ATF- 33143绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
DISS
P
在MAX
T
CH
T
英镑
θ
jc
参数
漏 - 源极电压
[2]
栅 - 源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
总功耗
[4]
RF输入功率
通道温度
[5]
储存温度
热阻
[6]
单位
V
V
V
mA
mW
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
5.5
-5
-5
I
DSS [3]
600
20
160
-65 160
145
注意事项：
1.操作这个设备上面的任何一个
这些参数可能会导致
永久性损坏。
2.假设DC quiesent条件。
3. V
GS
= 0 V
4.源铅温度为25 ℃。
减免6毫瓦/
°C
对于T
L
> 60℃。
5.请参考故障率的可靠性
部，以评估可靠性的影响
运行上面的一个通道器件
温度为140℃ 。
使用测量6.热阻
150℃液晶测试
方法。
产品的一致性分布图表
[8, 9]
500
+0.6 V
120
100
80
CPK = 1.7
标准= 0.05
400
I
DS
（MA ）
300
0V
标准-3
60
3性病
200
40
100
–0.6 V
20
0
0.2
0
0
2
4
V
DS
(V)
6
8
0.3
0.4
0.5
NF（ dB）的
0.6
0.7
0.8
图1.典型的脉冲I- V
(V
GS
= -0.2每步骤V）的
100
曲线
[7]
.
图2. NF @ 2 GHz时， 24 V 80 mA的电流。
LSL = 0.2 ，额定= 0.53 ， USL = 0.8
120
100
80
CPK = 1.21
标准= 0.94
CPK = 2.3
标准= 0.2
80
60
标准-3
3性病
60
标准-3
3性病
40
40
20
20
0
29
31
33
OIP3 （ dBm的）
35
37
0
13
14
15
增益（dB ）
16
17
图3. OIP3 @ 2 GHz时， 24 V 80 mA的电流。
LSL = 30.0 ，额定= 33.3 ， USL = 37.0
图4.增益@ 2 GHz时， 24 V 80 mA的电流。
LSL = 13.5 ，额定= 14.8 ， USL = 16.5
注意事项：
7.在大信号条件下，V
GS
五月
摆动阳性和漏极电流可
超过我
DSS
。这些条件是
可接受的，只要最大P
DISS
和P
在MAX
收视率都没有超过。
8.分布数据样本量为450
抽取的样本来自9个不同的晶片。
分配给该产品的未来晶圆
可能有标称值的任何地方
内的上下规格界限。
9.测量就生产测试
板。该电路表示一种折衷
最佳噪声匹配和之间
根据生产realizeable比赛
2
测试要求。电路损耗有
被去嵌入从实际
测量。
10.一个参数的概率是
间
±1σ
为68.3 ％ ，与
±2σ
is
95.4 ％之间
±3σ
是99.7％ 。
ATF- 33143直流电气规格
T
A
= 25℃时，在一个测试电路，用于典型的装置测量射频参数
符号
I
DSS [ 1 ]
V
P [1]
I
d
g
m[1]
I
GDO
I
GSS
NF
参数和测试条件
饱和漏极电流
夹断电压
静态偏置电流
跨
栅漏漏电流
栅极漏电流
F = 2 GHz的
噪声系数
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
G
a
相关的增益
[3]
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
5 dBm的噘/音
F = 900兆赫
5 dBm的噘/音
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.5 V，I
DS
= 10 I％
DSS
V
GS
= -0.5 V, V
DS
= 4 V
单位最小值。典型值。
[2]
马克斯。
mA
V
mA
175
-0.65
—
237
-0.5
80
440
42
0.5
0.5
0.4
0.4
13.5
15
15
21
21
33.5
32
32.5
31
22
21
21
20
16.5
305
-0.35
—
—
1000
600
0.8
V
DS
= 1.5 V ，G
m
= I
DSS
/V
P
mmho 360
V
GD
= 5 V
A
V
GD
= V
GS
= -4 V
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
A
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
30
—
OIP3
输出3
rd
订单
截取点
[3]
P
1dB
1分贝压缩
压缩动力
[3]
注意事项：
1.保证在晶圆探测的水平。
从450份样品尺寸来确定从9晶片2.典型值。
采用图5所示的生产测试板上获得3测量。
输入
50 OHM
传输
线，包括
栅极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.20
Γ_ang
= 124°
（0.3 dB损耗）
DUT
50 OHM
传输
线，包括
漏极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
产量
用于噪声系数，相关的增益，P 2 GHz的生产测试板图5.框图
1dB
和OIP3测量
求。该电路表示基于生产测试的最佳噪声匹配和一个可实现的匹配之间的折衷
要求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
3
ATF- 33143典型性能曲线
40
40
2V
3V
4V
OIP3 ， IIP3 （ dBm的）
20
OIP3 ， IIP3 （ dBm的）
2V
3V
4V
30
30
20
10
10
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
120
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
120
图6. OIP3 ， IIP3与偏见
[1]
at
2GHz.
25
图7. OIP3 ， IIP3与偏见
[1]
at
900兆赫。
25
20
20
P
1dB
（ dBm的）
15
P
1dB
（ dBm的）
2V
3V
4V
15
10
10
5
5
2V
3V
4V
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
120
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
120
图8. P
1dB
与偏见
[1,2]
在2 GHz 。
图9. P
1dB
与偏见
[1,2]
调整为NF
@ 4V ， 80毫安在900MHz 。
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
22
21
1.2
1.0
0.8
G
a
19
18
17
16
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
NF
16
15
G
a
14
噪声系数（dB ）
20
13
12
11
10
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
0.6
0.4
2V
3V
4V
NF
2V
3V
4V
0.4
0.2
120
0.2
0
120
图10. NF和G
a
与偏见
[1]
at
2GHz.
图11. NF和G
a
与偏见
[1]
at
900兆赫。
注意事项：
1.测量就固定调整生产测试板被调整为合理的噪声系数为4V最佳增益匹配
80毫安偏差。该电路代表之间的最佳噪声匹配，最大增益匹配，根据匹配实现的权衡
生产测试板的要求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2.静态漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
接近时，这个漏电流可能增加或减少
取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
该设备的功率输出运行方式更接近B级
P
1dB
。这将导致更高的P
1dB
和更高的PAE （功率附加效率）相比，是受一个恒定驱动的元件
电流源作为典型的做法是用有源偏置。
4
噪声系数（dB ）
G
a
（ dB）的
G
a
（ dB）的
ATF- 33143典型性能曲线，
持续
1.5
80毫安
60毫安
30
25
20
G
a
（ dB）的
80毫安
60毫安
1.0
F
民
（ dB）的
15
10
5
0.5
0
0
2
4
6
8
10
频率（GHz ）
0
0
2
4
6
8
10
频率（GHz ）
图12. F
民
与频率和
目前在4V 。
25
25°C
-40°C
85°C
图13.相关增益与
频率和电流4V 。
2.0
40
25°C
-40°C
85°C
P
1dB
， OIP3 （ dBm的）
20
G
a
（ dB）的
1.5
噪声系数（dB ）
35
30
15
1.0
25
10
0.5
20
5
0
2
4
6
8
频率（GHz ）
0
10
15
0
2000
4000
6000
8000
频率（MHz）
图14. F
民
和G
a
与频率的关系
而温度在V
DS
= 4V ，我
DS
= 80毫安。
35
OIP3 ，P
1dB
（DBM ） ，增益（dB ）
图15. P
1dB
， OIP3与频率的关系
而温度在V
DS
= 4V ，我
DS
= 80毫安。
35
OIP3 ，P
1dB
（DBM ） ，增益（dB ）
3.5
P
1dB
OIP3
收益
NF
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
3.0
噪声系数（dB ）
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
P
1dB
OIP3
收益
NF
3
噪声系数（dB ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
2
1
100
0
120
0
120
图16. OIP3 ，P
1dB
， NF和增益随
BIAS
[1,2]
在3.9 GHz的。
图17. OIP3 ，P
1dB
， NF和增益随
BIAS
[1,2]
在5.8 GHz的。
注意事项：
1.测量就固定调谐测试夹具被调整为噪声系数为4V 80毫安偏见。该电路表示一种折衷
之间的最佳噪声匹配，最大增益匹配，并根据生产测试要求实现的匹配。电路损耗有
被去嵌入从实际测量值。
2.静态漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
接近时，这个漏电流可能增加或减少
取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
该设备的功率输出运行方式更接近B级
P
1dB
。这将导致更高的P
1dB
和更高的PAE （功率附加效率）相比，是受一个恒定驱动的元件
电流源作为典型的做法是用有源偏置。
5
ATF- 33143绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
DISS
P
在MAX
T
CH
T
英镑
θ
jc
参数
漏 - 源极电压
[2]
栅 - 源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
总功耗
[4]
RF输入功率
通道温度
[5]
储存温度
热阻
[6]
单位
V
V
V
mA
mW
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
5.5
-5
-5
I
DSS [3]
600
20
160
-65 160
145
注意事项：
1.操作这个设备上面的任何一个
这些参数可能会导致
永久性损坏。
2.假设DC quiesent条件。
3. V
GS
= 0 V
4.源铅温度为25 ℃。
减免6毫瓦/
°C
对于T
L
> 60℃。
5.请参考故障率的可靠性
部，以评估可靠性的影响
运行上面的一个通道器件
温度为140℃ 。
使用测量6.热阻
150℃液晶测试
方法。
产品的一致性分布图表
[8, 9]
500
+0.6 V
120
100
80
CPK = 1.7
标准= 0.05
400
I
DS
（MA ）
300
0V
标准-3
60
3性病
200
40
100
–0.6 V
20
0
0.2
0
0
2
4
V
DS
(V)
6
8
0.3
0.4
0.5
NF（ dB）的
0.6
0.7
0.8
图1.典型的脉冲I- V
(V
GS
= -0.2每步骤V）的
100
曲线
[7]
.
图2. NF @ 2 GHz时， 24 V 80 mA的电流。
LSL = 0.2 ，额定= 0.53 ， USL = 0.8
120
100
80
CPK = 1.21
标准= 0.94
CPK = 2.3
标准= 0.2
80
60
标准-3
3性病
60
标准-3
3性病
40
40
20
20
0
29
31
33
OIP3 （ dBm的）
35
37
0
13
14
15
增益（dB ）
16
17
图3. OIP3 @ 2 GHz时， 24 V 80 mA的电流。
LSL = 30.0 ，额定= 33.3 ， USL = 37.0
图4.增益@ 2 GHz时， 24 V 80 mA的电流。
LSL = 13.5 ，额定= 14.8 ， USL = 16.5
注意事项：
7.在大信号条件下，V
GS
五月
摆动阳性和漏极电流可
超过我
DSS
。这些条件是
可接受的，只要最大P
DISS
和P
在MAX
收视率都没有超过。
8.分布数据样本量为450
抽取的样本来自9个不同的晶片。
分配给该产品的未来晶圆
可能有标称值的任何地方
内的上下规格界限。
9.测量就生产测试
板。该电路表示一种折衷
最佳噪声匹配和之间
根据生产realizeable比赛
2
测试要求。电路损耗有
被去嵌入从实际
测量。
10.一个参数的概率是
间
±1σ
为68.3 ％ ，与
±2σ
is
95.4 ％之间
±3σ
是99.7％ 。
ATF- 33143直流电气规格
T
A
= 25℃时，在一个测试电路，用于典型的装置测量射频参数
符号
I
DSS [ 1 ]
V
P [1]
I
d
g
m[1]
I
GDO
I
GSS
NF
参数和测试条件
饱和漏极电流
夹断电压
静态偏置电流
跨
栅漏漏电流
栅极漏电流
F = 2 GHz的
噪声系数
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
G
a
相关的增益
[3]
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
5 dBm的噘/音
F = 900兆赫
5 dBm的噘/音
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.5 V，I
DS
= 10 I％
DSS
V
GS
= -0.5 V, V
DS
= 4 V
单位最小值。典型值。
[2]
马克斯。
mA
V
mA
175
-0.65
—
237
-0.5
80
440
42
0.5
0.5
0.4
0.4
13.5
15
15
21
21
33.5
32
32.5
31
22
21
21
20
16.5
305
-0.35
—
—
1000
600
0.8
V
DS
= 1.5 V ，G
m
= I
DSS
/V
P
mmho 360
V
GD
= 5 V
A
V
GD
= V
GS
= -4 V
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
A
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
30
—
OIP3
输出3
rd
订单
截取点
[3]
P
1dB
1分贝压缩
压缩动力
[3]
注意事项：
1.保证在晶圆探测的水平。
从450份样品尺寸来确定从9晶片2.典型值。
采用图5所示的生产测试板上获得3测量。
输入
50 OHM
传输
线，包括
栅极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.20
Γ_ang
= 124°
（0.3 dB损耗）
DUT
50 OHM
传输
线，包括
漏极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
产量
用于噪声系数，相关的增益，P 2 GHz的生产测试板图5.框图
1dB
和OIP3测量
求。该电路表示基于生产测试的最佳噪声匹配和一个可实现的匹配之间的折衷
要求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
3
ATF- 33143典型性能曲线
40
40
2V
3V
4V
OIP3 ， IIP3 （ dBm的）
20
OIP3 ， IIP3 （ dBm的）
2V
3V
4V
30
30
20
10
10
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
120
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
120
图6. OIP3 ， IIP3与偏见
[1]
at
2GHz.
25
图7. OIP3 ， IIP3与偏见
[1]
at
900兆赫。
25
20
20
P
1dB
（ dBm的）
15
P
1dB
（ dBm的）
2V
3V
4V
15
10
10
5
5
2V
3V
4V
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
120
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
120
图8. P
1dB
与偏见
[1,2]
在2 GHz 。
图9. P
1dB
与偏见
[1,2]
调整为NF
@ 4V ， 80毫安在900MHz 。
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
22
21
1.2
1.0
0.8
G
a
19
18
17
16
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
NF
16
15
G
a
14
噪声系数（dB ）
20
13
12
11
10
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
0.6
0.4
2V
3V
4V
NF
2V
3V
4V
0.4
0.2
120
0.2
0
120
图10. NF和G
a
与偏见
[1]
at
2GHz.
图11. NF和G
a
与偏见
[1]
at
900兆赫。
注意事项：
1.测量就固定调整生产测试板被调整为合理的噪声系数为4V最佳增益匹配
80毫安偏差。该电路代表之间的最佳噪声匹配，最大增益匹配，根据匹配实现的权衡
生产测试板的要求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2.静态漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
接近时，这个漏电流可能增加或减少
取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
该设备的功率输出运行方式更接近B级
P
1dB
。这将导致更高的P
1dB
和更高的PAE （功率附加效率）相比，是受一个恒定驱动的元件
电流源作为典型的做法是用有源偏置。
4
噪声系数（dB ）
G
a
（ dB）的
G
a
（ dB）的
ATF- 33143典型性能曲线，
持续
1.5
80毫安
60毫安
30
25
20
G
a
（ dB）的
80毫安
60毫安
1.0
F
民
（ dB）的
15
10
5
0.5
0
0
2
4
6
8
10
频率（GHz ）
0
0
2
4
6
8
10
频率（GHz ）
图12. F
民
与频率和
目前在4V 。
25
25°C
-40°C
85°C
图13.相关增益与
频率和电流4V 。
2.0
40
25°C
-40°C
85°C
P
1dB
， OIP3 （ dBm的）
20
G
a
（ dB）的
1.5
噪声系数（dB ）
35
30
15
1.0
25
10
0.5
20
5
0
2
4
6
8
频率（GHz ）
0
10
15
0
2000
4000
6000
8000
频率（MHz）
图14. F
民
和G
a
与频率的关系
而温度在V
DS
= 4V ，我
DS
= 80毫安。
35
OIP3 ，P
1dB
（DBM ） ，增益（dB ）
图15. P
1dB
， OIP3与频率的关系
而温度在V
DS
= 4V ，我
DS
= 80毫安。
35
OIP3 ，P
1dB
（DBM ） ，增益（dB ）
3.5
P
1dB
OIP3
收益
NF
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
3.0
噪声系数（dB ）
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
P
1dB
OIP3
收益
NF
3
噪声系数（dB ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
2
1
100
0
120
0
120
图16. OIP3 ，P
1dB
， NF和增益随
BIAS
[1,2]
在3.9 GHz的。
图17. OIP3 ，P
1dB
， NF和增益随
BIAS
[1,2]
在5.8 GHz的。
注意事项：
1.测量就固定调谐测试夹具被调整为噪声系数为4V 80毫安偏见。该电路表示一种折衷
之间的最佳噪声匹配，最大增益匹配，并根据生产测试要求实现的匹配。电路损耗有
被去嵌入从实际测量值。
2.静态漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
接近时，这个漏电流可能增加或减少
取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
该设备的功率输出运行方式更接近B级
P
1dB
。这将导致更高的P
1dB
和更高的PAE （功率附加效率）相比，是受一个恒定驱动的元件
电流源作为典型的做法是用有源偏置。
5
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