【特点单电压读/写操作： 2.7V至3.6V （ BV ）， 3.0V至3.6V （ LV ）快速读】,IC型号AT49BV4096A-90TI,AT49BV4096A-90TI PDF资料,AT49BV4096A-90TI经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单电压读/写操作： 2.7V至3.6V （ BV ）， 3.0V至3.6V （ LV ）

快速读取访问时间 - 70纳秒

内部擦除/编程控制

部门架构

- 一个8K字（ 16K字节）的引导与编程锁定座

- 两个4K字（ 8K字节）参数块

- 一个240K字（ 480K字节）主存储器阵列块

快速扇区擦除时间 - 10秒

逐字节或字的字编程 - 30 μs的典型

硬件数据保护

对检测程序结束数据轮询

低功耗

- 25毫安工作电流

- 50 μA CMOS待机电流

典型万次擦写循环

描述

该AT49BV / LV4096A是组织为524,288 3伏， 4兆闪存

字的每个字节8位或每16位256K字。爱特梅尔的制造

先进的非易失性CMOS技术，该器件具有存取时间为70 ns的用

仅67毫伏，在2.7V的功耗读取。取消选中时， CMOS待机

电流小于50微安。

该器件包含一个用户启用“引导块”保护功能。该

AT49BV / LV4096A座落于最低阶地址的引导块（ “底部启动”）。

为了让简单的系统内可再编程，在AT49BV / LV4096A不

需要高输入电压进行编程。读数据从器件中是类似

从一个EPROM读取;它有标准的CE ， OE和WE的投入，以避免公交车CON-

张力。重新编程的AT49BV / LV4096A是首先擦除的块进行

数据，然后编程一个字节由字节或字的字的基础。

4-megabit

（ 512K ×8 /

256K ×16）个

单2.7伏

电池电压

FL灰内存

AT49BV4096A

AT49LV4096A

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A17

RESET

VPP

I / O0 - I / O15

I/O15(A-1)

字节

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

RESET

VPP可以悬空或连接到VCC ， GND ， 5V或

12V 。输入对装置的操作没有任何影响。

数据输入/输出

I / O15 （数据输入/输出，字模式）

A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）

选择字节或字模式

无连接

牧师1618D - 10月1日

AT49BV / LV4096A SOIC封装（ SOP ）

VPP

A17

GND

I/O0

I/O8

I/O1

I/O9

I/O2

I/O10

I/O3

I/O11

RESET

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

字节

GND

I/O15/A-1

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

VCC

AT49BV / LV4096A TSOP顶视图

类型1

A15

A14

A13

A12

A11

A10

RESET

VPP

A17

A16

字节

GND

I/O15/A-1

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

VCC

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

GND

AT49BV/LV4096A

CBGA 7 ×7毫米的顶视图（球下）

AT49LV4096A

CBGA 6 ×8毫米的顶视图（球下）

A7 RDY / BUSY我们

A17

I/O0

I/O8

I/O9

I/O1

I/O2

I/O10

I/O11

I/O3

RESET

VPP

I/O5

I/O12

VCC

I/O4

A10

A11

I/O7

I/O14

I/O13

I/O6

A13

A12

A14

A15

A16

字节

I/O15

/A-1

VSS

A13 A11

A15 A12

A8 VPP NC

A14 A10我们首先NC A17

A16 I / O14 I / O5 I / O11 I / O2 I / O8 CE

BYTE I / O15 I / O6 I / O12 I / O3 I / O9 I / O0 GND

GND I / O7 I / O13 I / O4 VCC I / O10 I / O1 OE

注意：

“

“表示白点上的包。

VSS

AT49BV/LV4096A

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AT49BV/LV4096A

描述

（续）

该设备通过执行擦除命令序列擦除;该设备内部

控制擦除操作。所述存储器被划分成四个块进行擦除操作

系统蒸发散。有两个4K字参数块部分，引导块，以及在主

存储器阵列块。程序的典型数目和擦除周期是在过量的

10,000次。

在8K字引导块部分包括重新编程锁定功能，以提供

数据的完整性。这个功能是通过一个命令序列启用。一旦引导块

编程锁定功能被使能时，在所述引导块中的数据不能被改变

在5.5伏或更低的输入电平被使用。引导扇区被设计成包含

用户的安全密码。

BYTE引脚控制是否将设备数据I / O引脚在字节或字CON-操作

成形。如果BYTE引脚被设置为逻辑“1”或左开，该装置是在字

配置，I / O0 - I / O15是活动的，由CE和OE控制。

如果BYTE引脚被设置为逻辑“0”时，该装置是在字节构成，并且仅数据I / O的

引脚I / O0 - I / O7是活动的，由CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 - I / O14

有三态和I / O15引脚用作输入的LSB （ A- 1 ）地址的功能。

框图

VCC

GND

RESET

地址

输入

输入/输出

缓冲器

程序数据

锁存器

Y型GATING

主内存

（ 240K字）

参数

BLOCK 2

4K字

参数

1座

4K字

BOOT BLOCK

8K字

数据输入/输出

I / O0 - I / O15

控制

逻辑

Y译码

X解码器

3FFFF

04000

03FFF

03000

02FFF

02000

01FFF

00000

设备操作

阅读：

该AT49BV / LV4096A访问像EPROM 。当CE和OE是低电平

和WE为高电平时，存储在该存储器位置中的数据由地址引脚确定

被置位的输出。的输出被置于高阻抗状态，每当

CE或OE为高电平。这双线路的控制，使设计人员灵活地预防公交车

争。

命令序列：

当设备首次通电时，它会被复位到

读或待机模式，这取决于控制线输入的状态。为了

执行其他设备的功能，一系列命令序列将被输入到

装置。该命令序列显示命令定义表（ I / O8中 -

I / O15都不在乎投入的命令代码）。该命令序列令状

10通过施加一个低脉冲，在WE或CE输入带CE或WE低（分别地）和

OE高。地址被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。

该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准的微处理器写

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定时被使用。在命令序列中使用的地址位置不

受输入命令序列。

RESET ：

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当

RESET是处于逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。低水平

在RESET输入暂停，本设备操作，并把的输出

设备在一个高阻抗状态。当一个高级别重申RESET引脚上，

设备返回到读或待机模式时，根据控制的状态

输入。通过施加12V ± 0.5V的输入信号， RESET引脚，引导块阵列

即使在启动时，程序锁定功能已启用重新编程（见

“引导块编程锁定覆盖”一节）。

删除：

前一个字节或字可以被重新编程，它必须被擦除。擦除

存储器位的状态是逻辑“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除

擦除命令或单个部门可以通过扇区擦除被删除

命令。

芯片擦除：

整个装置可一次性使用6字节的芯片擦除

擦除软件代码。之后，芯片擦除已启动，该设备将在内部

时间的擦除操作，使得无需外部时钟是必需的。的最大时间

擦除芯片是叔

如果引导块锁定已启用，芯片擦除不会删除的数据

引导块;它会删除主存储块只有参数块。后

芯片擦除时，设备将返回到读或待机模式。

扇区擦除：

作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成四个

扇区可独立擦除。有两个4K字参数块节

系统蒸发散，一个引导块，以及在主存储器阵列块。扇区擦除命令

六总线周期操作。扇区地址被锁存的下降WE边缘

而30H数据输入命令被锁存在WE的上升沿第六周期。该

之后的第六个周期的WE的上升沿扇区擦除启动。擦除操作是

内部控制;它会自动完成时间。每当主存储器

块擦除和重新编程，这两个参数块应该被删除，

重新编程之前，在主存储器的块被再次擦除。每当一个参数

块被擦除和重新编程，其他参数块应该被擦除和

重新编程之前的第一个参数块被再次删除。每当开机

块被擦除和重新编程，主存储器块和参数块

要擦除和重新编程之前，引导块被再次删除。

字节/字编程：

一旦一个存储块被删除时，它被编程（向

在逐字节或字的字依据一个逻辑“0”）。编程是通过完成

内部设备命令寄存器和是四总线周期操作。该设备将

自动生成所需的内部编程脉冲。

在嵌入式编程周期写入到芯片的任何命令，将

忽略不计。如果一个硬件复位编程期间发生的，在该位置的数据是

编程将被破坏。请注意，数据“0”不能编程回

到一个“1” ;只擦除操作可以转换的“0”到“1” 。编程完成后，

指定的T

周期时间。数据查询功能，也可以用于指示

一个程序循环结束。

BOOT BLOCK编程锁定：

该器件具有一个指定的块

具有一个编程闭锁功能。此功能可以防止数据的编程

一旦该功能所指定的块已经被启用。该块的大小是8K

话。此块中，被称为引导块，可以包含用于安全码

调出系统。启用锁定功能将使启动代码留在

装置，而在该装置的其余部分的数据被更新。此功能不会要

AT49BV/LV4096A

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AT49BV/LV4096A

激活;引导块的使用情况，在写保护区是任选的给用户。该

引导块的地址范围为00000H到01FFFH 。

一旦启用该功能，在引导块中的数据不能再被删除或亲

5.5V或更小的编程时的输入电平被使用。在主存储器中的块数据

仍然可以通过普通的编程方法来改变。要激活锁定

特征，一个系列的六个程序命令与特定数据必须的特定地址

来执行。请参见命令定义表。

BOOT BLOCK闭锁检测：

软件方法可用于确定

引导块部的节目被锁定。当该装置是在软件

产品标识模式（请参阅软件产品识别进入和退出部分）

从下面的地址位置，读取时将显示，如果编程引导块

锁定 - 00002H 。如果在I中的数据/ O0为低时，引导块可以被编程;如果

在我的数据/ O0为高电平时，该程序锁定功能被使能和该块

不能编程。软件产品标识的退出代码应当用于

返回到标准操作。

BOOT BLOCK编程闭锁控制装置：

用户可以覆盖

引导块编程闭锁采取RESET引脚到12伏的整个过程

芯片擦除，扇区擦除或字编程操作。当RESET引脚

带回TTL电平，引导块编程锁定功能是反复活跃。

产品标识：

产品标识模式标识该设备和

厂商爱特梅尔。它可以通过硬件或软件的操作来访问。该

硬件的操作模式可用于通过外部编程来识别正确的

规划算法为Atmel的产品。

有关详细信息，请参阅“操作模式” （硬件操作）或“软件产品Identi-

fication进入/退出“ 12.制造商和设备代码页都是相同的

这两种模式。

数据查询：

该AT49BV / LV4096A功能数据轮询来表示的结束

项目周期。在一个程序循环企图读取的最后一个字节加载意志

结果，在所加载的数据的I / O 7的补码。一旦该程序周期已

完成时，真正的数据是在所有输出有效，并且下一个周期可以开始。在一个芯片

或扇区擦除操作，尝试读取器件将在I / O 7给出一个“0”。一旦

程序或擦除周期完成时，真正的数据将被从设备中读取。数据Poll-

ING可以在计划周期中随时开始。

触发位：

除了数据轮询时， AT49BV / LV4096A提供了另一种

一种用于确定一个程序或擦除周期的结束。在编程或擦除

操作时，连续尝试从设备读取数据会导致I / O6来回切换

间为1和0 。一旦程序周期已经完成， I / O6将停止切换

而有效的数据将被读取。检查触发位可以一亲过程中随时开始

克循环。

硬件数据保护：

硬件功能防止意外亲

克至AT49BV / LV4096A在以下方面：（1 ）V

意义：若V

以下是

1.8V （典型值），该程序的功能被禁止。（二）V

上电延时：一旦V

有

达到V

层次感，设备会自动超时10毫秒（典型值）

前编程。（三）禁止编程：控股OE低，CE中的任何一个高或WE

高抑制方案周期。（四）噪声滤波器：脉冲小于15纳秒（典型值）的

WE或CE输入将不会启动编程周期。

输入电平：

同时，采用2.7V至3.6V电源供电，地址和操作

控制输入（ OE ， CE和WE ）可以驱动从0至5.5V ，而不产生不利影响─

荷兰国际集团的装置的操作。该I / O线，只能被驱动为0至V

+ 0.6V.

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