初步数据表
1.5A DDR终端稳压器
概述
在AP2301线性调节器的设计，以满足
JEDEC规范SSTL - 2和SSTL -18 termi-
国家DDR- SDRAM内存。该稳压器可吸收或
提供高达1.5A的连续电流，提供了足够的
目前大多数DDR应用。输出电压
设计为不到2 ％跟踪参考电压
公差负载调整率，同时防止拍摄
通过在输出级。片上热限制
为防止大电流的组合
租金和环境温度这将创建一个
过度的结温。
在AP2301 ，配合使用串联端接
灰电阻器，提供了极好的电压源，用于
高速传输的有源终端方案
作为行中看到的高速内存总线和
分布式的背板设计。
在AP2301是采用SOIC -8和TO- 252-5L
包。
AP2301
特点
·
·
·
·
·
同时支持DDR I （ 1.25V
TT
）和DDR II
(0.9V
TT
）要求
源和灌电流可达1.5A
高精度输出电压在满负荷
可调式V
OUT
通过外部电阻
关机待机或休眠模式
操作与高阻抗输出
应用
·
·
·
DDR -SDRAM终止
DDR -II终止
SSTL - 2终止
SOIC-8
TO-252-5L
AP2301图1.包装类型
2006年7月修订版1.3
1
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初步数据表
1.5A DDR终端稳压器
引脚配置
AP2301
男包
(SOIC-8)
V
IN
GND
REFEN
V
OUT
包
(TO-252-5L)
5
4
3
2
1
V
OUT
REFEN
V
CNTL
（ TAB ）
GND
V
IN
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CNTL
V
CNTL
V
CNTL
V
CNTL
图2. AP2301的引脚配置（顶视图）
引脚说明
引脚数
引脚名称
SOIC-8
1
2
3
4
5, 6, 7, 8
TO-252-5L
1
2
4
5
3
V
IN
GND
REFEN
V
OUT
V
CNTL
电源输入
地
参考电压输入和芯片使能
输出电压
电源电压为内部电路（内部连接的SOIC - 8 ） ，
（ TAB为TO- 252-5L ）
功能
2006年7月修订版1.3
2
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初步数据表
1.5A DDR终端稳压器
功能框图
V
CNTL
V
IN
AP2301
当前
极限
带隙
REFEN
启动
热
保护
产量
控制
V
OUT
GND
AP2301图3.功能框图
订购信息
AP2301
电路类型
包
M： SOIC - 8
D： TO- 252-5L
-
E1 ：无铅
空白：铅锡
TR ：磁带和卷轴
空白：管
包
温度
范围
产品型号
铅锡
AP2301M
无铅
AP2301M-E1
AP2301MTR-E1
AP2301D-E1
AP2301DTR-E1
标记ID
包装类型
铅锡
2301M
2301M
AP2301D
AP2301D
无铅
2301M-E1
2301M-E1
AP2301D-E1
AP2301D-E1
管
TAPE
＆
REEL
管
TAPE
＆
REEL
SOIC-8
0
125
o
C
AP2301MTR
AP2301D
TO-252-
5L
0-125
o
C
AP2301DTR
BCD半导体的无铅产品，如标有"E1"后缀的型号，均符合RoHS标准。
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3
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1.5A DDR终端稳压器
绝对最大额定值（注1 ）
参数
电源电压为内部电路
功耗
ESD（人体模型）
结温
存储温度范围
焊接温度（焊接， 10秒）
符号
V
CNTL
P
D
ESD
T
J
T
英镑
T
领导
θ
JA
SOIC-8
TO-252-5L
价值
7
内部限制
2
150
-65到150
260
160
o
AP2301
单位
V
W
KV
o
C
o
C
o
C
封装热阻（自由空气）
C / W
130
注1 ：应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只，设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压为内部电路
DDR I
电源输入
DDR II
结温
T
J
0
V
IN
1.6
1.8
125
o
C
符号
V
CNTL
（注2,3）
民
典型值
3.3
2.5
最大
6
V
CNTL
单位
V
V
注2 ：保持V
CNTL
≥
V
IN
在开机和关机顺序。
注3 ：对于安全运行，V
CNTL
必须连接到3.3V ，而不是5V 。
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4
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AP2301/AP2311
2.0A单通道限流
开关
描述
在AP2301和AP2311是单通道限流
通用优化集成高侧电源开关
串行总线（ USB ）等热插拔应用。家庭
器件符合USB标准，可与
两个极性使能输入。
该装置具有快速短路响应时间
提高了整体系统的可靠性，并具有集成
输出放电功能，以确保彻底控制
输出电压的电容器的放电。它们提供了一个
应用受到沉重的完整的保护解决方案
容性负载和短路的前景，并提供
反向电流阻断，过电流，过热和
短路保护，以及控制的上升时间和
欠压锁定功能。一个7毫秒抗尖峰脉冲能力
在漏极开路输出的标志防止错误的过流
报告，并且不需要任何外部元件。
所有器件都采用SO- 8 ， MSOP - 8 -EP和
DFN3030E - 8封装。
引脚分配
（顶视图）
GND
1
IN
2
IN
3
EN
4
SO-8
8
7
6
NC
OUT
OUT
新产品
5
FLG
（顶视图）
GND
IN
IN
EN
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
OUT
OUT
FLG
特点
单通道限流电源开关
输出放电功能
快速短路响应时间为2μs
准确的2.5A电流限制
反向电流隔离
70mΩ导通电阻
输入电压范围： 2.7V - 5.5V
内置软启动与0.6ms典型上升时间
过流和热保护
故障报告（ FLG ）与消隐时间（ 7毫秒典型值）
ESD保护： 2KV HBM ， 300V MM
低电平有效（ AP2301 ）或高电平有效（ AP2311 ）使
环境温度范围： -40°C至85°C
SO - 8 ， MSOP - 8 -EP和DFN3030E - 8 ：可在
“绿色”模塑料（无溴，锑）
无铅涂层/符合RoHS （注1 ）
UL认证，文件号E322375
IEC60950-1 CB体系认证
MSOP-8-EP
（顶视图）
GND
IN
IN
EN
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
OUT
OUT
FLG
DFN3030E-8
应用
液晶电视显示器&
机上盒，家庭网关
笔记本电脑，台式机，服务器，电子阅读器
打印机，坞站，集线器
1.欧盟指令2002/ 95 / EC （ RoHS指令） 。所有适用的RoHS指令的豁免申请。请访问我们的网站：
http://www.diodes.com/products/lead_free.html 。
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注意事项：
AP2301/AP2311
文件编号： DS32241修订版1 - 2
AP2301/AP2311
2.0A单通道限流
开关
典型应用电路
启用Active高
电源
2.7V至5.5V
10k
0.1uF
IN
OUT
0.1uF
负载
120uF
FLG
新产品
EN
ON
关闭
GND
可选项
产品型号
AP2301
AP2311
通道
1
1
使能引脚
（ EN ）
低电平有效
高电平有效
推荐
最大连续
负载电流（A ）
2.0A
典型电流
限制（A ）
2.5A
包
SO-8
MSOP-8-EP
DFN3030E-8
引脚说明
引脚名称
GND
IN
EN
FLG
OUT
NC
裸露焊盘
引脚数
1
2, 3
4
5
6, 7
8
-
地
电压输入;从IN连接一个0.1μF或更大的陶瓷电容到GND
尽可能接近。 （均在引脚必须在外部连接在一起）
使能输入，低电平有效（ AP2301 ）或高电平有效（ AP2311 ）
过热和过电流故障有7毫秒抗尖峰脉冲的报告;低电平有效
漏极开路输出。 FLG被接通后，停用7毫秒。
电压输出引脚（ OUT的所有引脚必须在外部连接在一起）
无内部连接;推荐领带OUT引脚
推荐连接到GND的外部以提高散热能力
说明
AP2301/AP2311
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AP2301/AP2311
2.0A单通道限流
开关
功能框图
IN
当前
SENSE
UVLO
司机
当前
极限
放电
控制
OUT
新产品
EN
FLG
热
SENSE
尖峰脉冲
GND
绝对最大额定值
符号
ESD HBM
ESD MM
V
IN
V
OUT
V
EN ，
V
FLG
I
负载
T
JMAX
T
ST
注意事项：
参数
人体模型ESD保护
机器模型ESD保护
输入电压
输出电压
开启电压
最大连续负载电流
最高结温
存储温度范围（注2 ）
评级
2
300
6.5
V
IN
+ 0.3
6.5
内置有限公司
150
-65到150
单位
KV
V
V
V
V
A
°C
°C
2. UL认可的评级从-30 ° C到70° C（合格二极管牛逼
ST
从-65 ℃至150 ℃）
推荐工作条件
符号
V
IN
I
OUT
T
A
参数
输入电压
输出电流
工作环境温度
民
2.7
0
-40
最大
5.5
2.0
85
单位
V
A
°C
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AP2301/AP2311
2.0A单通道限流
开关
电气特性
(T
A
= 25
o
C，V
IN
= + 5.0V ，C
IN
= 0.1μF ，C
L
= 1μF ，除非另有说明）
符号
V
UVLO
ΔV
UVLO
I
SHDN
I
Q
I
泄漏
I
转
R
DS （ ON）
参数
输入欠压锁定
输入UVLO迟滞
输入关断电流
输入静态电流
输入漏电流
反向漏电流
V
IN
升起
V
IN
减少
残疾人， OUT =开
启用后， OUT =开
残疾人，输出接地
残疾人，V
IN
= 0V, V
OUT
= 5V ，我
转
在V
IN
V
IN
= 5V ，我
OUT
= 2.0A
开关导通电阻
V
IN
= 3.3V ，我
OUT
= 2.0A
I
极限
I
TRIG
I
短
T
短
V
IL
V
IH
I
泄漏EN
I
泄漏-O
T
D（上）
T
R
T
D（关闭）
T
F
R
FLG
I
FOH
T
空白
T
DIS
R
DIS
T
SHDN
T
HYS
过载电流限制
（注4 ）
短路电流限制
短路响应时间
EN逻辑输入低电压
EN输入逻辑高电压
EN输入漏
输出漏电流
输出导通延迟时间
输出导通上升时间
输出关断延迟时间
输出关断下降时间
FLG输出FET导通电阻
FLG关闭电流
FLG消隐时间
放电时间
放电电阻（注4 ）
热关断阈值
热关断迟滞
SO- 8 （注5 ）
θ
JA
注意事项：
测试条件（注3 ）
民
1.6
典型值。
2.0
50
0.1
60
0.1
0.01
70
最大
2.4
单位
V
mV
μA
μA
μA
μA
1
100
1
1
84
105
108
135
新产品
T
A
= 25
o
C
-40 C
≤
T
A
≤
85 C
T
A
= 25 C
-40
o
C
≤
T
A
≤
85
o
C
-40
o
C≤牛逼
A
≤85
o
C
2.0
o
o
o
90
m
V
IN
= 5V, V
OUT
= 4.5V
2.5
2.5
2.75
2
2.85
A
A
A
μs
限流触发阈值输出电流压摆率（ <100A / S）
使成短路
V
OUT
= 0V至我
OUT
= I
极限
（输出短路接地）
V
IN
= 2.7V至5.5V
V
IN
= 2.7V至5.5V
V
IN
= 5V, V
EN
= 0V至5.5V
残疾人，V
OUT
= 0V
C
L
= 1μF ，R
负载
= 5
C
L
= 1μF ，R
负载
= 5
C
L
= 1μF ，R
负载
= 5
C
L
= 1μF ，R
负载
= 5
I
FLG
= 10毫安
V
FLG
= 5V
断言的无效或因过流，
过温条件
C
L
= 1μF ，V
IN
= 5V ，禁止以V
OUT
＆ LT ; 0.5V
V
IN
= 5V ，残疾人，我
OUT
= 1毫安
启用
4
2
0.8
0.01
0.5
0.1
0.6
0.1
0.05
20
0.01
7
0.6
100
140
20
96
92
84
0.1
40
1
15
1.5
1
1
V
V
μA
μA
ms
ms
ms
ms
μA
ms
ms
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
热电阻结点到
MSOP-8 -EP （注6）
环境
DFN3030E - 8 （注6 ）
3.脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度;热效应，必须考虑到
分开。
4.放电功能被激活时，该设备被禁用（时启用撤除或在电掉电时，
V
IN
＆ LT ; V
UVLO
） 。放功能，提供用于外部存储电容器在一定时间内的电阻放电路径。
5.设备安装在2 “×2” FR-4基板PCB ， 2盎司覆铜，以最小的推荐焊盘布局。
6.设备安装在2 “×2” FR-4基板PCB ， 2盎司覆铜，上面层和散热孔，以最小的垫推荐
底层的地平面。
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AP2301/AP2311
2.0A单通道限流
开关
典型性能特性
V
EN
V
EN
T
D（关闭）
T
F
90%
10%
90%
10%
50%
50%
50%
50%
T
R
T
D（上）
V
OUT
T
R
T
D（上）
V
OUT
10%
90%
T
D（关闭）
T
F
90%
10%
新产品
图1.电压波形： AP2301 （左） ， AP2311 （右）
所有启用地块是启用低电平有效
导通延迟和上升时间
关断延迟时间和下降时间
V
OUT
2V/div
V
EN
5V/div
设备启用
设备停用
I
IN
1A/div
I
IN
1A/div
V
OUT
2V/div
V
EN
5V/div
T
A
=25°C
V
IN
=5V
C
L
=1uF
R
OUT
=2.5Ω
T
A
=25°C
V
IN
=5V
C
L
=1uF
R
OUT
=2.5Ω
导通延迟和上升时间
关断延迟时间和下降时间
T
A
=25°C
V
IN
=5V
C
L
=120uF
R
OUT
=2.5Ω
V
OUT
2V/div
设备启用
V
EN
5V/div
I
IN
1A/div
T
A
=25°C
V
IN
=5V
C
L
=120uF
R
OUT
=2.5Ω
V
OUT
2V/div
V
EN
5V/div
设备停用
浪涌电流限制
I
IN
1A/div
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MMIC
`产品特点
AP2301
（旧部件编号： AP230S12 ）
应用
卫星
转换器
CATV
光节点
·小尺寸
SMD类型封装
无需匹配电路
高效率
双电源电压
更高的线性度
12针气腔封装
更高的生产力
降低制造成本
砷化镓MMIC
3 - 2000MHz的
-63dBc CSO 135频道@输出电平+ 37dBmV
-60dBc CTB 135频道@输出电平+ 37dBmV
包装： SP12
描述
功率放大器是专为基站和直放站系统。
砷化镓MMIC的使用和连接的12针气腔封装，双电源电压的铜载体上。
*本规格表中的数据只适用于75欧姆的应用。 50欧姆的数据是在一个单独的规格表。
工作范围
参数
器件电压
外壳温度
参数
器件电压
器件的电流
RF输入功率
储存温度
单位
VDC
℃
单位
VDC
mA
DBM
℃
单位
M赫兹
V
mA
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
DBM
DBM
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
200
民
-40
民
典型值
+5
-
最大
+5.3
+85
最大
+5.5
+320
+10
绝对最低和最高等级
-40
典型
3M赫兹 2.0GHz的
5
+150
中T = 25 ℃ ， VCC = 5.0V ， 75Ω系统
条件
Vcc=5V
特定网络阳离子
参数
频带
电源电压
单端CATV线路评价
当前
S21-Gain
S21-Gain
S21-Gain
S11 -输入回波损耗
S22输出回波损耗
噪声系数
OIP3
OIP1
S11 -输入回波损耗
S22输出回波损耗
OIP3
OIP1
噪声系数
CSO
50 - 870M赫兹
CTB
XM
CSO
3 - 150M赫兹
CTB
XM
最小值：
M aximum
220
16
14.5
15
14.5
15
反向（ 3 200M赫兹）
-16
-16
5.5
41
43
20
22
转发（ 50 870M赫兹）
-11
-11
36
38
20
22
4
-63
-60
-60
-70
-73
-70
250
3M赫兹
50M赫兹
2000M Hz的
-13
-13
+ 10dBm的/ 2基调1M赫兹分离
在100M Hz的
-8
-8
+ 10dBm的/ 2基调1M赫兹分离
在800M Hz的
6
-55
-60
-55
135通道， + 37dBmV /通道，单
135通道， + 37dBmV /通道，单
135通道， + 37dBmV /通道，单
8通道， + 45dBmV /通道，单
8通道， + 45dBmV /通道，单
8通道， + 45dBmV /通道，单
电话： 82-31-250-5011
rfsales@rfhic.com
所有规格如有变更，恕不另行通知。
2.0版
MMIC
ESD保护
AP2301
（旧部件编号： AP230S12 ）
为在所有情况的安全使用，建议有适当的ESD控制技术，该设备正被处理的时间。这里有一些
推荐的预防措施;
- 人在工作台上，应通过防静电腕带和一个电阻接地。
- 所有电源供电的设备应通过漏电开关连接到电源上。
- 设备外壳必须接地。
- 相对湿度应保持40 ％和50％之间。
- 一个电离器被推荐。
- 保持静电材料，如塑料封套和塑料托盘等离工作台
尺寸： PMBG - SQFP - 12
框图
4
外形绘图
4
AMP2
7
E
（ SQ ）。
C
D
7
3
3
AMP1
1
1
10
12
10
F
B
12
（ SQ ）。
（ SQ ）。
功能
输入
输出偏置
地
PIN号
7, 9
1, 3
2,4, 5, 6,8, 10, 11, 12
背面铜
F
寸
0.282
0.2
0.246
号
MM
7.16
5.08
6.25
1.75
0.38
0.76
0.51
1.02
0.36
2.1
0.8
A
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
土地模式
1.02
4
0.069
0.015
0.03
3
0.2
0.4
0.14
0.83
G
1
H
J
K
（ SQ ）。
M
0.32
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