飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MW7IC2240N
牧师0 ， 11/2007
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW7IC2240N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它可以使用2000年至2200年兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为24至32伏的操作，并涵盖了所有典型的蜂窝基站
站调制格式，包括TD - SCDMA 。
典型性能
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，
I
DQ1
= 90 mA时，我
DQ2
= 420毫安，P
OUT
= 4瓦平均，全频段
（ 2110年至2170年兆赫） ，信道带宽= 3.84 MHz的。 PAR = 7.5 dB的
0.01 ％的概率在CCDF 。
功率增益 - 30分贝
功率附加效率 - 14 ％
ACPR @ 5 MHz偏移 -
-
50 dBc的在3.84 MHz的带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2140兆赫， 40瓦CW
输出功率
P
OUT
@ 1 dB压缩点为40瓦CW
稳定到5： 1的VSWR。所有马刺低于 - 60 dBc的@ 100毫瓦到10瓦
CW P
OUT
.
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的来源散射参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞， >3欧姆输出）
集成的静态电流温度补偿带使能/
禁用功能
(1)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MW7IC2240NR1
MW7IC2240GNR1
MW7IC2240NBR1
2110年至2170年兆赫， 4 W平均， 28 V 。
单W - CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
CASE一八八六年至1801年
TO - 270 WB - 16
塑料
MW7IC2240NR1
CASE 1887至1801年
TO - 270 WB - 16 GULL
塑料
MW7IC2240GNR1
CASE 1329至1309年
TO - 272 WB - 16
塑料
MW7IC2240NBR1
V
DS1
RF
in
RF
OUT
/V
DS2
GND
V
DS1
NC
NC
NC
RF
in
V
GS1
V
GS2
V
DS1
GND
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
16
15
GND
NC
14
RF
OUT
/V
DS2
V
GS1
V
GS2
V
DS1
静态电流
温度补偿
(1)
13
12
NC
GND
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
飞思卡尔半导体公司， 2007。保留所有权利。
MW7IC2240NR1 MW7IC2240GNR1 MW7IC2240NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
输入功率
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
P
in
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +5
32, +0
- 65 + 150
150
225
20
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
DBM
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
4 W的魅力。
(P
OUT
= 3.95 W平均，外壳温度= 68 ° C）第1阶段， 28伏直流电，我
DQ1
= 90毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2
= 420毫安
40瓦的魅力。
(P
OUT
= 39.4 W平均，外壳温度= 80 ° C）第1阶段， 28伏直流电，我
DQ1
= 90毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2
= 420毫安
符号
R
θJC
3.9
1.3
价值
(2,3)
单位
° C / W
3.2
1.2
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
II （最少）
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
（续）
MW7IC2240NR1 MW7IC2240GNR1 MW7IC2240NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
第1阶段 - 断特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第1阶段 - 在特色
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 23
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 90 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 90 MADC ，测量功能测试）
第1阶段 - 动态特性
(1)
输入电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
第2阶段 - 断特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第2阶段 - 在特点
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 150
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 420 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 420 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
第2阶段 - 动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
（续）
C
RSS
C
OSS
—
—
0.67
205
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
—
7
0.2
2
2.8
9.8
0.39
2.7
—
12.5
1.2
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
C
国际空间站
—
50
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
1.2
—
9.5
2
2.9
13
2.7
—
16.5
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
MW7IC2240NR1 MW7IC2240GNR1 MW7IC2240NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔宽带2110至2170年兆赫测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 90 mA时，我
DQ2
= 420毫安，
P
OUT
= 4 W平均， F1 = 2112.5兆赫和f2 = 2167.5 MHz的单载波W- CDMA ， 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH ， 50％的裁剪， PAR = 7.5分贝
@ CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
功率附加效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
视频带宽@ 40瓦特PEP P
OUT
其中， IM3 = - 30 dBc的
（音调间隔从100 kHz到VBW ）
ΔIMD3
= IMD3 @ VBW频率 - IMD3 @ 100千赫<1 dBc的（包括
边带）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 4 W的魅力。
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 40瓦CW
平均群时延@ P
OUT
= 40瓦CW ， F = 2140 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 40瓦CW ，
F = 2140兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
G
ps
PAE
ACPR
IRL
P1dB
VBW
—
10
—
28
12
—
—
—
30
14
- 50
- 16
40
33
—
- 46
- 12
—
dB
%
dBc的
dB
W
兆赫
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 90 mA时，我
DQ2
= 420毫安，二一一○年至2170年兆赫
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
—
0.1
1.08
1.98
18.3
0.05
0.004
—
—
—
—
—
—
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
MW7IC2240NR1 MW7IC2240GNR1 MW7IC2240NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
+
C23
V
DD2
V
DD1
C4
RF
输入
C6
1
2
3
4
5
6
C1
V
GG1
V
GG2
R1
R2
C2
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
C3
C5
C7
微带
X 0.055 “锥
微带
微带
微带
微带
微带
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12, Z13
PCB
0.204 “× 0.083 ”微带
0.273 “× 0.083 ”微带
0.176 “× 0.083 ”微带
0.364 “× 0.083 ”微带
0.564 “× 0.083 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.5
C18
7 NC
8
9
10
11 NC
C9
静态电流
温度
赔偿金
Z13
13
12
C11
C13
C15
C21
C22
C17
NC
NC
NC
NC
14
Z4
DUT
16
15
Z12
C8
Z5
Z6
Z7
Z8
C16
Z9
Z10
Z11
RF
产量
C10
C12
C14
C19
C20
Z1
Z2
Z3
2.197″
0.016″
0.106″
0.409″
0.161″
0.254″
0.388″
x 0.083″
x 0.083″
x 0.055″
x 0.322″
x 0.322″
x 0.322″
x 0.123″
图3. MW7IC2240NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路原理图
表6. MW7IC2240NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C16
C3, C14, C15
C4, C5, C19, C20, C21, C22
C6, C7, C10, C11
C8, C9
C12, C13
C17
C18
C23
R1, R2
描述
8.2 pF的电容芯片
0.4 pF的贴片电容
4.7
μF,
50 V贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
5.6 pF的贴片电容
0.3 pF的贴片电容
0.1
μF
贴片电容
0.6 pF的贴片电容
6.8 pF的贴片电容
470
μF,
63 V电解电容
10 k 1/4 W贴片电阻
产品型号
ATC100B8R2BT250XT
ATC700B0R4BT500XT
GRM31CR71H475KA12L
GRM55DR61H106KA88B
ATC100B5R6BT250XT
ATC700B0R3BT500XT
C1206C104K5RAC
ATC100B0R6BT250XT
ATC100B6R8BT250XT
477KXM063M
CRCW12061001FKEA
生产厂家
ATC
ATC
村田
村田
ATC
ATC
基美
ATC
ATC
伊利诺伊州
日前，Vishay
MW7IC2240NR1 MW7IC2240GNR1 MW7IC2240NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2881677436 复制
