【2001年5月AS4C4M4E14M × 4 CMOS DRAM （ EDO ）系列特点组织： 4,】,IC型号AS4C4M4E1-60TI,AS4C4M4E1-60TI PDF资料,AS4C4M4E1-60TI经销商,ic,电子元器件-51电子网

2001年5月

AS4C4M4E1

4M × 4 CMOS DRAM （ EDO ）系列

特点

组织： 4,194,304字× 4位

高速

- 50/60 ns的RAS访问时间

- 25/30 ns的列地址访问时间

- 12/15 NS CAS访问时间

TTL兼容，三态I / O

JEDEC标准封装

- 300万， 26分之24针SOJ

- 300万， 26分之24针TSOP

低功耗

- 活动： 908毫瓦最大

- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS I / O

扩展数据输出

刷新

- 2048刷新周期， 32毫秒刷新间隔

AS4C4M4E1

- RAS -只或CAS先于RAS刷新

5V电源

闩锁电流

≥

200毫安

ESD保护

≥

2000伏

工业和商业温度可

管脚配置

SOJ

V

CC

I/O0

I/O1

WE

RAS

NC

A10

A0

A1

A2

A3

V

CC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

14

13

GND

I/O3

I/O2

CAS

OE

A9

A8

A7

A6

A5

A4

GND

V

CC

I/O0

I/O1

WE

RAS

NC

A10

A0

A1

A2

A3

V

CC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

引脚名称

TSOP

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

14

13

GND

I/O3

I/O2

CAS

OE

A9

A8

A7

A6

A5

A4

GND

PIN码（ S）

A0到A10

RAS

CAS

WE

I / O0至I / O 3

OE

V

CC

GND

描述

地址输入

行地址选通

列地址选通

写使能

输入/输出

OUTPUT ENABLE

动力

地

AS4C4M4E0

选购指南

符号

最大的RAS访问时间

最大列地址访问时间

最大CAS访问时间

最大输出使能（ OE ）访问时间

最小的读或写周期时间

最小快速页模式周期时间

最大工作电流

最大的CMOS待机电流

01年5月22日; v.1.29 point>

AS4C4M4E0

AS4C4M4E1-50

50

25

12

13

85

25

135

2.0

AS4C4M4E1-60

60

30

15

100

30

120

2.0

单位

ns

mA

14 P. 1

t

RAC

t

CAA

t

CAC

t

OEA

t

RC

t

PC

I

CC1

I

CC5

半导体联盟

AS4C4M4E1

功能说明

该AS4C4M4E1是一款高性能的16兆位的CMOS动态随机存取存储器（ DRAM）组织为4,194,304字× 4

位。该器件采用先进的CMOS技术，并导致高速创新的设计制造技术，极低

电源和部件级和系统级宽的经营利润。联盟16Mb的DRAM的家族被用作主存储器的优化

在PC，工作站，路由器和交换机的应用程序。

该产品的特点在哪里读，在一行中写操作（或页面）可在执行高速页面模式操作

非常高的速度由行内切换列地址。行和列地址被交替地锁存到使用输入缓冲器

RAS和CAS的下降沿分别输入。另外， RAS是用来使列地址锁存器透明，使应用程序的

之前CAS断言列地址。

扩展数据输出（ EDO ）阅读模式使60MHz的操作使用60ns的设备。而相比之下， “快速页面方式的设备中，数据保持有效

上后CAS撤除高输出，使系统逻辑更多的时间来锁存数据。用OE和WE控制输出阻抗和

防止在总线争用读 - 修改 - 写和共享总线的应用程序。输出还要高阻抗的最后occurrance

RAS和CAS变高。

刷新A0到A10的2048种地址组合必须进行使用每32毫秒：

RAS只刷新： RAS断言，而CAS是高举。每2048行必须被选通。输出保持高阻抗。

隐藏刷新： CAS为低，而RAS被触发。刷新地址由内部产生。输出保持低阻抗用

前面的有效数据。

CAS先于RAS的刷新（ CBR ）：至少有一个CAS先于RAS断言。刷新地址由内部产生。

输出高阻抗（ OE和WE都不在乎）。

正常读取或写入周期刷新被访问的行。

该AS4C4M4E1是在标准26分之24引脚塑料SOJ一个可用的和第24/ 26引脚塑料TSOP封装。该AS4C4M4E1工作在

5V单电源± 0.5V 。它提供TTL兼容的输入和输出。

为2K刷新逻辑框图。

V

CC

GND

刷新

调节器

列解码器

SENSE AMP

数据

I / O

缓冲器

I / O0至I / O 3

RAS

RAS时钟

发电机

CAS

CAS时钟

发电机

WE

WE时钟

发电机

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

A9

A10

OE

地址缓冲器

行解码器

2048 × 2048 × 4

ARRAY

(16,777,216)

衬底偏压

发电机

推荐工作条件

参数

电源电压

输入电压

工作环境温度

符号

V

CC

GND

V

IH

V

IL

产业

T

A

民

4.5

0.0

2.4

–0.5

0

-40

公称

5.0

0.0

–

最大

5.5

0.0

V

CC

0.8

70

85

单位

V

°C

V

IL

分-3.0V为脉冲宽度小于5纳秒。推荐工作条件适用于在本文档中unlesss另有规定。

01年5月22日; v.1.29 point>

半导体联盟

14 P. 2

AS4C4M4E1

绝对最大额定值

参数

输入电压

输入电压（ DQS）

电源电压

存储温度（塑料）

焊接温度·时间

功耗

短路输出电流

符号

V

in

V

DQ

V

CC

T

英镑

T

SOLDER

P

D

I

OUT

民

-1.0

-55

–

最大

+7.0

V

CC

+ 0.5

+7.0

+150

260 × 10

1

50

单位

V

°C

o

秒

W

mA

DC电气特性

-50

参数

输入漏电流

输出漏电流

工作电源

电源电流

TTL待机功耗

电源电流

平均供电

目前， RAS刷新

模式或CBR

符号

I

IL

I

OL

I

CC1

I

CC2

I

CC3

测试条件

0V

≤

V

in

≤

+5.5V,

被测= 0V引脚不

D

OUT

残疾人， 0V

≤

V

OUT

≤

+5.5V

RAS ， CAS地址骑自行车;吨

RC

=分钟

RAS CAS =

≥

V

IH

RAS骑自行车， CAS

≥

V

IH

,

t

RC

= RAS CAS后低的低分钟。

RAS = V

IL

中国科学院

针对循环：吨

HPC

=分钟

RAS CAS = = V

CC

- 0.2V

I

OUT

= -5.0毫安

I

OUT

= 4.2毫安

RAS或CAS骑自行车，T

RC

=分钟

民

-5

–

最大

+5

135

2.0

民

-5

–

-60

最大

+5

120

2.0

单位

A

mA

1,2

笔记

–

120

–

110

mA

1

EDO页面模式平均

I

CC4

电源电流

CMOS备用电源

电源电流

输出电压

CAS前RAS刷新

当前

I

CC5

V

OH

V

OL

I

CC6

–

2.4

–

130

2.0

–

0.4

120

–

2.4

–

120

2.0

–

0.4

110

mA

V

mA

1, 2

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半导体联盟

14第3页

AS4C4M4E1

通用于所有波形AC参数

-50

符号

t

RC

t

RP

t

RAS

t

CAS

t

RCD

t

拉德

t

RSH

t

CSH

t

CRP

t

ASR

t

RAH

t

T

t

REF

t

CP

t

拉尔

t

ASC

t

CAH

参数

随机读或写周期时间

RAS预充电时间

RAS脉冲宽度

CAS脉冲宽度

RAS到CAS的延迟时间

RAS到列地址的延迟时间

CAS到RAS保持时间

RAS到CAS保持时间

CAS到RAS预充电时间

行地址建立时间

行地址保持时间

转换时间（上升和下降）

刷新周期

CAS预充电时间

列地址到RAS交货时间

列地址设置时间

列地址保持时间

民

80

30

50

8

15

12

10

40

5

0

8

1

–

8

25

0

8

最大

–

10K

35

25

–

50

32

–

民

100

40

60

10

15

12

10

50

5

0

10

1

–

10

30

0

10

-60

最大

–

10K

43

30

–

50

32

–

单位

ns

ms

ns

4,5

16

6

7

笔记

读周期

-50

符号

t

RAC

t

CAC

t

AA

t

RCS

t

RCH

t

RRH

参数

从RAS访问时间

从CAS访问时间

从地址访问时间

READ命令设置时间

读命令保持时间CAS

读命令保持时间RAS

民

–

0

最大

50

12

25

–

民

–

0

-60

最大

60

15

30

–

单位

ns

9

笔记

6

6,13

7,13

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半导体联盟

14第4页

AS4C4M4E1

写周期

-50

符号

t

WCS

t

WCH

t

WP

t

RWL

t

CWL

t

DS

t

DH

参数

写命令设置时间

写命令保持时间

WRITE命令的脉冲宽度

写命令到RAS交货期

写命令到CAS交货期

数据的建立时间

数据保持时间

民

0

10

8

0

8

最大

–

民

0

10

0

10

-60

最大

–

单位

ns

12

笔记

11

读 - 修改 - 写周期

-50

符号

t

RWC

t

RWD

t

CWD

t

AWD

参数

读 - 写周期时间

RAS以拖延时间

CAS以拖延时间

列地址来拖延时间

民

113

67

32

42

最大

–

民

135

77

35

47

-60

最大

–

单位

ns

11

笔记

刷新周期

-50

符号

t

企业社会责任

t

CHR

t

RPC

t

CPT

参数

CAS建立时间（ CAS先于RAS ）

CAS保持时间（ CAS先于RAS ）

RAS预充电到CAS保持时间

CAS预充电时间

（ CBR计数器测试）

民

5

8

0

10

最大

–

民

5

10

0

10

-60

最大

–

单位

ns

笔记

3

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