ATF-521P8
高线性度增强模式
[1]
在赝HEMT
2×2毫米
2
LPCC
[3]
包
数据表
描述
Avago的ATF- 521P8是一款单电压高
线性度，低噪声E- pHEMT制采用8引脚JEDEC-
标准无引线塑料芯片载体（ LPCC
[3]
）封装。
该器件是理想的中等功率，高线性
放大器。其工作频率范围为50兆赫
到6 GHz 。
热效率的封装尺寸仅为采用2mm x
采用2mm x 0.75毫米。其背面金属化提供EX-
cellent散热及视觉证据
回流焊接。该器件拥有超过300点MTTF
年在+ 85 ℃下的安装温度。所有器件
是100％的RF &直流测试。
特点
单电压操作
高线性和P1dB的
低噪声系数
卓越的均匀度在产品规格
小封装尺寸：
2.0× 2.0× 0.75毫米
3
点MTTF > 300年
[2]
MSL- 1和无铅
可用的磁带和卷轴包装选项
特定网络阳离子
2 GHz的; 4.5V 200 mA（典型值）
42 dBm的输出IP3
26.5 dBm的输出功率为1 dB增益压缩
1.5分贝噪声系数
15 dB增益
12.5分贝轻组有机质
[4]
引脚连接和封装标识
引脚8
引脚7 （漏）
引脚6
5脚
来源
（热/ RF GND）
引脚1 （来源）
引脚2 （门）
3脚
引脚4 （来源）
底部视图
引脚1 （来源）
引脚2 （门）
3脚
引脚4 （来源）
引脚8
应用
前端LNA Q2和Q3 ，驱动程序或预驱动放大器
用于蜂窝/ PCS和WCDMA无线基础设施
驱动器放大器， WLAN， WLL / RLL和MMDS的应用
系统蒸发散
通用离散的E-pHEMT其他高直链
性应用
2Px
顶视图
引脚7 （漏）
引脚6
5脚
注意：
包装标识提供了方向和identi网络阳离子
“ 2P ” =器件代码
的“x” =月代码表示制造月份。
注意：
1.增强型技术采用一个正V
gs
,
消除了与相关联的负栅极电压的需要
传统的耗尽型器件。
2.请参阅可靠性数据表的详细数据MTTF
3.顺应JEDEC的参考大纲MO229为DRP -N
优异4.线性图（轻组有机质）基本上OIP3除以DC
偏置电源。
注意事项：
请遵守注意事项静电处理
敏感的设备。
ESD机模型（ A类）
ESD人体模型（ 1C类）
请参考安华高科技应用笔记A004R ：静电
放电损坏和控制。
ATF- 521P8绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
I
GS
P
DISS
P
在MAX中。
T
CH
T
英镑
θ
ch_b
参数
漏 - 源极电压
[2]
栅 - 源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
栅电流
总功耗
[3]
RF输入功率
通道温度
储存温度
热阻
[4]
单位
V
V
V
mA
mA
W
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
7
-5 1
-5 1
500
46
1.5
27
150
-65到150
45
注意事项：
1.操作此设备中多余的这些参数中的任一项所述的可能会造成永久性的损坏。
2.假设DC静态条件。
3.委员会（包肚）温度T
B
为25℃ 。减免22毫瓦/°C，对于T
B
> 83 ℃。
4.通道到板热阻用150℃的液晶测量方法进行测定。
5.设备可以安全地处理IGS提供的仅限于46毫安+ 27dBm的RF输入功率。鈊象电子在P1dB的驱动电平偏置电路有关。
产品的一致性分布图表
[5, 6]
600
500
400
I
DS
（MA ）
0.8V
0.7V
180
150
120
90
VGS = 0.6V
标准偏差= 0.19
150
CPK = 0.86
标准偏差= 1.32
120
300
200
100
0
标准-3
3性病
90
标准-3
3性病
60
60
30
0
6
8
30
0.5V
0.4V
0
2
4
V
DS
(V)
0
0.5
1
1.5
NF（ dB）的
2
2.5
3
0
37
39
41
43
OIP3 （ dBm的）
45
47
49
图1：典型的I -V曲线。
(V
GS
= 0.1每步骤V）的
180
150
120
90
60
30
0
标准-3
3性病
CPK = 2.13
标准偏差= 0.21
图2. NF @ 2千兆赫， 4.5伏200毫安。
额定= 1.5分贝。
300
250
200
150
100
50
0
标准-3
3性病
图3. OIP3 @ 2千兆赫， 4.5伏200毫安。
额定= 41.9 dBm时， LSL = 38.5 dBm的。
CPK = 4.6
标准偏差= 0.11
15
16
17
增益（dB ）
18
19
25
25.5
26
26.5
27
27.5
P1dB的（ DBM）
图4.增益@ 2千兆赫， 4.5伏200毫安。
额定= 17.2分贝， LSL = 15.5分贝，
USL = 18.5分贝。
图5的P1dB @ 2千兆赫， 4.5 V 200 mA的电流。
额定= 26.5 dBm时， LSL = 25 dBm的。
注意事项：
5.分布数据样本大小是从5个不同的晶片取500个样本。分配给该产品未来的晶片可具有标称值
间的上限和下限的任何地方。
6.测量是在生产测试板，它代表了最佳的OIP3 ， P1dB为和VSWR之间的权衡作出。电路损耗有
被去嵌入从实际测量值。
2
ATF- 521P8电气规格
T
A
= 25 ℃，直流偏压RF参数是的Vds = 4.5V和ID = 200毫安除非另有规定。
符号
VGS
VTH
IDSS
Gm
IGSS
NF
G
OIP3
P1dB
PAE
ACLR
参数和测试条件
运营栅极电压
阈值电压
饱和漏极电流
跨
栅极漏电流
噪声系数
[1]
收益
[1]
输出3
rd
订单
截取点
[1]
输出1分贝
压缩
[1]
功率附加效率
F = 900兆赫
邻道泄漏
功率比
[1,2]
单位
分钟。
—
—
—
—
20
—
—
15.5
—
38.5
—
25
—
典型值。
0.62
0.28
14.8
1300
0.49
1.5
1.2
17
17.2
42
42.5
26.5
26.5
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
18.5
—
—
—
—
—
VDS = 4.5V ， IDS = 200毫安
V
VDS = 4.5V ， IDS = 16毫安
V
VDS = 4.5V ， VGS = 0V
A
VDS = 4.5V ，GM = ΔIdss / ΔVGS ; mmho
VGS = VGS1 - VGS2
VGS1 = 0.55V ， VGS2 = 0.5V
VDS = 0V ， VGS = -4V
A
F = 2 GHz的
dB
F = 900兆赫
dB
F = 2 GHz的
dB
F = 900兆赫
dB
F = 2 GHz的
DBM
F = 900兆赫
DBM
F = 2 GHz的
DBM
F = 900兆赫
DBM
F = 2千兆赫％
45
60
—
%
—
56
—
偏移BW = 5兆赫
dBc的
胶印BW = 10 MHz的
dBc的
—
—
51.4
61.5
—
—
注意事项：
用图6描述的生产测试板获得1测量。
2. ACLR测试规范基于3GPP TS 25.141 V5.3.1 （ 2002-06 ）
- 测试模型1
- 活动通道： PCCPCH + SCH + CPICH + PICH + SCCPCH + 64 DPCH （ SF = 128 ）
- 频率= 2140 MHz的
- 引脚= -5 dBm的
- 陈积分带宽= 3.84 MHz的
输入
50 OHM
传输
线，包括
栅极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.55
Γ_ang
= -166°
（1.1 dB损耗）
DUT
产量
匹配电路
Γ_mag
= 0.35
Γ_ang
= 168°
（0.9 dB损耗）
50 OHM
传输
线
漏极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
产量
用于NF ，增益， OIP3 ， P1dB为和PAE和ACLR测量的2 GHz的生产测试板图6.框图。该税务局局长
CUIT达到最佳的OIP3 ， P1dB为和VSWR之间的权衡。电路损耗已解嵌，从实际测量。
3
1 pF的
3.9 nH的
1.5 pF的
50 OHM
.02
λ
12 nH的
15欧姆
2.2
F
2.2
F
110 OHM
.03
λ
110 OHM
.03
λ
50 OHM
.02
λ
1.5 pF的
RF输入
DUT
RF输出
47 nH的
门
供应
漏
供应
图生产测试板7简图。主要目的是显示15欧姆电阻串联放置在栅极供电。
传输线一端逐渐变细，三通交点，偏置线和寄生值未示出。
伽玛负载和电源的最佳OIP3和P1dB的调整条件
该设备的最佳的OIP3和P1dB的测量是采用莫里负载牵引系统在4.5V测定， 200
毫安quiesent偏差：
频率
（千兆赫）
0.9
2
2.4
3.9
伽马源
MAG
昂（度）
0.413
0.368
0.318
0.463
10.5
162.0
169.0
134.0
最佳OIP3
伽玛负载
OIP3
MAG
昂（度）
（ dBm的）
0.314
0.538
0.566
0.495
179.0
176.0
169.0
159.0
42.7
42.5
42.0
40.3
收益
（ dB）的
16.0
15.8
14.1
9.6
P1dB
（ dBm的）
27.0
27.5
27.4
27.3
PAE
(%)
54.0
55.3
53.5
43.9
频率
（千兆赫）
0.9
2
2.4
3.9
伽马源
MAG
昂（度）
0.587
0.614
0.649
0.552
12.7
126.1
145.0
162.8
最佳的P1dB
伽玛负载
OIP3
MAG
昂（度）
（ dBm的）
0.613
0.652
0.682
0.670
172.1
172.5
171.5
151.2
39.1
39.5
40.0
38.1
收益
（ dB）的
14.5
12.9
12.0
9.6
P1dB
（ dBm的）
29.3
29.3
29.4
27.9
PAE
(%)
49.6
49.5
46.8
39.1
4
ATF- 521P8典型性能曲线
（在25 ° C除非另有说明）
调整为最佳OIP3
50
45
40
OIP3 （ dBm的）
OIP3 （ dBm的）
45
40
35
30
25
20
15
400
10
100
150
200
250
I
d
（MA ）
300
4.5V
4V
3V
50
45
40
OIP3 （ dBm的）
35
30
25
20
15
10
100
150
200
250
I
d
（MA ）
300
4.5V
4V
3V
35
30
25
20
15
4.5V
4V
3V
350
350
400
10
100
150
200
250
I
d
（MA ）
300
350
400
图8. OIP3与我
ds
和V
ds
在2 GHz 。
图9. OIP3与我
ds
和V
ds
在900兆赫。
图10. OIP3与我
ds
和V
ds
在3.9 GHz的。
35
35
35
30
P1dB的（ DBM）
P1dB的（ DBM）
30
P1dB的（ DBM）
4.5V
4V
3V
30
25
25
25
20
4.5V
4V
3V
20
20
4.5V
4V
3V
15
15
15
10
100
150
200
250
I
dq
（MA ）
300
350
400
10
100
150
200
250
I
dq
（MA ）
300
350
400
10
100
150
200
250
I
dq
（MA ）
300
350
400
图11的P1dB与我
dq
和V
ds
在2 GHz 。
图12的P1dB与我
dq
和V
ds
在900兆赫。
图13的P1dB与我
dq
和V
ds
在3.9 GHz的。
17
16
15
增益（ dBm的）
增益（ dBm的）
17
16
15
14
13
12
11
400
10
100
4.5V
4V
3V
12
11
10
增益（ dBm的）
14
13
12
11
10
100
150
200
250
I
d
（MA ）
300
4.5V
4V
3V
9
8
7
6
4.5V
4V
3V
350
150
200
250
I
d
（MA ）
300
350
400
5
100
150
200
250
I
d
（MA ）
300
350
400
图14.小信号增益VS我
ds
和V
ds
在2 GHz 。
图15.小信号增益VS我
ds
和V
ds
在900兆赫。
图16.小信号增益VS我
ds
和V
ds
在3.9 GHz的。
注意：
偏置电流对上述图表是静止条件。实际水平可能会增加取决于RF驱动器的数量。
5
安捷伦ATF- 521P8高线性度
增强型
[1]
在赝HEMT
2×2毫米
2
LPCC
[3]
包
数据表
特点
单电压操作
高线性和P1dB的
描述
安捷伦科技公司的ATF- 521P8是
单电压高线性，低噪声
E- pHEMT制采用8引脚JEDEC-
标准无引线塑料芯片载体
（ LPCC
[3]
）封装。该装置是理想
作为一个中等功率，高线性上午
plifier 。它的工作频率范围
是从50兆赫到6千兆赫。
热效率的封装测
祖雷斯贝尔只采用2mm x 2mm X 0.75毫米。其
背面金属化提供了excel-
借给散热以及VI-
回流焊的西伯利亚乌拉尔铝业公司的证据。该
设备有超过300点的平均无故障时间
在多年的安装温度
+ 85°C 。所有器件100 ％的RF & DC
测试。
引脚连接和
包装标志
引脚8
引脚7 （漏）
引脚6
5脚
低噪声系数
卓越的均匀性，在产品
特定网络阳离子
引脚1 （来源）
引脚2 （门）
3脚
引脚4 （来源）
来源
（热/ RF GND）
小封装尺寸：
2.0× 2.0× 0.75毫米
3
点MTTF > 300年
[2]
MSL- 1和无铅
带盘式包装选项
可用的
底部视图
引脚1 （来源）
引脚2 （门）
3脚
引脚4 （来源）
引脚8
2Px
顶视图
引脚7 （漏）
引脚6
5脚
特定网络阳离子
2 GHz的; 4.5V 200 mA（典型值）
42 dBm的输出IP3
26.5 dBm的输出功率为1 dB增益
压缩
1.5分贝噪声系数
15 dB增益
注意：
包装标识规定的方向和
鉴定
“ 2P ” =器件代码
的“x” =月代码表示的月份
制造。
注意：
1.增强模式技术，采用了
单正V
gs
，消除了需要
负栅极电压有关
传统的耗尽型器件。
2.请参阅可靠性数据表详细
MTTF数据
3.顺应JEDEC参考大纲MO229
为DRP -N
优异4.线性图（轻组有机质）本质上是
OIP3通过直流偏置电源分。
12.5分贝轻组有机质
[4]
应用
前端LNA Q2和Q3 ，驱动程序或
预驱动放大器，用于蜂窝/
PCS和WCDMA无线
基础设施
驱动器放大器， WLAN，
WLL / RLL和MMDS的应用
通用离散E- PHEMT
其他高线性度应用
ATF- 521P8绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
I
GS
P
DISS
P
在MAX中。
T
CH
T
英镑
θ
ch_b
参数
漏 - 源极电压
[2]
栅 - 源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
栅电流
总功耗
[3]
RF输入功率
通道温度
储存温度
热阻
[4]
单位
V
V
V
mA
mA
W
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
7
-5 1
-5 1
500
46
1.5
27
150
-65到150
45
注意事项：
超过任何一个1.操作此设备的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3.委员会（包肚）温度T
B
为25℃ 。
减免22毫瓦/°C，对于T
B
> 83 ℃。
4.通道登上热阻
使用150℃的液晶测
测量方法。
5.设备可以安全地处理+ 27dBm的RF输入
IGS提供的功率被限制在46毫安。 IGS
在P1dB的驱动电平偏置电路有关。
产品的一致性分布图表
[5, 6]
600
500
400
I
DS
（MA ）
0.8V
0.7V
180
标准偏差= 0.19
150
120
90
VGS = 0.6V
150
CPK = 0.86
标准偏差= 1.32
120
标准-3
3性病
90
标准-3
3性病
300
200
100
0
60
60
30
0
6
8
30
0.5V
0.4V
0
0
0.5
1
1.5
NF（ dB）的
2
2.5
3
37
39
0
2
4
V
DS
(V)
41
43
OIP3 （ dBm的）
45
47
49
图1：典型的I -V曲线。
(V
GS
= 0.1每步骤V）的
图2. NF @ 2千兆赫， 4.5伏200毫安。
额定= 1.5分贝。
图3. OIP3 @ 2千兆赫， 4.5伏200毫安。
额定= 41.9 dBm时， LSL = 38.5 dBm的。
180
150
120
90
60
30
0
标准-3
3性病
CPK = 2.13
标准偏差= 0.21
300
250
200
150
100
50
0
标准-3
3性病
CPK = 4.6
标准偏差= 0.11
15
16
17
增益（dB ）
18
19
25
25.5
26
26.5
27
27.5
P1dB的（ DBM）
图4.增益@ 2千兆赫， 4.5伏200毫安。
额定= 17.2分贝， LSL = 15.5分贝，
USL = 18.5分贝。
图5的P1dB @ 2千兆赫， 4.5 V 200 mA的电流。
额定= 26.5 dBm时， LSL = 25 dBm的。
注意事项：
5.分布数据样本大小是从5个不同的晶片取500个样本。未来晶圆分配
该产品可具有标称值的上限和下限之间的任何地方。
6.测量是在生产测试板，它代表了最优之间的权衡做出
OIP3 ， P1dB为和VSWR 。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2
ATF- 521P8电气规格
T
A
= 25 ℃，直流偏压RF参数是的Vds = 4.5V和ID = 200毫安除非另有规定。
符号
VGS
VTH
IDSS
Gm
参数和测试条件
运营栅极电压
阈值电压
饱和漏极电流
跨
VDS = 4.5V ， IDS = 200毫安
VDS = 4.5V ， IDS = 16毫安
VDS = 4.5V ， VGS = 0V
VDS = 4.5V ，GM =
ΔIdss / ΔVGS ;
VGS = VGS1 - VGS2
VGS1 = 0.55V ， VGS2 = 0.5V
VDS = 0V ， VGS = -4V
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
偏移BW = 5兆赫
胶印BW = 10 MHz的
单位
V
V
A
mmho
分钟。
—
—
—
—
典型值。
0.62
0.28
14.8
1300
马克斯。
—
—
—
—
IGSS
NF
G
OIP3
P1dB
PAE
ACLR
栅极漏电流
噪声系数
[1]
收益
[1]
输出3
rd
订单
截取点
[1]
输出1分贝
压缩
[1]
功率附加效率
邻道泄漏
功率比
[1,2]
A
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
%
%
dBc的
dBc的
-20
—
—
15.5
—
38.5
—
25
—
45
—
—
—
0.49
1.5
1.2
17
17.2
42
42.5
26.5
26.5
60
56
-51.4
-61.5
—
—
—
18.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
注意事项：
用图6描述的生产测试板获得1测量。
2. ACLR测试规范基于3GPP TS 25.141 V5.3.1 （ 2002-06 ）
- 测试模型1
- 活动通道： PCCPCH + SCH + CPICH + PICH + SCCPCH + 64 DPCH （ SF = 128 ）
- 频率= 2140 MHz的
- 引脚= -5 dBm的
- 陈积分带宽= 3.84 MHz的
输入
50 OHM
传输
线，包括
栅极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.55
Γ_ang
= -166°
（1.1 dB损耗）
DUT
产量
匹配电路
Γ_mag
= 0.35
Γ_ang
= 168°
（0.9 dB损耗）
50 OHM
传输
线
漏极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
产量
用于NF ，增益， OIP3 ， P1dB为和PAE和ACLR测量的2 GHz的生产测试板图6.框图。该电路实现了
最佳的OIP3 ， P1dB为和VSWR之间的权衡。电路损耗已解嵌，从实际测量。
3
1 pF的
3.9 nH的
1.5 pF的
50 OHM
.02
λ
12 nH的
15欧姆
2.2
F
2.2
F
110 OHM
.03
λ
110 OHM
.03
λ
50 OHM
.02
λ
1.5 pF的
RF输入
DUT
47 nH的
RF输出
门
供应
漏
供应
图生产测试板7简图。主要目的是显示15欧姆串联电阻器放置在
门的供应。传输线一端逐渐变细，三通交点，偏置线和寄生值未示出。
伽玛负载和电源的最佳OIP3和P1dB的调整条件
该器件的最佳OIP3和P1dB的测量是采用莫里负载牵引系统，在确定
4.5V ， 200毫安quiesent偏差：
最佳OIP3
伽玛负载
OIP3
MAG
昂（度）
（ dBm的）
0.314
0.538
0.566
0.495
179.0
-176.0
-169.0
-159.0
42.7
42.5
42.0
40.3
频率
（千兆赫）
0.9
2
2.4
3.9
伽马源
MAG
昂（度）
0.413
0.368
0.318
0.463
10.5
162.0
169.0
-134.0
收益
（ dB）的
16.0
15.8
14.1
9.6
P1dB
（ dBm的）
27.0
27.5
27.4
27.3
PAE
(%)
54.0
55.3
53.5
43.9
频率
（千兆赫）
0.9
2
2.4
3.9
伽马源
MAG
昂（度）
0.587
0.614
0.649
0.552
12.7
126.1
145.0
-162.8
最佳的P1dB
伽玛负载
OIP3
MAG
昂（度）
（ dBm的）
0.613
0.652
0.682
0.670
-172.1
-172.5
-171.5
-151.2
39.1
39.5
40.0
38.1
收益
（ dB）的
14.5
12.9
12.0
9.6
P1dB
（ dBm的）
29.3
29.3
29.4
27.9
PAE
(%)
49.6
49.5
46.8
39.1
4
安捷伦ATF- 521P8高线性度
增强型
[1]
在赝HEMT
2×2毫米
2
LPCC
[3]
包
数据表
特点
单电压操作
高线性和P1dB的
描述
安捷伦科技公司的ATF- 521P8是
单电压高线性，低噪声
E- pHEMT制采用8引脚JEDEC-
标准无引线塑料芯片载体
（ LPCC
[3]
）封装。该装置是理想
作为一个中等功率，高线性上午
plifier 。它的工作频率范围
是从50兆赫到6千兆赫。
热效率的封装测
祖雷斯贝尔只采用2mm x 2mm X 0.75毫米。其
背面金属化提供了excel-
借给散热以及VI-
回流焊的西伯利亚乌拉尔铝业公司的证据。该
设备有超过300点的平均无故障时间
在多年的安装温度
+ 85°C 。所有器件100 ％的RF & DC
测试。
引脚连接和
包装标志
引脚8
引脚7 （漏）
引脚6
5脚
低噪声系数
卓越的均匀性，在产品
特定网络阳离子
引脚1 （来源）
引脚2 （门）
3脚
引脚4 （来源）
来源
（热/ RF GND）
小封装尺寸：
2.0× 2.0× 0.75毫米
3
点MTTF > 300年
[2]
MSL- 1和无铅
带盘式包装选项
可用的
底部视图
引脚1 （来源）
引脚2 （门）
3脚
引脚4 （来源）
引脚8
2Px
顶视图
引脚7 （漏）
引脚6
5脚
特定网络阳离子
2 GHz的; 4.5V 200 mA（典型值）
42 dBm的输出IP3
26.5 dBm的输出功率为1 dB增益
压缩
1.5分贝噪声系数
15 dB增益
注意：
包装标识规定的方向和
鉴定
“ 2P ” =器件代码
的“x” =月代码表示的月份
制造。
注意：
1.增强模式技术，采用了
单正V
gs
，消除了需要
负栅极电压有关
传统的耗尽型器件。
2.请参阅可靠性数据表详细
MTTF数据
3.顺应JEDEC参考大纲MO229
为DRP -N
优异4.线性图（轻组有机质）本质上是
OIP3通过直流偏置电源分。
12.5分贝轻组有机质
[4]
应用
前端LNA Q2和Q3 ，驱动程序或
预驱动放大器，用于蜂窝/
PCS和WCDMA无线
基础设施
驱动器放大器， WLAN，
WLL / RLL和MMDS的应用
通用离散E- PHEMT
其他高线性度应用
ATF- 521P8绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
I
GS
P
DISS
P
在MAX中。
T
CH
T
英镑
θ
ch_b
参数
漏 - 源极电压
[2]
栅 - 源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
栅电流
总功耗
[3]
RF输入功率
通道温度
储存温度
热阻
[4]
单位
V
V
V
mA
mA
W
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
7
-5 1
-5 1
500
46
1.5
27
150
-65到150
45
注意事项：
超过任何一个1.操作此设备的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3.委员会（包肚）温度T
B
为25℃ 。
减免22毫瓦/°C，对于T
B
> 83 ℃。
4.通道登上热阻
使用150℃的液晶测
测量方法。
5.设备可以安全地处理+ 27dBm的RF输入
IGS提供的功率被限制在46毫安。 IGS
在P1dB的驱动电平偏置电路有关。
产品的一致性分布图表
[5, 6]
600
500
400
I
DS
（MA ）
0.8V
0.7V
180
标准偏差= 0.19
150
120
90
VGS = 0.6V
150
CPK = 0.86
标准偏差= 1.32
120
标准-3
3性病
90
标准-3
3性病
300
200
100
0
60
60
30
0
6
8
30
0.5V
0.4V
0
0
0.5
1
1.5
NF（ dB）的
2
2.5
3
37
39
0
2
4
V
DS
(V)
41
43
OIP3 （ dBm的）
45
47
49
图1：典型的I -V曲线。
(V
GS
= 0.1每步骤V）的
图2. NF @ 2千兆赫， 4.5伏200毫安。
额定= 1.5分贝。
图3. OIP3 @ 2千兆赫， 4.5伏200毫安。
额定= 41.9 dBm时， LSL = 38.5 dBm的。
180
150
120
90
60
30
0
标准-3
3性病
CPK = 2.13
标准偏差= 0.21
300
250
200
150
100
50
0
标准-3
3性病
CPK = 4.6
标准偏差= 0.11
15
16
17
增益（dB ）
18
19
25
25.5
26
26.5
27
27.5
P1dB的（ DBM）
图4.增益@ 2千兆赫， 4.5伏200毫安。
额定= 17.2分贝， LSL = 15.5分贝，
USL = 18.5分贝。
图5的P1dB @ 2千兆赫， 4.5 V 200 mA的电流。
额定= 26.5 dBm时， LSL = 25 dBm的。
注意事项：
5.分布数据样本大小是从5个不同的晶片取500个样本。未来晶圆分配
该产品可具有标称值的上限和下限之间的任何地方。
6.测量是在生产测试板，它代表了最优之间的权衡做出
OIP3 ， P1dB为和VSWR 。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2
ATF- 521P8电气规格
T
A
= 25 ℃，直流偏压RF参数是的Vds = 4.5V和ID = 200毫安除非另有规定。
符号
VGS
VTH
IDSS
Gm
参数和测试条件
运营栅极电压
阈值电压
饱和漏极电流
跨
VDS = 4.5V ， IDS = 200毫安
VDS = 4.5V ， IDS = 16毫安
VDS = 4.5V ， VGS = 0V
VDS = 4.5V ，GM =
ΔIdss / ΔVGS ;
VGS = VGS1 - VGS2
VGS1 = 0.55V ， VGS2 = 0.5V
VDS = 0V ， VGS = -4V
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
偏移BW = 5兆赫
胶印BW = 10 MHz的
单位
V
V
A
mmho
分钟。
—
—
—
—
典型值。
0.62
0.28
14.8
1300
马克斯。
—
—
—
—
IGSS
NF
G
OIP3
P1dB
PAE
ACLR
栅极漏电流
噪声系数
[1]
收益
[1]
输出3
rd
订单
截取点
[1]
输出1分贝
压缩
[1]
功率附加效率
邻道泄漏
功率比
[1,2]
A
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
%
%
dBc的
dBc的
-20
—
—
15.5
—
38.5
—
25
—
45
—
—
—
0.49
1.5
1.2
17
17.2
42
42.5
26.5
26.5
60
56
-51.4
-61.5
—
—
—
18.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
注意事项：
用图6描述的生产测试板获得1测量。
2. ACLR测试规范基于3GPP TS 25.141 V5.3.1 （ 2002-06 ）
- 测试模型1
- 活动通道： PCCPCH + SCH + CPICH + PICH + SCCPCH + 64 DPCH （ SF = 128 ）
- 频率= 2140 MHz的
- 引脚= -5 dBm的
- 陈积分带宽= 3.84 MHz的
输入
50 OHM
传输
线，包括
栅极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.55
Γ_ang
= -166°
（1.1 dB损耗）
DUT
产量
匹配电路
Γ_mag
= 0.35
Γ_ang
= 168°
（0.9 dB损耗）
50 OHM
传输
线
漏极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
产量
用于NF ，增益， OIP3 ， P1dB为和PAE和ACLR测量的2 GHz的生产测试板图6.框图。该电路实现了
最佳的OIP3 ， P1dB为和VSWR之间的权衡。电路损耗已解嵌，从实际测量。
3
1 pF的
3.9 nH的
1.5 pF的
50 OHM
.02
λ
12 nH的
15欧姆
2.2
F
2.2
F
110 OHM
.03
λ
110 OHM
.03
λ
50 OHM
.02
λ
1.5 pF的
RF输入
DUT
47 nH的
RF输出
门
供应
漏
供应
图生产测试板7简图。主要目的是显示15欧姆串联电阻器放置在
门的供应。传输线一端逐渐变细，三通交点，偏置线和寄生值未示出。
伽玛负载和电源的最佳OIP3和P1dB的调整条件
该器件的最佳OIP3和P1dB的测量是采用莫里负载牵引系统，在确定
4.5V ， 200毫安quiesent偏差：
最佳OIP3
伽玛负载
OIP3
MAG
昂（度）
（ dBm的）
0.314
0.538
0.566
0.495
179.0
-176.0
-169.0
-159.0
42.7
42.5
42.0
40.3
频率
（千兆赫）
0.9
2
2.4
3.9
伽马源
MAG
昂（度）
0.413
0.368
0.318
0.463
10.5
162.0
169.0
-134.0
收益
（ dB）的
16.0
15.8
14.1
9.6
P1dB
（ dBm的）
27.0
27.5
27.4
27.3
PAE
(%)
54.0
55.3
53.5
43.9
频率
（千兆赫）
0.9
2
2.4
3.9
伽马源
MAG
昂（度）
0.587
0.614
0.649
0.552
12.7
126.1
145.0
-162.8
最佳的P1dB
伽玛负载
OIP3
MAG
昂（度）
（ dBm的）
0.613
0.652
0.682
0.670
-172.1
-172.5
-171.5
-151.2
39.1
39.5
40.0
38.1
收益
（ dB）的
14.5
12.9
12.0
9.6
P1dB
（ dBm的）
29.3
29.3
29.4
27.9
PAE
(%)
49.6
49.5
46.8
39.1
4
QQ：2880707522 复制
