汽车级
PD - 96325
特点
l
l
l
l
l
l
l
l
HEXFET
功率MOSFET
D
AUIRFB4610
AUIRFS4610
100V
11m
:
14m
:
73A
先进的工艺技术
超低导通电阻
增强的dv / dt和di / dt的能力
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
G
S
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
D
描述
专为汽车应用，这HEXFET
功率MOSFET采用最新的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。的附加功能
这样的设计是175 ° C的结温工作，快
开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些
特点相结合，使这个设计非常高效，
在汽车应用中使用，各种装置的可靠性
的其他应用程序。
D
G
D
S
G
D
S
TO-220AB
AUIRFB4610
D
2
PAK
AUIRFS4610
G
D
S
门
绝对最大额定值
漏
来源
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只;和
该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件的功能操作不implied.Exposure
到absolute-
长时间最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。热敏电阻和功率耗散额定值下测
电路板安装和静止空气条件。环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
73
52
290
190
1.3
± 20
370
参见图。 14，15， 16A，16B，
7.6
-55 + 175
300
10lbf在（ 1.1N M）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
f
d
e
x
x
热阻
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
外壳到散热器，平板油脂润滑表面， TO- 220
结到环境， TO- 220
结到环境（ PCB安装） ，D
2
PAK
j
参数
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
0.77
–––
62
40
单位
° C / W
i
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
07/20/10
AUIRF/B/S4610
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
R
G
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
门输入电阻
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
100
–––
–––
2.0
73
–––
–––
–––
–––
–––
––– –––
0.085 –––
11
14
–––
4.0
––– –––
1.5
–––
–––
20
––– 250
––– 200
––– -200
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 44A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
s V
DS
= 50V ，我
D
= 44A
F = 1MHz时，漏极开路
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
nA
V
GS
= -20V
f
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
有效的输出电容（能源相关） ---
–––
有效的输出电容（时间相关）
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
90
20
36
18
87
53
70
3550
260
150
330
380
140
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
条件
I
D
= 44A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
V
DD
= 65V
I
D
= 44A
R
G
= 5.6
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的，见图。五
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
f
f
ns
pF
h
，参见图11
g
D
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
73
A
290
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
p-n结二极管。
––– –––
1.3
V T，
J
= 25 ° C，I
S
= 44A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
V
R
= 85V,
–––
35
53
ns
T
J
= 125°C
I
F
= 44A
–––
42
63
的di / dt = 100A / μs的
T
J
= 25°C
–––
44
66
nC
T
J
= 125°C
–––
65
98
–––
2.1
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
f
f
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.39mH
R
G
= 25, I
AS
= 44A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
≤
44A ， di / dt的
≤
660A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。对于RECOM
谁料足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
约90℃的
2
www.irf.com
AUIRF/B/S4610
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
评论：
通过这部分号码
汽车的资格。 IR的工业和
消费类资质等级授予
延长汽车更高水平。
TO-220AB
PAK
2
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
带电器件
模型
符合RoHS
不适用
MSL1
M4级（ 400V ）
（每AEC- Q101-002 ）
类H1C （ 2000V ）
（每AEC- Q101-001 ）
C3级（ 750V ）
（每AEC- Q101-005 ）
是的
ESD
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。
www.irf.com
3
AUIRF/B/S4610
1000
顶部
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
顶部
底部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
100
10
4.5V
4.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
10
0.1
1
10
100
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000.0
图2 。
典型的输出特性
3.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
100.0
2.5
ID = 73A
VGS = 10V
TJ = 175℃
10.0
2.0
1.5
1.0
TJ = 25°C
VDS = 25V
≤
在60μs脉冲宽度
1.0
0.1
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
6000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
4000
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
20
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 44A
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
5000
16
C，电容（pF ）
西塞
12
3000
8
2000
4
1000
科斯
CRSS
1
10
100
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
4
www.irf.com
AUIRF/B/S4610
1000.0
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100sec
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100.0
TJ = 175℃
100
10.0
10
1msec
10msec
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
TJ = 25°C
1.0
1
VGS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
DC
10
100
1000
0.1
1
VSD ，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
80
图8 。
最大安全工作区
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压
125
ID ，漏电流（ A）
60
120
115
40
110
20
105
0
25
50
75
100
125
150
175
100
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ ，结温（ ° C）
TJ ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
2.0
图10 。
漏极至源极击穿电压
1600
1.5
1200
I D
顶部
4.6A
6.3A
底部
44A
能量（ μJ ）
1.0
800
0.5
400
0.0
0
20
40
60
80
100
0
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始TJ ，结温（ ° C）
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
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5
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