ACPM-5208
UMTS Band8 （ 880-915MHz ） 3x3mm的电源放大器器模块
数据表
描述
的ACPM - 5208是一个完全匹配的10引脚表面贴装
模块开发的UMTS EGSM 。这种权力扩增fi er
模块工作在880-915MHz带宽。该
ACPM- 5208满足严格的UMTS线性要求
高达28dBm的输出功率。在3mmx3mm的外形
包是自包含的，纳入50欧姆输入和
输出匹配网络。该PA还包含内部
隔直流电容器用于RF输入和输出端口。
的ACPM- 5208的功能第5代的CoolPAM的
（ CoolPAM5 ）电路技术，支持3次方
模式 - 有源旁路，中功率和高功率模式。
该的CoolPAM是舞台旁路技术提高
PAE （功率附加效率FFI ）在低功率和中功率
范围内。有源旁路功能被添加到CoolPAM5到
进一步增强的PAE在低输出范围和它使
在PA具有非常低的静态电流。它
大大节省了平均耗电量和
相应地扩展了手机和延长了通话时间
电池寿命。
定向耦合器被集成到模块和
两者的耦合和隔离端口可用克斯特
应受，支持菊花链。集成耦合器
具有良好的方向性耦合器，从而最小化
耦合输出功率变化或输出功率
变化引起的来自天线的负载不匹配。
耦合器的方向性，或输出功率变化成
不匹配的负载，是在TRP和SAR per-关键
在实际网络场操作的手机作为formance
以及一致性测试系统的特定连接的阳离子。
的ACPM- 5208集成了片上Vref与模块上
偏置开关作为的CoolPAM - 5的主要特点之一，
这样的外部恒压源是不需要的，
省去了外部LDO稳压器和开关
从移动设备的电路板。这也使得功率放大器
全数字控制的法师引脚变为简单
在PA上和O FF从数字控制逻辑输入
基带芯片。所有的数字控制输入引脚
如法师， VMODE和VBP完全相容CMOS
IBLE和最低可以在1.35V逻辑。趋势/涌流
通过数字控制引脚消耗可以忽略不计。
电源放大器器是一种先进的制造
的InGaP HBT （异质结双极晶体管） MMIC
（微波单片集成电路）技术
FF化工e圈的可靠性，温度稳定性的国家的最先进的
和耐用性。
特点
薄型封装（ 1.0毫米典型值）
卓越的线性度
与VBP和VMODE 3模式功率控制
- 旁路/中功率模式/大功率模式
高鹗FFI效率的最大输出功率
10引脚表面贴装封装
内置50欧姆的匹配网络，这两个RF输入
和输出
集成耦合器
- 耦合器和隔离的菊花链端口
绿色（无铅并符合RoHS标准）
应用
UMTS Band8
订购信息
产品型号
ACPM-5208-TR1
ACPM-5208-BLK
设备数量
1000
100
集装箱
178mm (7”)
磁带/卷
体积
绝对最大额定值
无损伤假设只有一个参数被设置为限制在与设置等于或低于标称值的所有其它参数的时候。
这些条件之外的任何单个参数设定为等于或低于额定剩余的参数的操作
值可能会造成永久性的损坏。
描述
RF输入功率（Pin ）
直流电源电压（ VCC1 ，电源Vcc2 ）
开启电压（法师）
模式控制电压（ VMODE ）
旁路控制（ VBP ）
存储温度（ TSTG ）
0
0
0
0
-55
3.4
2.6
2.6
2.6
25
分钟。
典型值。
马克斯。
10
5.0
3.3
3.3
3.3
+125
单位
DBM
V
V
V
V
°C
推荐运行条件
描述
直流电源电压（ VCC1 ，电源Vcc2 ）
开启电压（法师）
低
高
模式控制电压（ VMODE ）
低
高
旁路控制电压（ VBP ）
低
高
工作频率（ FO ）
环境温度（ Ta）的
0
1.35
880
-20
25
0
2.6
0.5
3.1
915
85
V
V
兆赫
°C
0
1.35
0
2.6
0.5
3.1
V
V
0
1.35
0
2.6
0.5
3.1
V
V
分钟。
3.2
典型值。
3.4
马克斯。
4.2
单位
V
操作逻辑表
电源模式
高功率模式
中等功率模式
旁路模式
关机模式
VEN
高
高
高
低
VMODE
低
高
高
低
VBP
低
低
高
低
噘嘴（版本99 ）
= 28 dBm的
18 dBm的
= 12 dBm的
–
噘嘴（ HSDPA ，
MPR HSUPA为0dB ）
= 27 dBm的
= 17 dBm的
11 dBm的
–
2
电气特性的WCDMA模式
- 条件： VCC = 3.4V ，法师= 2.6V ，TA = 25℃ ，寻/ ZOUT = 50欧姆
- 信号CON组fi guration ： 3GPP （ DPCCH + 1DPDCH ）上行链路，除非特定网络版除外。
特征
工作频率范围
收益
条件
高功率模式，噘= 28dBm的
中等功率模式，噘= 18dBm的
旁路模式，噘= 12dBm时
分钟。
880
24.5
15
8
34.7
16.5
8.6
典型值。
–
27.5
19
10.5
39
22.5
11.5
474
81.5
37
马克斯。
915
单位
兆赫
dB
dB
dB
%
%
%
功率附加ê FFI效率
高功率模式，噘= 28dBm的
中等功率模式，噘= 18dBm的
旁路模式，噘= 12dBm时
总电源电流
高功率模式，噘= 28dBm的
中等功率模式，噘= 18dBm的
旁路模式，噘= 12dBm时
534
111.5
52
130
34
5.5
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
静态电流
高功率模式
中等功率模式
旁路模式
80
10
1
105
19
3.5
10
10
10
5
5
5
-42
-58
-40
-56
-42
-61
-40
-59
-42
-60
-40
-58
-38
-48
2.5:1
-135
-138
-140
28
3
当前启用
高功率模式
中等功率模式
旁路模式
模式控制电流
旁路控制电流
总电流在掉电模式
5兆赫 FF集
邻道
10兆赫 FF集
泄漏比
5兆赫 FF集
10兆赫 FF集
5兆赫 FF集
10兆赫 FF集
5兆赫 FF集
10兆赫 FF集
5兆赫 FF集
10兆赫 FF集
5兆赫 FF集
10兆赫 FF集
谐波
第二
抑制
第三
输入VSWR
稳定（无杂散输出）
RX频带噪声功率（ VCC = 4.2V）
GPS频段噪声功率（ VCC = 4.2V）
ISM频段噪声功率（ VCC = 4.2V）
相位不连续
中等功率模式
旁路模式
绕行
VEN = 0V ， VMODE = 0V ， VBP = 0V
高功率模式，噘= 28dBm的
高功率模式，噘= 27dBm的
中等功率模式，噘= 18dBm的
中等功率模式，噘= 18dBm的
旁路模式，噘= 12dBm时
旁路模式，噘= 12dBm时
高功率模式，噘= 28dBm的
5
-36
-46
-35
-46
-36
-46
-36
-46
-36
-46
-36
-46
-35
-42
-60
μA
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBm / Hz计
dBm / Hz计
dBm / Hz计
度
度
驻波比5 ： 1 ，所有阶段
高功率模式，噘= 28dBm的
高功率模式，噘= 28dBm的
高功率模式，噘= 28dBm的
旁路modemid功耗模式，
在噘= 12dBm时
中等功率modehigh功耗模式，
在噘= 18dBm的
Pout<28dBm ， Pin<5dBm ，所有阶段
高功率模式
RF输出到CPL口
ISO口CPL端口，法师=低
所有阶段
-1
耐用性
耦合系数
菊花链插入损耗
噘嘴变化对电压驻波比2.5 ： 1
10:1
20
1
VSWR
dB
dB
dB
3
HSDPA信号CON组fi guration使用：
3GPP TS 34.121-1
附录C （规范性附录E） ：测量通道
对于HSDPA测试C.10.1 UL参考测量信道
表C.10.1.4 ：
β
发射机特性测试， HS- DPCCH值
分测试2 （CM = 1.0， MPR = 0.0）
HSUPA信号CON组fi guration使用：
3GPP TS 34.121-1
附录C （规范性附录） ：测量通道
对于E -DCH测试C.11.1 UL参考测量信道
表C.11.1.3 ：
β
对于发射机特性测试， HS-DPCCH和E-DCH分测试1的值（CM = 1.0， MPR = 0.0）
脚印
所有尺寸均为毫米
（焊盘尺寸公差： +/- 0.05毫米）
0.10
1.50
0.125
销1
引脚说明
针＃
1
2
3
名字
Vcc1
RFIN
VBP
VMODE
VEN
CPL
GND
ISO
RFOUT
Vcc2
描述
直流电源电压
RF输入
旁路控制
模式控制
PA启用
联轴器耦合器的端口
地
耦合器的隔离端口
RF OUT
直流电源电压
0.60
4
5
6
7
0.35
0.35
0.3
X射线顶视图
0.10
8
9
10
0.25
4
QQ：2881677436 复制
