PD-96341
汽车MOSFET
AUIRFR5305
AUIRFU5305
HEXFET
功率MOSFET
D
特点
l
l
l
l
l
l
l
l
l
高级平面技术
低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
V
（ BR ） DSS
-55V
0.065
-31A
G
S
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D
D
D
描述
专为汽车应用，这种细胞
HEXFET功率MOSFET的平面设计采用了
最新的加工技术，以实现低导通电阻元
硅片面积。这样做的好处结合快速开关
速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个
非常高效，在汽车使用可靠的设备
和各种其他应用程序。
G
D
S
G
D
S
D- PAK
AUIRFR5305
G
D
I- PAK
AUIRFU5305
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是强调
只有等级;并且该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件的功能操作
不implied.Exposure以长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。热
电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。环境温度（T
A
)
是25 ℃，除非另有规定。
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结至环境***
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.4
50
110
单位
° C / W
连续漏电流， V
GS
@ -10V
连续漏电流， V
GS
@ -10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
-31
-22
-110
110
0.71
± 20
280
-16
11
-5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
h
h
dh
ΔEH
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
12/06/10
AUIRFR/U5305
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
-55
–––
–––
-2.0
8.0
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
-0.034
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
马克斯。
–––
–––
0.065
-4.0
–––
-25
-250
100
-100
单位
V
V /°C的
V
S
A
nA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
参考至25℃ ，我
D
= -1mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -16A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
DS
= -25V ，我
D
= -16A
V
DS
= -55V, V
GS
= 0V
V
DS
= -44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
f
h
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
14
66
39
63
4.5
7.5
1200
520
250
马克斯。
63
13
29
–––
–––
–––
–––
–––
单位
nC
条件
I
D
= -16A
V
DS
= -44V
V
GS
= -10V参见图6和13
V
DD
= -28V
I
D
= -16A
R
G
= 6.8
R
D
= 1.6
见图10
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= -25V
= 1.0MHz的，见图5
fh
ns
fh
D
nH
–––
–––
–––
–––
pF
G
S
h
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
71
170
马克斯。
-31
单位
A
条件
D
MOSFET符号
展示
G
整体反转
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -16A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -16A
的di / dt = 100A / μs的
-110
-1.3
110
250
V
ns
nC
f
fh
重复评价;脉冲宽度有限的
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
这个被施加用于I -PAK ，L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具联络中心。
使用IRF5305数据和试验条件。
最大。结温。 （参见图11）
V
DD
= -25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 2.1mH
R
G
= 25, I
AS
= -16A 。 （参见图12）
T
J
≤
175°C
*当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
***采用典型的插座安装。
I
SD
≤
-16A ， di / dt的
≤
-280A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
2
www.irf.com
AUIRFR/U5305
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车认证。
IR的工业和消费水平的资格被授予了
延长汽车更高水平。
PAK
I- PAK
MSL1
不适用
M2类（ 200V ）
（每AEC- Q101-002 ）
一流的H1B （ 1000V ）
（每AEC- Q101-001 ）
C5级（ 1125V ）
（每AEC- Q101-005 ）
是的
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
带电器件
模型
符合RoHS
ESD
??资格标准可在国际整流器公司？的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。
www.irf.com
3
QQ：2880707522 复制
