汽车级
PD -
96395A
AUIRFS3107-7P
特点
l
l
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
超低导通电阻
增强的dv / dt和di / dt的能力
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
HEXFET
功率MOSFET
D
G
S
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D（硅有限公司）
I
D（包装有限公司）
D
75V
2.1m
Ω
2.6mΩ
260A
240A
c
描述
专为汽车应用，这
HEXFET
功率MOSFET采用了最新的处理
技术，以实现每个硅极低的导通电阻
区。这种设计的附加功能是175 ° C的结
工作温度，快速开关速度和改进的
重复雪崩额定值。这些功能结合起来，使
这种设计非常有效和可靠的装置，用于使用
在汽车应用和各种其它的
应用程序。
G
S
G
S
S
S
S
D
2
白7针
AUIRFS3107-7P
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是
只强调额定功率;并且该设备在这些或超出任何其它病症的功能操作显示在
规格不implied.Exposure以长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。环境
温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， VGS @ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
马克斯。
d
d
e
f
d
260
190
240
1060
370
2.5
± 20
320
参见图。 14，15， 22a和22b的
13
-55 + 175
300
c
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
kl
参数
典型值。
马克斯。
0.40
40
单位
° C / W
j
–––
–––
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
11/1/11
AUIRFS3107-7P
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
V
（ BR ） DSS
ΔV
（ BR ） DSS
/ΔT
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
R
G
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
内部栅极电阻
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
75
–––
–––
2.0
260
–––
条件
–––
0.083
2.1
–––
–––
2.1
–––
–––
–––
–––
–––
–––
2.6
4.0
–––
–––
20
250
100
-100
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 5毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 160A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
s V
DS
= 25V ，我
D
= 160A
g
d
Ω
–––
–––
–––
–––
μA
nA
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
SYNC
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
总栅极电荷同步。 （Q
g
- Q
gd
)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
160
38
57
103
17
80
100
64
9200
850
400
1150
1500
240
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
条件
I
D
= 160A
V
DS
= 38V
V
GS
= 10V
I
D
= 160A ，V
DS
=0V, V
GS
= 10V
V
DD
= 49V
I
D
= 160A
R
G
= 2.7Ω
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
g
ns
g
有效的输出电容（能源相关）
有效的输出电容（时间相关）
h
i
pF
i
h
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
––– 260
–––
条件
MOSFET符号
D
d
1060
A
展示
整体反转
G
S
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
––– –––
1.3
V
–––
52
–––
ns
–––
63
–––
––– 110 –––
nC
T
J
= 125°C
––– 160 –––
–––
3.8
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 160A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
V
R
= 64V,
T
J
= 125°C
I
F
= 160A
的di / dt = 100A / μs的
T
J
= 25°C
g
g
注意事项：
基于最大允许结计算的连续电流
温度。键合线限流是240A 。需要注意的是电流
从可能发生的设备引线加热所产生的局限性
一些导致安装布置。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.026mH
R
G
= 25Ω, I
AS
= 160A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
≤
160A ， di / dt的
≤
1420A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。对于RECOM
谁料足迹和焊接echniques指应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
R
θJC
所示的值是在零时间。
2
www.irf.com
AUIRFS3107-7P
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
评论：
这部分号码通过汽车
资格。 IR的工业和消费资质等级
授予延长汽车更高水平。
7L -D PAK
2
湿度敏感度等级
机器型号
ESD
人体模型
带电器件模型
符合RoHS
MSL1
M4级（ +/- 800V ）
（每AEC- Q101-002 ）
类H3A （ +/- 6000V ）
（每AEC- Q101-001 ）
C5级（ +/- 2000V ）
（每AEC- Q101-005 ）
是的
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
例外（如果有的话），以AEC - Q101的要求都注意到，在鉴定报告。
最高电压合格
www.irf.com
3
AUIRFS3107-7P
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
4.8V
4.5V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
4.8V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
底部
100
100
4.5V
4.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
10
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
10
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
图2 。
典型的输出特性
2.5
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID = 160A
VGS = 10V
2.0
100
T J = 175℃
10
T J = 25°C
（归一化）
1.5
1
VDS = 25V
≤
在60μs脉冲宽度
2
3
4
5
6
7
8
1.0
0.1
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C GS + Cgd的，C DS短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14.0
ID = 160A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
VDS = 60V
VDS = 38V
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0
25
50
75 100 125 150 175 200 225
Q G，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
4
www.irf.com
AUIRFS3107-7P
1000
T J = 175℃
100
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100μsec
ISD ，反向漏电流（ A）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
1000
100
10msec
1msec
10
TJ = 25°C
10
DC
1
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
100
1000
0.1
VDS ，漏极至源极电压（ V）
300
不限按包
250
ID ，漏电流（ A）
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
95
ID = 5毫安
90
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
85
80
75
70
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，温度（° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
3.5
3.0
2.5
能量（ μJ ）
图10 。
漏极至源极击穿电压
1400
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
1200
1000
800
600
400
200
0
ID
顶部
28A
50A
BOTTOM 160A
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始T J ，结温（ ° C）
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
www.irf.com
5
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