【APTGT75H120TG全 - 桥快速沟道+场截止IGBT电源模块VBUSQ1Q3VCES= 12】,IC型号APTGT75H120TG,APTGT75H120TG PDF资料,APTGT75H120TG经销商,ic,电子元器件-51电子网

APTGT75H120TG

全 - 桥

快速沟道+场截止IGBT

电源模块

VBUS

CES

= 1200V

= 75A @ T = 80℃

应用

焊接器

开关电源

不间断电源

电机控制

OUT1

OUT2

NTC1

NTC2

0 / VBU S

特点

快速沟道+场截止IGBT

技术

- 低电压降

- 低尾电流

- 开关频率高达20 kHz的

- 软恢复二极管并联

- 低二极管VF

- 低漏电流

- 额定雪崩能量

- RBSOA和SCSOA评分

开尔文射，方便车道

极低的杂散电感

- 对称设计

- 用于电源连接引线架

高集成度

内部热敏电阻的温度监测

好处

稳定的温度特性

很皮实

为便于PCB安装焊接的接线端子

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC

低调

符合RoHS

OUT2

VBUS

0/VBUS

OUT1

NTC2

NTC1

绝对最大额定值

符号

CES

RBSOA

参数

集电极 - 发射极击穿电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲

门 - 发射极电压

最大功率耗散

= 25°C

= 80°C

= 25°C

= 125°C

这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记

APT0502上www.microsemi.com

www.Microsemi.com

1-5

APTGT75H120TG - 版本1

反向偏置安全工作区

150A @ 1150V

2006年7月

最大额定值

1200

110

175

±20

357

单位

APTGT75H120TG

所有评级@ T

= 25 ° C除非另有说明

电气特性

符号特性

CES

CE （ SAT ）

GE （日）

GES

零栅极电压集电极电流

集电极 - 发射极饱和电压

栅极阈值电压

门 - 发射极漏电流

测试条件

= 0V, V

= 1200V

= 25°C

=15V

= 75A

= 125°C

= V

, I

= 3毫安

= 20V, V

= 0V

民

1.4

5.0

典型值

1.7

2.0

最大

250

2.1

6.5

400

单位

动态特性

符号

IES

OES

水库

D（上）

D（关闭）

D（上）

D（关闭）

关闭

特征

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

关断开关能量

测试条件

= 0V

= 25V

F = 1MHz的

电感式开关（ 25 ° C）

= ±15V

公共汽车

= 600V

= 75A

= 4.7

电感式开关（ 125°C ）

= ±15V

公共汽车

= 600V

= 75A

= 4.7

= ±15V

= 125°C

公共汽车

= 600V

= 75A

= 125°C

= 4.7

民

典型值

5340

280

240

260

420

285

520

最大

单位

8.1

反向二极管额定值和特性

符号特性

RRM

最大峰值重复反向电压

测试条件

= 25°C

= 125°C

TC = 80℃

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

民

1200

典型值

最大

350

600

单位

最大反向漏电流

直流正向电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复能量

=1200V

= 75A

的di / dt = 2000A / μs的

www.Microsemi.com

2-5

APTGT75H120TG - 版本1

2006年7月

= 75A

= 600V

1.6

170

280

2.8

5.4

2.1

APTGT75H120TG

温度传感器NTC

（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息）。

符号特性

电阻@ 25°C

25/85

= 298.15 K

民

典型值

3952

最大

单位

1 1

：热敏电阻在T值

EXP

25 / 85

T：热敏电阻温度

热和包装特点

符号特性

thJC

ISOL

英镑

力矩

结到外壳热阻

工作结温范围

存储温度范围

工作温度

安装力矩

包装重量

IGBT

二极管

民

典型值

最大

0.35

0.58

150

125

4.7

160

单位

° C / W

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

散热器来

2500

-40

2.5

°C

牛米

SP4封装外形

（单位：mm ）

ALL DIMENSIO NS注明" * "有T OLERENCED AS ：

请参阅应用笔记APT0501 - 安装说明书SP4电源模块上www.microsemi.com

www.Microsemi.com

3-5

APTGT75H120TG - 版本1

2006年7月

APTGT75H120TG

典型性能曲线

150

125

(A)

输出特性（Ⅴ

=15V)

输出特性

150

= 125°C

=25°C

=17V

=13V

=15V

125

=125°C

100

(A)

100

=9V

(V)

150

125

100

(A)

Transfert特点

=25°C

=125°C

能量损失VS集电极电流

E（兆焦耳）

(A)

反向偏置安全工作区

175

150

EOFF

= 600V

= 15V

= 4.7

= 125°C

EOFF

宙

=125°C

100

125

150

(V)

开关损耗VS栅极电阻

E（兆焦耳）

12 16 20 24

栅极电阻（欧姆）

= 600V

=15V

= 75A

= 125°C

宙

125

(A)

100

400

800

(V)

1200

1600

=15V

=125°C

=4.7

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

0.4

热阻抗（ ℃/ W）

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0.00001

0.9

0.7

0.5

0.3

0.1

0.05

0.0001

0.001

单脉冲

0.01

0.1

IGBT

矩形脉冲持续时间（秒）

www.Microsemi.com

4-5

APTGT75H120TG - 版本1

2006年7月

APTGT75H120TG

工作频率与集电极电流

最大频率，工作频率（kHz ）

(A)

100

120

HARD

开关

ZVS

ZCS

=600V

D=50%

=4.7

=125°C

=75°C

二极管的正向特性

150

125

100

(A)

0.4

0.8

1.2

1.6

(V)

2.4

=125°C

=25°C

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

0.6

热阻抗（ ℃/ W）

0.9

0.5

0.7

0.4

0.3

0.2

0.1

0.5

0.3

0.1

0.05

0.0001

0.001

单脉冲

0.01

0.1

二极管

0.00001

矩形脉冲持续时间（秒）

Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522

www.Microsemi.com

5-5

APTGT75H120TG - 版本1

Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息

2006年7月

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型号

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批号

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联系人：曾小姐

地址：昆山市朝阳东路99号4楼

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联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

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电话：13910052844（微信同步）

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