PD - 96316B
汽车级
汽车的DirectFET
功率MOSFET
先进的工艺技术
优化汽车电机驱动， DC- DC和
AUIRF7736M2TR
AUIRF7736M2TR1
40V
2.5m
3.0m
108A
72nC
等重负载应用
超小尺寸和超薄特性
高功率密度
低寄生参数
双面冷却
175 ° C工作温度
重复雪崩能力的坚固性和
可靠性
无铅，符合RoHS和无卤素
汽车合格*
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D（硅有限公司）
Q
g
5
＆放大器;
)
5
5
5
＆放大器;
适用的DirectFET外形及其基材大纲
SB
SC
M2
M4
M4
的DirectFET
等距
L4
L6
L8
描述
该AUIRF7736M2结合了最新的汽车HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装
技术来实现，有一个SO- 8或5X6mm PQFN的足迹和仅为0.7mm，配置文件的封装卓越的性能。
该
的DirectFET封装在电源应用中使用现有的几何布局，PCB组装设备和汽相兼容，基础设施
红色或对流焊接技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。该
的DirectFET封装允许双面冷却，以最大限度地发挥在汽车动力系统的热传递。
这HEXFET功率MOSFET是专为应用的效率和功率密度值。先进的DirectFET封装
平台采用最新的硅技术允许AUIRF7736M2提供大量系统级的节省和性能提升
特别是在电机驱动，高频DC -DC和ICE ， HEV和EV平台等重负载应用。这种MOSFET采用最新的
处理技术来实现低导通电阻和低的Qg每硅片面积。这种MOSFET的附加功能是175 ° C的工作结
高温和高重复峰值电流能力。这些特性相结合，使该MOSFET的高效，强大和可靠的
器件的高电流汽车应用。
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只;和
该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件的功能操作不implied.Exposure到absolute-
长时间最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
P
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
功耗
功耗
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值焊接温度
工作结
存储温度范围
马克斯。
单位
V
f
f
e
f
e
g
g
h
h
g
40
± 20
108
77
22
179
432
63
2.5
54
286
参见图。部18a ，18b和16,17
270
-55 + 175
A
W
mJ
A
mJ
°C
热阻
结到环境
结到环境
结到环境
结至灿
结到PCB安装
线性降额因子
是国际整流器公司的注册商标。
HEXFET
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJCan
R
θJ -PCB
fl
e
j
k
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.0
0.42
马克斯。
60
–––
–––
2.4
–––
单位
° C / W
f
W / ℃，
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1
11/08/10
AUIRF7736M2TR/TR1
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车认证。
IR的工业和消费水平的资格被授予了
延长汽车更高水平。
MEDIUM -CAN
MSL1 ， 260℃
M4级（
+/
400V)
AEC-Q101-002
H3B类（
+/
8000V)
AEC-Q101-001
不适用
AEC-Q101-005
是的
湿度敏感度等级
机器型号
ESD
人体模型
带电器件
模型
符合RoHS
资格标准可在国际整流器公司？的网站上找到：
http://www.irf.com
????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。
www.irf.com
3
AUIRF7736M2TR/TR1
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
100
10
5.0V
5.0V
≤
60s
脉冲宽度
1
0.1
TJ = 25°C
1
10
10
100
0.1
≤
60s
脉冲宽度
TJ = 175℃
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（M
)
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ MΩ）
图2 。
典型的输出特性
4.0
T J = 125°C
3.5
7
6
5
4
3
2
1
4
6
8
10
12
T J = 25°C
14
16
18
20
T J = 125°C
ID = 65A
3.0
2.5
T J = 25°C
VGS = 10V
1.5
0
50
100
150
200
ID ，漏电流（ A）
2.0
图3 。
典型导通电阻与栅极电压
1000
VGS ，门-to - 源电压（V ）
图4 。
典型导通电阻与漏电流
2.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
ID = 65A
VGS = 10V
100
10
T J = -40°C
TJ = 25°C
TJ = 175℃
1
VDS = 25V
≤60s
脉冲宽度
0.1
2
3
4
5
6
7
8
9
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图5 。
典型的传输特性
图6 。
归一化的导通电阻与温度的关系
4
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AUIRF7736M2TR/TR1
5.0
VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）
1000
4.5
ISD ，反向漏电流（ A）
T J = -40°C
100
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
-75 -50 -25
0
25 50 75 100 125 150 175
T J ，温度（° C）
TJ = 25°C
TJ = 175℃
ID = 1.0A
ID = 1.0毫安
ID = 250μA
ID = 150μA
10
VGS = 0V
1.0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
VSD ，源极到漏极电压（V ）
图7 。
典型的阈值电压与结温
250
政府飞行服务队，正向跨导（ S）
图8 。
典型的源漏二极管正向电压
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
200
C，电容（pF ）
T J = 25°C
150
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
T J = 175℃
50
V DS = 5V
380μs脉宽
100
0
20
40
60
80
100
120
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
0
图9 。
典型正向跨导比。漏电流
14
ID = 65A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图10 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
120
12
10
8
6
4
2
0
0
20
VDS = 32V
VDS = 20V
VDS = 8V
100
ID ，漏电流（ A）
80
60
40
20
0
40
60
80
100
25
50
75
100
125
150
175
QG ，总栅极电荷（ NC）
T C ，外壳温度（ ° C）
Fig.11
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
图12 。
最大漏极电流与外壳温度
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5
QQ：2880707522 复制
