该
字节宽的(x8 )数据显示在DQ7 - DQ0 。该装置是
设计用来编程和擦除的在系统用
单1.8伏V
CC
供应量。无V
PP
需要计划
或擦除操作。该设备还可以被编程
在标准EPROM编程器。
该标准的设备提供了90,100次访问,
120 ,或150毫微秒,允许微处理器操作
无需等待。为了消除总线争用的
设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单1.8伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的一个内部算法automati-
美云preprograms阵列(如果它已不
编程)执行擦除操作之前。
在擦除,擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
编程或擦除周期后,
完成后,该装置已准备好读取阵列数据或
接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门的亲
tection
功能禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
内存。这是在系统内或通过编程来实现
明装。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统的微处理器,以
读从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址是稳定在指定的时间量,则
器件进入
自动休眠模式。
该系统
还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗在这两种模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
4
Am29SL160C
2004年11月1日
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊处理的说明FBGA封装.................. 8
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1. Am29SL160C设备总线操作............................. 11
图4.擦除操作............................................. ................. 27
命令定义................................................ ............. 28
表12. Am29SL160C命令定义............................. 28
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 29
图5.数据#轮询算法........................................... ....... 29
字/字节配置.............................................. .......... 11
对于读阵列数据要求................................... 11
写命令/命令序列............................ 12
加快程序运行............................................. 12
编程和擦除操作状态.................................... 12
待机模式................................................ ........................ 12
自动休眠模式............................................... ............ 12
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 12
输出禁止模式............................................... ............... 13
表2. Am29SL160CT热门引导扇区结构.................. 14
表3. Am29SL160CB底部引导扇区结构............. 15
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 30
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 30
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 30
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 30
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 31
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 31
图6.切换位算法............................................ ............ 31
表13.写操作状态............................................ ....... 32
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
图7.最大负过冲波形...................... 33
图8.最大正过冲波形........................ 33
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动
休眠电流) .............................. ............................... 35
图10.典型I
CC1
与频率............................................ 35
自选模式................................................ ..................... 16
表4. Am29SL160C自动选择代码(高压法) ..16
部门/部门块保护和unprotection的.................. 17
表5.前引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ............... 17
表6.底部引导扇区/扇区块
为保护/ unprotection的........................................... 17地址
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图11.测试设置............................................. ........................ 36
表14.测试规范............................................. ............ 36
图12.输入波形和测量水平................. 36
写保护( WP # ) ............................................ .................... 18
临时机构撤消............................................... ... 18
图1.在系统部门保护/撤消算法.............. 19
图2.临时机构撤消操作........................... 20
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
读操作................................................ .................... 37
图13.读操作时序............................................ 37
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 38
图14. RESET #时序............................................ .............. 38
安全硅( SecSi )部门闪存区.......... 20
表7. SecSi扇区地址............................................ ....... 20
字/字节配置( BYTE # ) ........................................ 39
图15. BYTE #时序进行读操作............................ 39
图16. BYTE #时序写操作............................ 39
硬件数据保护............................................... ....... 20
低V
CC
写禁止................................................ .............. 20
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 20
逻辑禁止................................................ .......................... 20
上电写禁止............................................. ............... 20
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 21
表8. CFI查询标识字符串.......................................... 21
表9.系统接口字符串............................................ ......... 22
表10.设备几何定义............................................ 22
表11.主要供应商特定的扩展查询...................... 23
擦除/编程操作.............................................. ....... 40
图17.程序操作时序..........................................
图18.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图20.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图21. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
图22.临时机构撤消时序图..............
图23.加速程序时序图..........................
图24.部门保护/撤消时序图....................
图25.备用CE #控制的写操作时序......
41
42
43
43
44
44
45
45
47
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
读阵列数据............................................... ................. 23
复位命令................................................ ..................... 23
自选命令序列............................................ 24
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 24
字/字节编程命令序列............................. 24
解锁绕道命令序列..................................... 24
图3.程序操作............................................. ............. 25
芯片擦除命令序列........................................... 26
扇区擦除命令序列........................................ 26
擦除暂停/删除恢复命令........................... 26
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 48
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
TSOP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
物理尺寸* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
TS 048-48针标准TSOP .......................................... .. 49
FBC048-48球细间距球栅阵列( FBGA )
8 ×9 mm封装............................................. ..................... 50
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51
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数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持"Am"和"MBM"开始现有的部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
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调整
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Am29SL160C
16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位)
CMOS 1.8伏只超低电压闪存
特色鲜明
架构优势
安全硅( SecSi )部门: 256字节扇区
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;
通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂数据保护
客户可锁定:
客户可自行编程
自定义数据。一旦被锁定,数据不能被改变
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
封装选项
- 48球FBGA
- 48引脚TSOP
顶部或底部启动块
在0.32微米制程技术制造的
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件与单加电兼容
供应闪存标准
软件特点
支持通用闪存接口( CFI )
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,使编程
同一家银行
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读阵列数据
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能可保护2
最外层的引导扇区,无论部门保护状态,
- 加速度( ACC )功能,加速项目
定时
扇区保护
- 硬件锁定的扇区的方法,无论是IN-
系统或使用编程设备,以防止
该部门内的任何编程或擦除操作
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
性能特点
高性能
- 存取时间快90纳秒
- 计划时间: 8微秒/字典型的使用加速
超低功耗(典型值)
- 1 mA的1 MHz有源读取电流
- 5毫安在5 MHz有源读取电流
- 1 μA待机或自动睡眠模式
按最低保证百万次擦写
扇形
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品的规格,本数据资料
在随后的版本或修改由于改变技术规范进行修订。
出版#
21635
启:
C
Amendment/+3
发行日期:
2004年11月1日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
概述
该Am29SL160C是16兆, 1.8 V电压,仅限于Flash
内存组织为2,097,152字节或1,048,576
话。这些数据显示在DQ0 - DQ15 。该装置是
采用48引脚TSOP和48球FBGA封装。
字级数据( X16 )出现在DQ15 - DQ0 ;该
字节宽的(x8 )数据显示在DQ7 - DQ0 。该装置是
设计用来编程和擦除的在系统用
单1.8伏V
CC
供应量。无V
PP
需要计划
或擦除操作。该设备还可以被编程
在标准EPROM编程器。
该标准的设备提供了90,100次访问,
120 ,或150毫微秒,允许微处理器操作
无需等待。为了消除总线争用的
设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单1.8伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的一个内部算法automati-
美云preprograms阵列(如果它已不
编程)执行擦除操作之前。
在擦除,擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
编程或擦除周期后,
完成后,该装置已准备好读取阵列数据或
接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门的亲
tection
功能禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
内存。这是在系统内或通过编程来实现
明装。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统的微处理器,以
读从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址是稳定在指定的时间量,则
器件进入
自动休眠模式。
该系统
还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗在这两种模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
4
Am29SL160C
2004年11月1日
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊处理的说明FBGA封装.................. 8
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1. Am29SL160C设备总线操作............................. 11
图4.擦除操作............................................. ................. 27
命令定义................................................ ............. 28
表12. Am29SL160C命令定义............................. 28
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 29
图5.数据#轮询算法........................................... ....... 29
字/字节配置.............................................. .......... 11
对于读阵列数据要求................................... 11
写命令/命令序列............................ 12
加快程序运行............................................. 12
编程和擦除操作状态.................................... 12
待机模式................................................ ........................ 12
自动休眠模式............................................... ............ 12
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 12
输出禁止模式............................................... ............... 13
表2. Am29SL160CT热门引导扇区结构.................. 14
表3. Am29SL160CB底部引导扇区结构............. 15
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 30
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 30
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 30
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 30
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 31
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 31
图6.切换位算法............................................ ............ 31
表13.写操作状态............................................ ....... 32
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
图7.最大负过冲波形...................... 33
图8.最大正过冲波形........................ 33
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动
休眠电流) .............................. ............................... 35
图10.典型I
CC1
与频率............................................ 35
自选模式................................................ ..................... 16
表4. Am29SL160C自动选择代码(高压法) ..16
部门/部门块保护和unprotection的.................. 17
表5.前引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ............... 17
表6.底部引导扇区/扇区块
为保护/ unprotection的........................................... 17地址
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图11.测试设置............................................. ........................ 36
表14.测试规范............................................. ............ 36
图12.输入波形和测量水平................. 36
写保护( WP # ) ............................................ .................... 18
临时机构撤消............................................... ... 18
图1.在系统部门保护/撤消算法.............. 19
图2.临时机构撤消操作........................... 20
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
读操作................................................ .................... 37
图13.读操作时序............................................ 37
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 38
图14. RESET #时序............................................ .............. 38
安全硅( SecSi )部门闪存区.......... 20
表7. SecSi扇区地址............................................ ....... 20
字/字节配置( BYTE # ) ........................................ 39
图15. BYTE #时序进行读操作............................ 39
图16. BYTE #时序写操作............................ 39
硬件数据保护............................................... ....... 20
低V
CC
写禁止................................................ .............. 20
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 20
逻辑禁止................................................ .......................... 20
上电写禁止............................................. ............... 20
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 21
表8. CFI查询标识字符串.......................................... 21
表9.系统接口字符串............................................ ......... 22
表10.设备几何定义............................................ 22
表11.主要供应商特定的扩展查询...................... 23
擦除/编程操作.............................................. ....... 40
图17.程序操作时序..........................................
图18.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图20.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图21. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
图22.临时机构撤消时序图..............
图23.加速程序时序图..........................
图24.部门保护/撤消时序图....................
图25.备用CE #控制的写操作时序......
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45
45
47
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
读阵列数据............................................... ................. 23
复位命令................................................ ..................... 23
自选命令序列............................................ 24
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 24
字/字节编程命令序列............................. 24
解锁绕道命令序列..................................... 24
图3.程序操作............................................. ............. 25
芯片擦除命令序列........................................... 26
扇区擦除命令序列........................................ 26
擦除暂停/删除恢复命令........................... 26
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 48
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
TSOP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
物理尺寸* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
TS 048-48针标准TSOP .......................................... .. 49
FBC048-48球细间距球栅阵列( FBGA )
8 ×9 mm封装............................................. ..................... 50
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51
2004年11月1日
Am29SL160C
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