低噪声赝HEMT
在一个表面贴装塑料封装
技术参数
ATF-33143
特点
低噪声系数
卓越的均匀性
产品规格
1600微米的闸门宽度
低成本表面贴装
小塑料包装
SOT - 343 （ 4引线SC- 70 ）
带盘式包装
可用选项
表面贴装封装
SOT-343
描述
安捷伦的ATF - 33143是一款高
动态范围，低噪声PHEMT
容纳在一个4引线的SC- 70（ SOT- 343）
表面贴装塑料封装。
根据其功能的表现，
ATF- 33143是理想的第一或
的基站低噪声放大器的第二级
由于出色的组合
的低噪声系数和增强
线性
[1]
。该装置还
适用于无线应用
少LAN ， WLL / RLL ， MMDS和
需要超低其它系统
噪声系数，良好的拦截
在450 MHz至10 GHz的频率
范围内。
注意：
1.在同一PHEMT场效应家庭，
更小的几何尺寸ATF- 34143还可以
考虑更高的增益
性能，尤其是在较高
频段（ 1.8 GHz和了） 。
引脚连接和
包装标志
特定网络阳离子
1.9 GHz的; 4V 80 mA（典型值）
0.5分贝的噪音图
15分贝相关的增益
在22 dBm的输出功率
1分贝增益压缩
33.5 dBm输出3
rd
订单
截距
来源
3Px
漏
来源
门
注意：
俯视图。包装标志
提供定位和识别。
“ 3P ” =设备代码
“X” =日期代码字符。新
字符被分配给每个月份，年份。
应用
塔顶放大器，
低噪声放大器和
驱动放大器GSM /
TDMA / CDMA基站
LNA的无线LAN ， WLL /
RLL和MMDS系统
通用离散
PHEMT其他超低
噪声应用
2
ATF- 33143绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
DISS
P
在MAX
T
CH
T
英镑
θ
jc
参数
漏 - 源极电压
[2]
栅 - 源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
总功耗
[4]
RF输入功率
通道温度
[5]
储存温度
热阻
[6]
单位
V
V
V
mA
mW
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
5.5
-5
-5
I
DSS [3]
600
20
160
-65 160
145
注意事项：
1.操作这个设备上面的任何一个
这些参数可能会导致
永久性损坏。
2.假设DC quiesent条件。
3. V
GS
= 0 V
4.源铅温度为25 ℃。
减免6毫瓦/°C，对于T
L
> 60℃。
5.请参考故障率的可靠性
部，以评估可靠性的影响
运行上面的一个通道器件
温度为140℃ 。
使用测量6.热阻
150℃液晶测试
方法。
产品的一致性分布图表
[8, 9]
500
+0.6 V
120
100
80
CPK = 1.7
标准= 0.05
400
I
DS
（MA ）
300
0V
标准-3
60
3性病
200
40
100
–0.6 V
20
0
0.2
0
0
2
4
V
DS
(V)
6
8
0.3
0.4
0.5
NF（ dB）的
0.6
0.7
0.8
图1.典型的脉冲I- V曲线
[7]
.
(V
GS
= -0.2每步骤V）的
100
CPK = 1.21
标准= 0.94
图2. NF @ 2 GHz时， 24 V 80 mA的电流。
LSL = 0.2 ，额定= 0.53 ， USL = 0.8
120
100
80
CPK = 2.3
标准= 0.2
80
60
标准-3
3性病
60
标准-3
3性病
40
40
20
20
0
29
31
33
OIP3 （ dBm的）
35
37
0
13
14
15
增益（dB ）
16
17
图3. OIP3 @ 2 GHz时， 24 V 80 mA的电流。
LSL = 30.0 ，额定= 33.3 ， USL = 37.0
图4.增益@ 2 GHz时， 24 V 80 mA的电流。
LSL = 13.5 ，额定= 14.8 ， USL = 16.5
注意事项：
7.在大信号条件下，V
GS
五月
摆动阳性和漏极电流可
超过我
DSS
。这些条件是
可接受的，只要最大P
DISS
和P
在MAX
收视率都没有超过。
8.分布数据样本量为450
抽取的样本来自9个不同的晶片。
分配给该产品的未来晶圆
可能有标称值的任何地方
内的上下规格界限。
9.测量就生产测试
板。该电路表示一种折衷
最佳噪声匹配和之间
根据生产realizeable比赛
测试要求。电路损耗有
被去嵌入从实际
测量。
10.一个参数的概率是
间
±1σ
为68.3 ％ ，与
±2σ
is
95.4 ％之间
±3σ
是99.7％ 。
3
ATF- 33143直流电气规格
T
A
= 25℃时，在一个测试电路，用于典型的装置测量射频参数
符号
I
DSS [ 1 ]
V
P [1]
I
d
g
m[1]
I
GDO
I
GSS
NF
参数和测试条件
饱和漏极电流
夹断电压
静态偏置电流
跨
栅漏漏电流
栅极漏电流
F = 2 GHz的
噪声系数
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
G
a
相关的增益
[3]
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
5 dBm的噘/音
F = 900兆赫
5 dBm的噘/音
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.5 V，I
DS
= 10 I％
DSS
单位最小值。典型值。
[2]
马克斯。
mA
V
175
-0.65
237
-0.5
80
440
42
0.5
0.5
0.4
0.4
13.5
15
15
21
21
33.5
32
32.5
31
22
21
21
20
305
-0.35
—
—
1000
600
0.8
V
GS
= -0.5 V, V
DS
= 4 V毫安
—
V
DS
= 1.5 V ，G
m
= I
DSS
/V
P
mmho 360
V
GD
= 5 V
V
GD
= V
GS
= -4 V
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
A
A
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
30
—
16.5
OIP3
输出3
rd
订单
截取点
[3]
P
1dB
1分贝压缩
压缩动力
[3]
注意事项：
1.保证在晶圆探测的水平。
从450份样品尺寸来确定从9晶片2.典型值。
采用图5所示的生产测试板上获得3测量。
输入
50 OHM
传输
线，包括
栅极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.20
Γ_ang
= 124°
（0.3 dB损耗）
DUT
50 OHM
传输
线，包括
漏极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
产量
用于噪声系数，相关的增益，P 2 GHz的生产测试板图5.框图
1dB
和OIP3测量
求。该电路表示基于生产测试的最佳噪声匹配和一个可实现的匹配之间的折衷
要求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
4
ATF- 33143典型性能曲线
40
40
2V
3V
4V
OIP3 ， IIP3 （ dBm的）
20
OIP3 ， IIP3 （ dBm的）
2V
3V
4V
30
30
20
10
10
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
120
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
120
图6. OIP3 ， IIP3与偏见
[1]
at
2千兆赫。
25
图7. OIP3 ， IIP3与偏见
[1]
at
900兆赫。
25
20
P
1dB
（ dBm的）
P
1dB
（ dBm的）
2V
3V
4V
20
15
15
10
10
5
5
2V
3V
4V
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
120
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
120
图8. P
1dB
与偏见
[1,2]
在2 GHz 。
图9. P
1dB
与偏见
[1,2]
调整为NF
@ 4V ， 80毫安在900MHz 。
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
噪声系数（dB ）
16
15
G
a
14
G
a
（ dB）的
22
21
20
G
a
（ dB）的
1.2
1.0
0.8
G
a
0.6
NF
13
12
11
10
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
19
18
17
16
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
NF
2V
3V
4V
0.4
2V
3V
4V
0.4
0.2
0
120
0.2
120
图10. NF和G
a
与偏见
[1]
at
2千兆赫。
图11. NF和G
a
与偏见
[1]
at
900兆赫。
注意事项：
1.测量就固定调整生产测试板被调整为合理的噪声系数为4V最佳增益匹配
80毫安偏差。该电路代表之间的最佳噪声匹配，最大增益匹配，根据匹配实现的权衡
生产测试板的要求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2.静态漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
接近时，这个漏电流可能增加或减少
取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
该设备的功率输出运行方式更接近B级
P
1dB
。这将导致更高的P
1dB
和更高的PAE （功率附加效率）相比，是受一个恒定驱动的元件
电流源作为典型的做法是用有源偏置。
噪声系数（dB ）
5
ATF- 33143典型性能曲线，
持续
1.5
80毫安
60毫安
30
25
20
80毫安
60毫安
1.0
F
民
（ dB）的
G
a
（ dB）的
0.5
0
0
2
4
6
8
10
频率（GHz ）
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
频率（GHz ）
图12. F
民
与频率和
目前在4 V.
25
25°C
-40°C
85°C
图13.相关增益与
频率和电流在4 V.
2.0
40
25°C
-40°C
85°C
P
1dB
， OIP3 （ dBm的）
20
1.5
噪声系数（dB ）
35
G
a
（ dB）的
30
15
1.0
25
10
0.5
20
5
0
2
4
6
8
频率（GHz ）
0
10
15
0
2000
4000
6000
8000
频率（MHz）
图14. F
民
和G
a
与频率的关系
而温度在V
DS
= 4 V，I
DS
= 80 mA的电流。
35
3.5
P
1dB
OIP3
收益
NF
图15. P
1dB
， OIP3与频率的关系
而温度在V
DS
= 4 V，I
DS
= 80 mA的电流。
35
OIP3 ，P
1dB
（DBM ） ，增益（dB ）
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
3.0
OIP3 ，P
1dB
（DBM ） ，增益（dB ）
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
P
1dB
OIP3
收益
NF
3
噪声系数（dB ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
2
1
100
0
120
0
120
图16. OIP3 ，P
1dB
， NF和增益随
BIAS
[1,2]
在3.9 GHz的。
图17. OIP3 ，P
1dB
， NF和增益随
BIAS
[1,2]
在5.8 GHz的。
注意事项：
1.测量就固定调谐测试夹具被调整为噪声系数为4V 80毫安偏见。该电路表示一种折衷
之间的最佳噪声匹配，最大增益匹配，并根据生产测试要求实现的匹配。电路损耗有
被去嵌入从实际测量值。
2.静态漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
接近时，这个漏电流可能增加或减少
取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
该设备的功率输出运行方式更接近B级
P
1dB
。这将导致更高的P
1dB
和更高的PAE （功率附加效率）相比，是受一个恒定驱动的元件
电流源作为典型的做法是用有源偏置。
噪声系数（dB ）
ATF-35143
低噪声赝HEMT
在一个表面贴装塑料封装
数据表
描述
Avago的ATF - 35143是一款高动态范围，低噪音，
PHEMT坐落在一个4引脚SC- 70 （ SOT- 343 ）表面
贴装塑料封装。
根据其功能的表现， ATF- 35143适用
在蜂窝和PCS基站， LEO的应用
系统， MMDS等系统需要超低价
噪声系数具有良好的拦截，在450 MHz至10
GHz的频率范围内。
该系列的其它PHEMT器件是ATF- 34143
和ATF- 33143 。典型的规格为这些
在2GHz的设备示于下表：
特点
无铅选项可用
低噪声系数
优异的均匀度在产品规格
低成本表面贴装小型塑料包装
SOT - 343 （ 4引线SC- 70 ）
可带盘式包装选项
特定网络阳离子
1.9 GHz的; 2 V 15 mA（典型值）
0.4分贝噪声系数
18分贝相关的增益
1 dB增益压缩11 dBm的输出功率
21 dBm输出3
rd
为了拦截
表面贴装封装
SOT-343
应用
低噪声放大器，用于蜂窝/ PCS手机
LNA的WLAN， WLL / RLL ，狮子座， MMDS系统
通用离散PHEMT的其他超低
噪声应用
引脚连接和封装标识
5Px
漏
来源
来源
门
注：俯视图。包装标识提供
定位和识别。
“ 5P ” =设备代码
“X” =日期代码字符。一个新的角色
分配给每一个月，一年。
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
ESD机模型（ A类）
ESD人体模型（ 0级）
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电危害及防治。
产品型号
ATF-33143
ATF-34143
ATF-35143
门宽
1600 μ
800 μ
400 μ
偏置点
4 V， 80毫安
4 V， 60毫安
2 V ， 15毫安
NF（ dB）的
0.5
0.5
0.4
嘎（分贝）
15.0
17.5
18.0
OIP3 （ dBm的）
33.5
31.5
21.0
ATF- 35143绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
DISS
P
在MAX
T
CH
T
英镑
jc
参数
漏 - 源极电压
[2]
栅 - 源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
总功耗
[4]
RF输入功率
通道温度
储存温度
热阻
[5]
单位
V
V
V
mA
mW
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
5.5
-5
-5
I
dss[3]
300
14
160
-65 160
150
注意事项：
1.操作该设备上面的任何
这些参数中的一个可能会导致
永久性损坏。
2.假设DC quiesent条件。
3. V
GS
= 0 V
4.源铅温度为25 ℃。
减额3.2毫瓦/°C，对于T
L
> 67 ℃。
使用测量5.热电阻
QFI测量方法。
产品的一致性分布图表
[7, 8]
120
100
80
I
DS
（MA ）
0V
+0.6 V
120
100
80
CPK = 1.73
标准= 0.35
标准-3
60
40
3性病
60
40
–0.6 V
20
0
0
2
4
V
DS
(V)
6
8
20
0
19
20
21
22
23
24
OIP3 （ dBm的）
图1.典型的脉冲I- V曲线
[6]
.
(V
GS
= -0.2每步骤V）的
200
CPK = 3.7
标准= 0.03
图2. OIP3 @ 2千兆赫， 2 V 15 mA的电流。
LSL = 19.0 ，额定= 20.9 ， USL = 23.0
160
CPK = 2.75
标准= 0.17
160
120
120
标准-3
3性病
80
标准-3
3性病
80
40
40
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0
16
17
18
增益（dB ）
19
20
NF（ dB）的
图3. NF @ 2千兆赫， 2 V 15 mA的电流。
LSL = 0.2 ，额定= 0.37 ， USL = 0.7
图4.增益@ 2千兆赫， 2 V 15 mA的电流。
LSL = 16.5 ，额定= 18.0 ， USL = 19.5
注意事项：
6.在大信号条件下，V GS可摆动阳性和漏电流可能超过的Idss 。这些条件都可以接受的，只要
最大PDISS和引脚最大额定值不超标。
7.分布数据样本大小是由9个不同的晶片取450样品。分配给该产品未来的晶片可具有标称值
内的上下规格界限的任意位置。
8.测量就生产测试板。该电路表示一个最佳噪声匹配和realizeable匹配之间的折衷
根据生产测试需求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2
ATF- 35143电气规格
T
A
= 25℃时，在一个测试电路，用于典型的装置测量射频参数
符号
参数和测试条件
I
DSS [ 1 ]
V
P [1]
I
d
g
m[1]
I
GDO
I
GSS
饱和漏极电流
夹断电压
静态偏置电流
跨
栅漏漏电流
栅极漏电流
F = 2 GHz的
NF
噪声系数
[3]
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
G
a
相关的增益
[3]
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
OIP3
输出3
rd
订单
截取点
[4, 5]
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
P
1dB
1分贝压缩
截取点
[4]
F = 900兆赫
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.5 V，I
DS
= 10 I％
DSS
V
GS
= 0.45 V, V
DS
= 2 V
V
DS
= 1.5 V ，G
m
= I
DSS
/V
P
V
GD
= 5 V
V
GD
= V
GS
= -4 V
V
DS
= 2 V，I
DS
= 15毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 5毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 15毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 5毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 15毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 5毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 15毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 5毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 15毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 5毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 15毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 5毫安
V
DS
= 2 V，I
DSQ
= 15毫安
V
DS
= 2 V，I
DSQ
= 5毫安
V
DS
= 2 V，I
DSQ
= 15毫安
V
DS
= 2 V，I
DSQ
= 5毫安
单位
mA
V
mA
mmho
μA
μA
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
分钟。
40
-0.65
—
90
—
典型值。
[2]
65
-0.5
15
120
10
0.4
0.5
0.3
0.4
马克斯。
80
-0.35
—
—
250
150
0.7
0.9
16.5
14
18
16
20
18
19.5
18
19
21
14
19
14
10
8
9
9
注意事项：
1.保证在晶圆探针水平
从450份样品尺寸来确定从9晶片2.典型值。
3. 2V 5毫安分钟/经2V 15毫安生产测试保证最高的数据。
采用图5所示的生产测试板上获得4测量。
5. P
OUT
每个音= -10 dBm的
输入
50 OHM
传输
线，包括
栅极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.66
Γ_ang
= 5°
（ 0.4分贝损失）
DUT
50 OHM
传输
线，包括
漏极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
产量
用于噪声系数，相关的增益，P 2 GHz的生产测试板图5.框图
1dB
和OIP3测量。
该电路表示一个最佳噪声匹配，并根据生产测试要求的可实现的匹配之间的一个折衷。
电路损耗已解嵌，从实际测量。
3
ATF- 35143典型性能曲线
30
OIP3
30
25
25
OIP3 ，P
1dB
（ dBm的）
OIP3 ，P
1dB
（ dBm的）
OIP3
20
15
10
5
0
0
10
20
30
I
DSQ
（MA ）
40
50
60
P
1dB
2V
3V
4V
20
P
1dB
15
10
2V
3V
4V
5
0
10
20
30
I
DSQ
（MA ）
40
50
60
图6. OIP3和P
1dB
与偏差在2 GHz 。
[1,2]
图7. OIP3和P
1dB
与偏置在900兆赫。
[1,2]
20
2V
3V
4V
2.5
24
2V
3V
4V
2.5
19
G
a
2
22
G
a
2
NF（ dB）的
G
a
（ dB）的
17
NF
1
18
NF
1
16
0.5
16
0.5
15
0
10
20
30
I
DSQ
（MA ）
40
50
60
0
14
0
10
20
30
I
DSQ
（MA ）
40
50
60
0
图8. NF和G
a
与偏差在2 GHz 。
[1]
图9. NF和G
a
与偏置在900兆赫。
[1]
25
20
15
10
5
0
-5
0
20
40
I
DS
（MA ）
60
80
2V
3V
4V
20
15
P
1dB
（ dBm的）
P
1dB
（ dBm的）
10
5
0
2V
3V
4V
-5
0
20
40
I
DS
（MA ）
60
80
图10. P
1dB
与偏置（有源偏置）
调整为NF @ 2V ，为15 mA 2千兆赫。
[1]
图11. P
1dB
与偏置（有源偏置）
调整为NF @ 2V ， 15毫安在900MHz 。
[1]
注意事项：
1.测量就固定调整生产测试板，在2 V 15毫安调整与合理的噪声系数最佳增益匹配
偏见。该电路表示基于生产测试之间的最佳噪声匹配，最大增益匹配和可实现的匹配权衡
板的要求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2. P
1dB
测量与被动偏置进行。静态漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
接近时，这个漏
电流可增大或减小取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
该设备为B类为电源运行更近
输出接近P
1dB
。这将导致更高的P
1dB
和更高的PAE （功率附加效率）相比，是受一个恒定驱动的元件
电流源作为典型的做法是用有源偏置。作为一个例子，在一个V
DS
= 4 V和I
DSQ
= 5毫安，我
d
增大到30毫安作为P
1dB
+15 dBm的是
走近。
4
NF（ dB）的
G
a
（ dB）的
18
1.5
20
1.5
ATF- 35143典型性能曲线，
持续
1.50
1.25
20
1.00
25
5毫安
15毫安
30毫安
F
民
（ dB）的
F
民
（ dB）的
5毫安
15毫安
30毫安
0.75
0.50
15
10
0.25
0
0
2
4
6
8
5
10
0
2
4
6
8
10
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图12. F
民
与频率和电流2V 。
图13.相关增益与
频率和电流2V 。
1.0
25
22
20
0.8
G
a
（ dB）的
NF（ dB）的
18
25C
-40C
85C
0.6
OIP3 ，P
1dB
（ dBm的）
20
15
25C
-40C
85C
16
0.4
14
0.2
10
12
0
2
4
6
8
频率（GHz ）
0
5
0
2
4
6
8
频率（GHz ）
图14. F
民
和G
a
与频率和
温度，V
DS
= 2V ，我
DS
= 15 mA的电流。
25
2.5
图15. OIP3和P
1dB
与频率和
温度
[1,2]
, V
DS
= 2V ，我
DS
=15mA.
25
3
2.5
2
1.5
1
P
1dB
OIP3
收益
NF
OIP3 ，P
1dB
（DBM ） ，增益（dB ）
OIP3 ，P
1dB
（DBM ） ，增益（dB ）
20
2
20
15
10
5
0
-5
0
20
40
I
DS
（MA ）
60
10
P
1dB
OIP3
收益
NF
1
5
0.5
NF（ dB）的
0.5
0
80
0
0
20
40
I
DS
（MA ）
60
0
80
图16. OIP3 ，P
1dB
， NF和增益与偏置
[1]
（有源偏置， 2V ， 3.9千兆赫） 。
图17. OIP3 ，P
1dB
， NF和增益与偏置
[1]
（有源偏置， 2V ， 5.8千兆赫） 。
注意事项：
1.测量就固定调谐测试夹具是在2 V 15毫安偏置调整为噪声系数。该电路表示之间的折衷
最佳噪声匹配，最大增益匹配和基于生产测试要求实现的匹配。电路损耗已经DE-
嵌入式与实际测量值。
2. P
1dB
测量与被动偏置进行。静态漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
正在临近，
漏电流可能增加或减少取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
设备运行更接近B级为
功率输出接近P
1dB
。这将导致更高的P
1dB
和更高的PAE （功率附加效率）相比，由一个驱动装置
恒流源作为典型的做法是用有源偏置。作为一个例子，在一个V
DS
= 4V我
DSQ
= 5毫安，我
d
增大到30毫安作为P
1dB
+15
dBm的逼近。
5
NF（ dB）的
15
1.5
QQ：2880707522 复制
