汽车级
PD - 96404A
特点
l
l
l
l
l
l
l
AUIRFS3307Z
AUIRFSL3307Z
HEXFET
功率MOSFET
D
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
G
S
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D（硅有限公司）
I
D（包装有限公司）
D
D
75V
4.6mΩ
5.8mΩ
128A
120A
c
描述
专为汽车应用，这
HEXFET
功率MOSFET采用了最新的处理
技术，以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这种设计的附加特征是一个175 ℃的
结的工作温度，快速开关速度和
改进型重复雪崩额定值。这些功能
结合起来，使这个设计非常高效，
在汽车应用和使用可靠的设备
各种各样的其它应用程序。
G
S
G
G
D
S
D
2
PAK
AUIRFS3307Z
TO-262
AUIRFSL3307Z
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是强调
只有等级;和
该设备运行在这些或超出了规格标明的任何其他条件
是不是implied.Exposure
以长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。热
电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。环境温度（T
A
)
是25 ℃，除非另有规定。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
E
AS （限热）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， VGS @ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
最大功率耗散
马克斯。
128
90
120
512
230
1.5
± 20
6.7
140
单位
A
d
W
W / ℃，
V
V / ns的
mJ
A
mJ
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复
单脉冲雪崩能量
f
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
d
e
g
参见图。 14，15， 22a和22b的
-55 + 175
300
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
°C
热阻
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳
k
参数
2
典型值。
马克斯。
0.65
40
单位
° C / W
结到环境（ PCB安装） ，D白
j
–––
–––
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
11/17/11
AUIRFS/SL3307Z
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
V
（ BR ） DSS
ΔV
（ BR ） DSS
/ΔT
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
R
G（ INT ）
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
内部栅极电阻
75
–––
–––
2.0
320
–––
–––
–––
–––
–––
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
参考至25℃ ，我
D
= 5毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 150μA
V
DS
= 50V ，我
D
= 75A
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
––– –––
0.094 –––
4.6
5.8
–––
4.0
––– –––
–––
20
––– 250
––– 100
––– -100
0.70 –––
V
V /°C的
mΩ
V
S
μA
nA
Ω
g
d
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
SYNC
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
总栅极电荷同步。 （Q
g
- Q
gd
)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效的输出电容（能源相关）
有效的输出电容（时间相关）
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
79
19
24
55
15
64
38
65
4750
420
190
440
410
110
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
条件
I
D
= 75A
V
DS
= 38V
V
GS
= 10V
I
D
= 75A ，V
DS
=0V, V
GS
= 10V
V
DD
= 49V
I
D
= 75A
R
G
= 2.6Ω
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
g
g
ns
pF
i
h
D
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
分钟。典型值。马克斯。单位
-dI
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
MOSFET符号
––– ––– 128
展示
G
A
整体反转
S
––– ––– 512
p-n结二极管。
––– –––
1.3
V T，
J
= 25 ° C，I
S
= 75A ，V
GS
= 0V
–––
33
50
T
J
= 25°C
V
R
= 64V,
ns
–––
39
59
T
J
= 125°C
I
F
= 75A
的di / dt = 100A / μs的
–––
42
63
T
J
= 25°C
nC
–––
56
84
T
J
= 125°C
–––
2.2
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
条件
g
g
注意事项：
基于最大允许计算出的连续电流
结温。键合线限流是120A 。注意
从设备引线加热所产生的电流限制可能
出现了一些领先的安装布置。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.050mH
R
G
= 25Ω, I
AS
= 75A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
≤
75A ， di / dt的
≤
1570A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。对于RECOM
谁料足迹和焊接技术是指应用程序
注意＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
2
www.irf.com
AUIRFS/SL3307Z
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车
资格。
IR的
产业
与消费
资质等级给予延长
较高的汽车级别。
3L -D2 PAK
3L-TO-262
MSL1
不适用
M4级（ +/- 800V ）
（每AEC- Q101-002 ）
类H1C （ +/- 2000V ）
（每AEC- Q101-001 ）
C5级（ +/- 2000V ）
（每AEC- Q101-005 ）
是的
湿度敏感度等级
机器型号
ESD
人体模型
带电器件模型
符合RoHS
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外（如果有的话），以AEC - Q101的要求都注意到，在鉴定报告。
最高电压合格
www.irf.com
3
AUIRFS/SL3307Z
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
4.5V
4.5V
10
10
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
1
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
图2 。
典型的输出特性
2.5
ID = 72A
2.0
VGS = 10V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
TJ = 175℃
10
T J = 25°C
1.5
1
VDS = 25V
≤60μs
脉冲宽度
2
3
4
5
6
7
8
1.0
0.1
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
12.0
ID = 72A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
C，电容（pF ）
VDS = 60V
VDS = 38V
VDS = 15V
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
4
www.irf.com
AUIRFS/SL3307Z
1000
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
T J = 175℃
1000
100
100μsec
10
T J = 25°C
1msec
10
10msec
1
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
DC
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0.1
图7 。
典型的源漏二极管正向电压
150
不限按包
125
ID ，漏电流（ A）
图8 。
最大安全工作区
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
100
ID = 5毫安
95
90
85
80
75
70
65
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，温度（° C）
100
75
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流与外壳温度
1.2
1.0
0.8
图10 。
漏极至源极击穿电压
600
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
500
400
300
200
100
0
ID
顶部
15A
26A
BOTTOM 75A
能量（ μJ ）
0.6
0.4
0.2
0.0
20
30
40
50
60
70
80
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始T J ，结温（ ° C）
www.irf.com
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
5
QQ：2881677436 复制
