订购数量： ENA1319
ATP207
三洋半导体
数据表
ATP207
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻。
大电流。
修身包。
4.5V驱动器。
无卤素规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ PW≤10μs ）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量（单脉冲） * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
条件
评级
40
±20
65
195
50
150
--55到150
35
33
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
mJ
A
注意：
*1
VDD = 10V ， L = 50
μ
H， IAV = 33A
*2
L
≤
50
μ
H，单脉冲
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 40V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
评级
民
40
1
±10
典型值
最大
单位
V
μA
μA
标记： ATP207
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，
航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号
系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序
应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的，我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并
不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估
独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
91708PA TI IM TC- 00001572号A1319-1 / 4
ATP207
从接下页。
参数
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
VGS （关闭）
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 33A
ID = 33A ， VGS = 10V
ID = 17A ， VGS = 4.5V
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = 20V ， VGS = 10V ， ID = 65A
VDS = 20V ， VGS = 10V ， ID = 65A
VDS = 20V ， VGS = 10V ， ID = 65A
IS = 65A ， VGS = 0V
评级
民
1.5
12
20
7
11
2710
330
220
27
290
170
110
54
14
11
1.0
1.2
9.1
15.5
典型值
最大
2.6
单位
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7057-001
6.5
0.5
1.5
0.4
4.6
2.6
0.4
4
7.3
1.7
2
0.5
1
0.8
2.3
2.3
3
9.5
0.55
0.7
0.6
4.6
0.4
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
4 ：漏
三洋： ATPAK
开关时间测试电路
10V
0V
VIN
VDD=20V
0.1
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
D
ID=33A
RL=0.61Ω
VOUT
ATP207
P.G
50Ω
S
6.05
第A1319-2 / 4
ATP207
10
9
VGS - 的Qg
VDS=20V
ID=65A
漏极电流ID -
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
ASO
IDP=195A
栅极 - 源极电压VGS - V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
IT14031
ID=65A
1m
s
10
10
ms
0m
s
D
C
op
PW≤10μs
10
μ
s
10
0
μ
s
在这一领域
由RDS （ ON）的限制。
at
er
n
io
0.1
0.1
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
7
总栅极电荷QG - 数控
60
PD - 锝
漏极至源极电压VDS - V
120
EAS - TA
IT14032
允许功耗， PD - 含
雪崩能量降额因子 - ％
50
100
40
80
30
60
20
40
10
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
25
50
75
100
125
150
175
IT14011
外壳温度，TC -
°C
IT14010
环境温度，钽 -
°C
注意使用情况：由于ATP207是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，
采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及
结构设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
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