汽车级
PD -96290
特点
l
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
HEXFET
功率MOSFET
D
AUIRF2804
AUIRF2804S
AUIRF2804L
40V
最大。 2.0mΩ
k
1.5m
k
270A
c
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值。
G
S
I
D（硅有限公司）
描述
专为汽车应用，
这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的
加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。这个额外的功能
设计是一个175 ° C的结温工作，
开关速度快和改进的重复ava-
拦车的评级。这些特性相结合，使该
设计一种非常有效和可靠的装置，用于
在汽车应用和各种用
其他应用程序。
D
D
I
D（包装有限公司）
195A
D
G
D
S
G
D
S
G
D
S
TO-220AB
AUIRF2804
G
D
2
PAK
AUIRF2804S
D
TO-262
AUIRF2804L
S
绝对最大额定值
门
漏
来源
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是
只强调额定功率;和
该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的
规格不implied.Exposure
绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
270
190
195
1080
300
2.0
± 20
540
1160
c
单位
A
d
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
d
e
e
d
看到图12a ， 12b中， 15,16
-55 + 175
°C
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
热阻
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
l
参数
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
0.50
–––
62
40
单位
° C / W
结到环境（ PCB安装，稳态）
是国际整流器公司的注册商标。
HEXFET
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
j
www.irf.com
1
02/19/10
AUIRF2804/S/L
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
SMD
R
DS （ ON）
TO-220
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
40
–––
–––
–––
2.0
130
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
0.031
1.5
1.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
2.0
2.3
4.0
–––
20
250
200
-200
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 75A **
m
V
GS
= 10V ，我
D
= 75A **
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
s V
DS
= 10V ，我
D
= 75A **
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
nA
V
GS
= -20V
f
f
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
160
41
66
13
120
130
130
4.5
7.5
6450
1690
840
5350
1520
2210
240
62
99
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
条件
I
D
= 75A **
V
DS
= 32V
V
GS
= 10V
V
DD
= 20V
I
D
= 75A **
R
G
= 2.5
V
GS
= 10V
铅之间，
f
f
ns
D
6毫米（0.25英寸）。
从包
G
pF
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
g
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
根据计算得到的最大连续电流
允许结温。套餐限制
电流为195A 。注意所产生的电流限制
从可能发生器件引线的加热
一些领先的安装布置。 （参见
以AN- 1140 ）
http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1140.pdf
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。 （见图11）。
从样品失效的人口决定了这个值，
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.24mH ，R
G
= 25, I
AS
= 75A ，V
GS
=10V.
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
–––
–––
56
67
270
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
条件
MOSFET符号
D
A
1080
1.3
84
100
V
ns
nC
展示
整体反转
G
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 75A ** ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 75A ** ，V
DD
= 20V
的di / dt = 100A / μs的
f
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
I
SD
≤
75A ， di / dt的
≤
220A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
1.0ms的;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电
时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
从样品失效人口这个值来决定。 100 ％
进行测试，以在生产此值
这个被施加到D
2
白，装在1"方形PCB时
（FR-4或G- 10材料） 。对于推荐的足迹，
焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
最大
DS （ ON）
当d
2
白和TO -262 （ SMD ）器件。
的TO-220装置将具有0.45 °C / W的Rth的值。
* *
所有基于旧的包装限制的AC和DC测试条件
电流= 75A 。
f
2
www.irf.com
AUIRF2804/S/L
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车
资格。 IR的工业和消费资格
级别授予扩展更高的汽车
的水平。
D2 PAK
MSL1
不适用
一流的M4
AEC-Q101-002
类H3A
AEC-Q101-001
C5类
AEC-Q101-005
是的
湿度敏感度等级
TO-220
TO-262
机器型号
ESD
人体模型
带电器件模型
符合RoHS
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。
www.irf.com
3
QQ：2881677436 复制
