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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1166页 > AT93C86A
1.产品特点
中等电压和标准电压工作
– 2.7 (V
CC
= 2.7V至5.5V )
汽车级温度范围-40 ° C至+ 125°C
用户可选择的内部组织
- 16K :2048 ×8或1024×16
3线串行接口
连续读操作
施密特触发器滤波输入抑制噪声
2 MHz的时钟速率( 5V )的兼容性
自定时写周期(最大10 ms )
高可靠性
- 耐力: 100万次擦写循环
- 数据保存:100年
提供无铅/无卤设备
8引脚JEDEC SOIC和8引脚TSSOP封装
三线
汽车
温度
串行
EEPROM
16K
(2048× 8或1024×16 )
2.描述
该AT93C86A提供16384位串行电可擦除可编程的读
只读存储器( EEPROM ) ,组织为16位时,每一个ORG引脚1024字
连接到V
CC
和的每一个8位的2048个字时,它被绑定到地。该
装置被用在许多汽车应用中优化的,其中的低功耗和
低电压操作是必不可少的。该AT93C86A可在节省空间的8
导致JEDEC SOIC和8引脚TSSOP封装。
表2-1 。
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
VCC
ORG
DC
AT93C86A
引脚配置
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
电源
内设机构
不连接
8引脚SOIC
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
ORG
GND
8引脚TSSOP
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
ORG
GND
该AT93C86A通过片选引脚( CS )启用,并通过访问
三线串行接口,包括数据输入( DI ) ,数据输出( DO ) ,并移
时钟(SK) 。在接收到读指令时的DI ,地址解码和
数据同步输出串行数据输出引脚DO 。写周期是完全
自定时的写操作之前无需单独的擦除周期。写周期仅
当启用该部分是在擦/写使能状态。当CS带来的“高”
下面的写周期开始时, DO引脚输出的Ready / Busy状态
的部分。该AT93C86A是在2.7V至5.5V的版本。
牧师5096E - SEEPR - 1月8日
绝对最大额定值*
工作温度..................................- 55 ° C至+ 125°C
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
任何引脚电压
相对于地面.................................... -1.0V至+ 7.0V
最大工作电压6.25V ..........................................
直流输出电流............................................... ......... 5.0毫安
*注意:
强调超越“绝对下上市
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个压力只有评级,并
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
图2-1 。
框图
VCC
GND
存储阵列
ORG
2048 x 8
OR
1024 x 16
地址
解码器
数据
注册
DI
模式
解码
逻辑
产量
卜FF器
CS
SK
时钟
发电机
DO
注意:
当ORG引脚连接到VCC时, ×16的组织被选中。当它被连接到地,在x 8组织
被选中。如果ORG引脚悬空,应用程序不会加载输入超过1内部的能力
兆欧上拉,那么x 16组织被选中。
表2-2 。
引脚电容
(1)
适用在推荐的工作范围从T
A
= 25 ° C,F = 1.0兆赫,V
CC
= + 5.0V (除非另有说明)
符号
C
OUT
C
IN
注意:
测试条件
输出电容( DO)的
输入电容( CS , SK , DI )
1.此参数的特点,而不是100%测试。
最大
5
5
单位
pF
pF
条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
2
AT93C86A
5096E–SEEPR–1/08
AT93C86A
表2-3 。
DC特性
推荐参数的适用工作条件:T已
A
=
40 ° C至+ 125°C ,V
CC
= + 2.7V至+ 5.5V(除非另外
说明)
符号
V
CC1
V
CC2
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
IL
I
OL
V
IL1
(1)
V
IH1
(1)
V
OL1
V
OH1
注意:
参数
电源电压
电源电压
电源电流
待机电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 5.0V
V
IN
= 0V至V
CC
V
IN
= 0V至V
CC
2.7V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -0.4毫安
2.4
0.6
2.0
读得1.0 MHz
写在1.0兆赫
CS = 0V
CS = 0V
测试条件
2.7
4.5
0.5
0.5
6.0
10.0
0.1
0.1
典型值
最大
5.5
5.5
2.0
2.0
10.0
15.0
3.0
3.0
0.8
V
CC
+ 1
0.4
单位
V
V
mA
mA
A
A
A
A
V
V
V
V
1. V
IL
分钟和V
IH
最大仅为参考,未经测试。
表2-4 。
AC特性
适用在推荐的工作范围从T
A
= -40 ° C至+ 125°C ,V
CC
=符合规定,
CL = 1的TTL门和100pF的(除非另有说明)
符号
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
CS
t
CSS
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
参数
SK时钟
频率
SK高时间
SK低电平时间
最低CS
低电平时间
CS建立时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟为“1”
输出延迟为“0”
测试条件
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
相对于SK
相对于SK
相对于SK
相对于SK
AC测试
AC测试
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
0
0
250
250
250
250
250
250
50
50
100
100
0
100
100
250
500
250
500
典型值
最大
2
1
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
5096E–SEEPR–1/08
表2-4 。
AC特性(续)
适用在推荐的工作范围从T
A
= -40 ° C至+ 125°C ,V
CC
=符合规定,
CL = 1的TTL门和100pF的(除非另有说明)
符号
t
SV
t
DF
t
WP
耐力
(1)
参数
CS为有效状态
CS为高DO
阻抗
写周期时间
5.0V ,25°C
测试条件
AC测试
AC测试
CS = V
IL
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
0.1
1M
4
典型值
最大
250
250
100
150
10
单位
ns
ns
ms
写周期
注意:
1.此参数的特点,而不是100%测试。
表2-5 。
指令
EWEN
抹去
ERAL
WRAL
指令集为AT93C86A
地址
SB
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
01
00
00
x8
A
10
– A
0
11XXXXXXXXX
A
10
– A
0
A
10
– A
0
10XXXXXXXXX
01XXXXXXXXX
x 16
A
9
– A
0
11XXXXXXXX
A
9
– A
0
A
9
– A
0
10XXXXXXXX
01XXXXXXXX
D
7
– D
0
D
15
– D
0
D
7
– D
0
D
15
– D
0
x8
数据
x 16
评论
读出存储在存储器中的数据,
在指定的地址。
写使能必须在前面所有
编程模式。
擦除存储单元中的
n
– A
0
.
写入存储单元中的
n
– A
0
.
删除所有存储位置。
只适用于V
CC
= 4.5V至5.5V 。
将所有内存位置。
有效的当V
CC
= 4.5V至5.5V,
禁止寄存器清零。
禁用所有的编程
指令。
EWDS
1
00
00XXXXXXXXX
00XXXXXXXX
4
AT93C86A
5096E–SEEPR–1/08
AT93C86A
3.功能描述
该AT93C86A是通过一个简单的多功能三线式串行通信接口访问。
设备的操作是由主机处理器发出七个指令控制。
一个有效的
指令开始在CS的上升沿
它由一个起始位(逻辑' 1' ),接着的
适当的操作码和所需的存储器地址位置。
读(READ ) :
读(读出)的指令包含用于存储器地址的地址的代码
灰被读取。指令和地址之后被解码时,从所选择的存储器中的数据
位置可在串行输出引脚DO 。输出数据的变化都与同步
串行时钟SK上升沿。但是应当注意的是,一个虚拟位(逻辑“0”)之前的8位或
16位的数据输出字符串。该AT93C86A支持顺序读操作。该设备将
自动递增内部地址指针和时钟输出的下一个存储位置
只要CS保持高电平。在这种情况下,哑位(逻辑“0” ),将不会同步输出之间
存储器位置,从而允许连续的数据流被读取。
擦/写( EWEN ) :
为了保证数据的完整性,器件自动进入
擦除/写禁止( EWDS )状态时,电源首次应用。擦除/写使能( EWEN )
指令必须首先被执行的任何编程指令可被执行之前。
请注意,在EWEN状态一次,编程保持启用状态,直到EWDS指令
化执行或V
CC
电源从部分除去。
擦除( ERASE ) :
擦除( ERASE )指令的程序在指定的内存中的所有位
位置为逻辑“1”状态。自定时擦除周期开始,一旦擦除指令和
地址进行解码。 DO引脚输出部分的Ready / Busy状态,如果CS被
正在保持低了至少250纳秒(T后高
CS
) 。为逻辑“1”,引脚DO表明,
选择存储位置已被删除,以及部分已准备好执行下一条指令。
WRITE (写) :
写入( WRITE)指令包含将要写入的8位或16位数据的
到指定的内存位置。自定时编程周期T
WP
最后一个位后开始
数据在串行数据输入管脚DI被接收。 DO引脚输出的就绪/忙状态
部分,如果CS正在保持低了至少250纳秒(T之后变为高电平
CS
) 。在做一个逻辑“0”
表明编程仍在进行中。为逻辑“ 1”表示在该存储器位置
指定的地址已经写入与包含在指令和数据模式
一部分是准备作进一步的说明。
如果CS是一个READY / BUSY状态不能得到
的自定时编程周期T结束后所带来的高
WP
.
全部清除( ERAL ) :
擦除所有( ERAL )指令的程序存储器阵列中的每一位
到逻辑“1”状态,并且主要用于测试目的。 DO引脚输出
的一部分,如果CS的Ready / Busy状态被保持低了至少250纳秒后拉高
(t
CS
) 。 ERAL指令只适用于V
CC
= 5.0V
±
10%.
全部写入( WRAL ) :
写所有( WRAL )指令程序的所有内存位置
在指令中指定的数据模式。 DO引脚输出部分,如果的Ready / Busy状态
CS正在保持低了至少250纳秒(T之后变为高电平
CS
) 。 WRAL指令是
只适用于V
CC
= 5.0V ± 10%.
擦/写禁止(EWDS ) :
为了防止意外的数据的干扰,
擦除/写禁止( EWDS )指令禁止所有的编程模式,并应exe-
所有编程操作后cuted 。的Read指令的操作是独立的
同时埃文和EWDS指令,并可以在任何时间被执行。
5
5096E–SEEPR–1/08
特点
低电压和标准电压工作
– 2.7 (V
CC
= 2.7V至5.5V )
– 1.8 (V
CC
= 1.8V至5.5V )
用户可选择的内部组织
- 16K :2048 ×8或1024×16
3线串行接口
连续读操作
施密特触发器滤波输入抑制噪声
2 MHz的时钟速率( 5V )的兼容性
自定时写周期(最大10 ms )
高可靠性
- 耐力: 100万次擦写循环
- 数据保存:100年
汽车级,扩展级温度和无铅/无卤
可用设备
8引脚PDIP , 8引脚SOIC JEDEC , 8引脚MAP和8引脚TSSOP封装
3线串行
EEPROM
16K
(2048× 8或1024×16 )
描述
该AT93C86A提供16384位串行电可擦除可编程的读
只有组织为16位1024字存储器(EEPROM ),每个ORG引脚
连接到V
CC
和的每一个8位的2048个字时,它被绑定到地。该
装置被用于许多工业和商业应用中优化的低
功率和低电压操作是必不可少的。该AT93C86A是在可用空间
节省8引脚PDIP , 8引脚SOIC JEDEC , 8引脚MAP和8引脚TSSOP封装。
AT93C86A
初步
销刀豆网络gurations
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
VCC
ORG
DC
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
电源
内设机构
不连接
8引脚SOIC
8引脚PDIP
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
ORG
GND
8引线地图
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
ORG
GND
VCC
DC
ORG
GND
8
7
6
5
1
2
3
4
CS
SK
DI
DO
8引脚TSSOP
底部视图
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
ORG
GND
牧师3408C - SEEPR - 1/04
1
该AT93C86A通过片选引脚( CS )通过3线启用,并访问
串行接口,由数据输入(DI ) ,数据输出( DO)和移位时钟(SK) 。
在接收到一个READ指令在DI中,地址被译码并且数据是
同步输出串行数据输出引脚DO 。写周期是完全独立
定时的写操作之前,没有单独的擦除周期是必需的。写周期
只有当启用该部分是在擦/写使能状态。当CS被
“高”下面写周期的开始, DO引脚输出READY / BUSY
的部分的状态。该AT93C86A是在2.7V至5.5V的版本。
绝对最大额定值*
工作温度................................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度.................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚电压
相对于地面.....................................- 1.0V至+ 7.0V
最大工作电压6.25V ..........................................
直流输出电流............................................... ......... 5.0毫安
*注意:
强调超越“绝对下上市
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
框图
VCC
GND
存储阵列
ORG
2048 x 8
OR
1024 x 16
地址
解码器
数据
注册
DI
模式
解码
逻辑
产量
卜FF器
CS
SK
时钟
发电机
DO
注意:
1.当ORG引脚连接到VCC时, ×16的组织被选中。当它被连接到地,在x 8组织
化选择。如果ORG引脚悬空,应用程序不会加载输入之外的能力
内部1兆欧姆的上拉,那么x 16组织被选中。此功能不可用的1.8V器件。
2
AT93C86A [初步]
3408C–SEEPR–1/04
AT93C86A [初步]
引脚电容
(1)
适用在推荐的工作范围从T
A
= 25 ° C,F = 1.0兆赫,V
CC
= + 5.0V (除非另有说明) 。
符号
C
OUT
C
IN
注意:
测试条件
输出电容( DO)的
输入电容( CS , SK , DI )
1.此参数的特点,而不是100%测试。
最大
5
5
单位
pF
pF
条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
DC特性
推荐参数的适用工作条件:T已
AI
= -40 ° C至+ 85°C ,V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ,
T
AE
= -40 C至+ 125 C,V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V (除非另有说明) 。
符号
V
CC1
V
CC2
V
CC3
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
I
IL
I
OL
V
IL1(1)
V
IH1(1)
V
IL2(1)
V
IH2(1)
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
注意:
参数
电源电压
电源电压
电源电压
读得1.0 MHz
电源电流
待机电流
待机电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 1.8V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 5.0V
V
IN
= 0V至V
CC
V
IN
= 0V至V
CC
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
2.7V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
2.7V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 0.15毫安
I
OH
= -100 A
V
CC
- 0.2
2.4
0.2
-0.6
2.0
-0.6
V
CC
x 0.7
写在1.0兆赫
CS = 0V
CS = 0V
CS = 0V
测试条件
1.8
2.7
4.5
0.5
0.5
0
6.0
17
0.1
0.1
典型值
最大
5.5
5.5
5.5
2.0
2.0
0.1
10.0
30
3.0
3.0
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 1
0.4
单位
V
V
V
mA
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
1. V
IL
分钟和V
IH
最大仅为参考,未经测试。
3
3408C–SEEPR–1/04
AC特性
适用在推荐的工作范围从T
AI
= -40 ° C至+ 85°C ,T
AE
= -40 C至+ 125 C,V
CC
=符合规定,
CL = 1的TTL门和100pF的(除非另有说明) 。
符号
f
SK
参数
SK时钟
频率
SK高时间
SK低电平时间
最低CS
低电平时间
CS建立时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟为“1”
输出延迟为“0”
CS为有效状态
CS为高DO
阻抗
写周期时间
5.0V , 25°C时,页面模式
测试条件
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
相对于SK
相对于SK
相对于SK
相对于SK
AC测试
AC测试
AC测试
AC测试
CS = V
IL
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
0
0
0
250
1000
250
1000
250
1000
50
200
100
400
0
100
400
250
1000
250
1000
250
1000
150
400
10
t
WP
耐力
(1)
4.5V
V
CC
5.5V
1M
4
典型值
最大
2
1
0.25
单位
兆赫
t
圣公会
t
SKL
t
CS
t
CSS
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
SV
t
DF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
写周期
注意:
1.此参数的特点,而不是100%测试。
4
AT93C86A [初步]
3408C–SEEPR–1/04
AT93C86A [初步]
指令集为AT93C86A
地址
指令
EWEN
抹去
ERAL
WRAL
SB
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
01
00
00
x8
A
10
- A
0
11XXXXXXXX
A
10
- A
0
A
10
- A
0
10XXXXXXXX
01XXXXXXXX
x 16
A
9
- A
0
11XXXXXXXX
A
9 -
A
0
A
9
- A
0
10XXXXXXXX
01XXXXXXXX
D
7
- D
0
D
15
- D
0
D
7
- D
0
D
15
- D
0
x8
数据
x 16
评论
读出存储在存储器中的数据,
在指定的地址。
写使能必须在前面所有
编程模式。
擦除存储单元中的
n
- A
0
.
写入存储单元中的
n
- A
0
.
删除所有存储位置。
只适用于V
CC
= 4.5V至5.5V 。
将所有内存位置。
有效的当V
CC
= 4.5V至5.5V,
禁止寄存器清零。
禁止所有编程指令。
EWDS
1
00
00XXXXXXXX
00XXXXXXXX
实用
描述
该AT93C86A通过一个简单而灵活的3线串行通讯访问
界面。设备的操作是由主机发出的7指示控制亲
处理器。
有效的指令开始与CS的上升沿
它由一个起始位
后跟适当的操作码和所需的存储器地址(逻辑“1”)
位置。
读(READ ) :
在读( READ )指令包含地址码为MEM-
储器位置被读出。之后的指令和地址译码,从数据
选择存储位置可在串行输出引脚DO 。输出数据的变化
用的串行时钟SK的上升沿同步。但是应当注意的是,一个
虚位(逻辑“0”)之前的8位或16位的数据输出字符串。该AT93C86A支持
港口顺序读取操作。该设备将自动递增内部
地址指针和时钟出下一个内存位置,只要片选( CS )是
高举。在这种情况下,哑位(逻辑“0” ),将不会同步输出存储器之间
的位置,从而允许连续的数据流被读取。
擦/写( EWEN ) :
为了保证数据的完整性,器件自动进入
擦除/写禁止( EWDS )状态时,电源首次应用。擦除/写使能
( EWEN )指令必须先执行之前的任何编程指令可
执行。请注意,一旦在擦/写使能状态,编程
保持启用状态,直到擦除/写禁止( EWDS )指令被执行或V
CC
电源从部分除去。
擦除( ERASE ) :
擦除( ERASE )教学计划中规定的所有位
存储单元中的逻辑“1”状态。自定时擦除周期开始后的
ERASE指令和地址进行解码。 DO引脚输出READY / BUSY
的一部分,如果CS的状态被保持低了至少250纳秒(T后拉高
CS
).
在销DO为逻辑“1”表示选定的存储器位置已被擦除,并
部分准备执行下一条指令。
WRITE (写) :
写入( WRITE)指令包含8或16位数据成为
写入到指定的内存位置。自定时编程周期,T
WP
,开始
后数据的最后一位的串行数据输入管脚DI被接收。 DO引脚输出
的一部分,如果CS的READY / BUSY状态被保持在较低水平的最低后,被带到高
5
3408C–SEEPR–1/04
特点
中等电压和标准电压工作
– 2.7 (V
CC
= 2.7V至5.5V )
汽车级温度范围-40 ° C至+ 125°C
用户可选择的内部组织
- 16K :2048 ×8或1024×16
3线串行接口
连续读操作
施密特触发器滤波输入抑制噪声
2 MHz的时钟速率( 5V )的兼容性
自定时写周期(最大10 ms )
高可靠性
- 耐力: 100万次擦写循环
- 数据保存:100年
提供无铅/无卤设备
8引脚JEDEC SOIC和8引脚TSSOP封装
描述
该AT93C86A提供16384位串行电可擦除可编程的读
只读存储器( EEPROM ) ,组织为16位时,每一个ORG引脚1024字
连接到V
CC
和的每一个8位的2048个字时,它被绑定到地。该
装置被用在许多汽车应用中优化的,其中的低功耗和
低电压操作是必不可少的。该AT93C86A可在节省空间的8
导致JEDEC SOIC和8引脚TSSOP封装。
表1中。
引脚配置
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
VCC
ORG
DC
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
电源
内设机构
不连接
CS
SK
DI
DO
三线
汽车
温度
串行
EEPROM
16K
(2048× 8或1024×16 )
AT93C86A
8引脚SOIC
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
ORG
GND
8引脚TSSOP
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
ORG
GND
牧师5096D - SEEPR - 2/07
1
该AT93C86A通过片选引脚( CS )启用,并通过一个三访问
线串行接口,包括数据输入( DI ) ,数据输出( DO ) ,和移位时钟
(SK) 。在接收到一个READ指令在DI中,地址被译码并且数据是
同步输出串行数据输出引脚DO 。写周期是完全自定时
而在写入前不需要单独的擦除周期。写周期时,才会启用
当器件处于擦除/写使能状态。当CS带来的“高”以下
写周期开始时, DO引脚输出部分的Ready / Busy状态。该
AT93C86A是在2.7V至5.5V的版本。
绝对最大额定值*
工作温度..................................- 55 ° C至+ 125°C
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
任何引脚电压
相对于地面.................................... -1.0V至+ 7.0V
最大工作电压6.25V ..........................................
直流输出电流............................................... ......... 5.0毫安
*注意:
强调超越“绝对下上市
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个压力只有评级,并
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
图1 。
框图
VCC
GND
存储阵列
ORG
2048 x 8
OR
1024 x 16
地址
解码器
数据
注册
DI
模式
解码
逻辑
产量
卜FF器
CS
SK
时钟
发电机
DO
注意:
当ORG引脚连接到VCC时, ×16的组织被选中。当它被连接到地,在x 8组织
被选中。如果ORG引脚悬空,应用程序不会加载输入超过1内部的能力
兆欧上拉,那么x 16组织被选中。
2
AT93C86A
5096D–SEEPR–2/07
AT93C86A
表2中。
引脚电容
(1)
适用在推荐的工作范围从T
A
= 25 ° C,F = 1.0兆赫,V
CC
= + 5.0V (除非另有说明)
符号
C
OUT
C
IN
注意:
测试条件
输出电容( DO)的
输入电容( CS , SK , DI )
1.此参数的特点,而不是100%测试。
最大
5
5
单位
pF
pF
条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
表3中。
DC特性
推荐参数的适用工作条件:T已
A
=
40 ° C至+ 125°C ,V
CC
= + 2.7V至+ 5.5V (除非另有说明)
符号
V
CC1
V
CC2
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
IL
I
OL
V
IL1(1)
V
IH1(1)
V
OL1
V
OH1
注意:
参数
电源电压
电源电压
电源电流
待机电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 5.0V
V
IN
= 0V至V
CC
V
IN
= 0V至V
CC
2.7V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -0.4毫安
2.4
---0.6
2.0
读得1.0 MHz
写在1.0兆赫
CS = 0V
CS = 0V
测试条件
2.7
4.5
0.5
0.5
6.0
17
0.1
0.1
典型值
最大
5.5
5.5
2.0
2.0
10.0
30
3.0
3.0
0.8
V
CC
+ 1
0.4
单位
V
V
mA
mA
A
A
A
A
V
V
V
V
1. V
IL
分钟和V
IH
最大仅为参考,未经测试。
3
5096D–SEEPR–2/07
表4 。
AC特性
适用在推荐的工作范围从T
A
= -40 ° C至+ 125°C ,V
CC
=符合规定,
CL = 1的TTL门和100pF的(除非另有说明)
符号
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
CS
t
CSS
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
SV
t
DF
t
WP
耐力
(1)
参数
SK时钟
频率
SK高时间
SK低电平时间
最低CS
低电平时间
CS建立时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟为“1”
输出延迟为“0”
CS为有效状态
CS为高DO
阻抗
写周期时间
5.0V ,25°C
测试条件
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
相对于SK
相对于SK
相对于SK
相对于SK
AC测试
AC测试
AC测试
AC测试
CS = V
IL
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
0.1
1M
4
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
0
0
250
250
250
250
250
250
50
50
100
100
0
100
100
250
500
250
500
250
250
100
150
10
典型值
最大
2
1
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
写周期
注意:
1.此参数的特点,而不是100%测试。
4
AT93C86A
5096D–SEEPR–2/07
AT93C86A
表5 。
指令集为AT93C86A
地址
指令
EWEN
抹去
ERAL
WRAL
SB
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
01
00
00
x8
A
10
– A
0
11XXXXXXXX
A
10
– A
0
A
10
– A
0
10XXXXXXXX
01XXXXXXXX
x 16
A
9
– A
0
11XXXXXXXX
A
9
– A
0
A
9
– A
0
10XXXXXXXX
01XXXXXXXX
D
7
– D
0
D
15
– D
0
D
7
– D
0
D
15
– D
0
x8
数据
x 16
评论
读出存储在存储器中的数据,
在指定的地址。
写使能必须在前面所有
编程模式。
擦除存储单元中的
n
– A
0
.
写入存储单元中的
n
– A
0
.
删除所有存储位置。
只适用于V
CC
= 4.5V至5.5V 。
将所有内存位置。
有效的当V
CC
= 4.5V至5.5V,
禁止寄存器清零。
禁止所有编程指令。
EWDS
1
00
00XXXXXXXX
00XXXXXXXX
实用
描述
该AT93C86A通过一个简单而灵活的3线串行通讯访问
界面。设备的操作是由主机发出的7指示控制亲
处理器。
有效的指令开始与CS的上升沿
它由一个起始位(逻辑
“1” ),然后加入相应的操作码和所需的存储器地址位置。
读(READ ) :
在读( READ )指令包含地址码为MEM-
储器位置被读出。之后的指令和地址译码,从数据
选择存储位置可在串行输出引脚DO 。输出数据的变化
用的串行时钟SK的上升沿同步。但是应当注意的是,一个
虚位(逻辑“0”)之前的8位或16位的数据输出字符串。该AT93C86A支持
港口顺序读取操作。该设备将自动递增内部
地址指针和时钟出下一个内存位置,只要CS保持高电平。在
这种情况下,哑位(逻辑“0” ),将不会被同步输出的存储单元之间,
从而允许连续的数据流被读取。
擦/写( EWEN ) :
为了保证数据的完整性,器件自动进入
擦除/写禁止( EWDS )状态时,电源首次应用。擦除/写使能
( EWEN )指令必须先执行之前的任何编程指令可
执行。请注意,在EWEN状态一次,编程功能处于启用状态
直到EWDS指令被执行或V
CC
电源从部分除去。
擦除( ERASE ) :
擦除( ERASE )教学计划中规定的所有位
存储单元中的逻辑“1”状态。自定时擦除周期开始后的
擦除指令和地址进行解码。 DO引脚输出就绪/忙状态
的一部分,如果CS被保持低至少250纳秒(T后拉高
CS
). A
逻辑“1”,在销DO表示选定的存储器位置已被擦除,并且
一部分是准备执行下一条指令。
WRITE (写) :
写入( WRITE)指令包含8或16位数据成为
写入到指定的内存位置。自定时编程周期T
WP
开始
后数据的最后一位的串行数据输入管脚DI被接收。 DO引脚输出
的一部分,如果CS的准备/繁忙状态而保持低了至少后拉高
250纳秒(T
CS
) 。逻辑“ 0” DO表明编程仍在进行中。逻辑“ 1 ”
表明,在指定的地址的存储单元被写入与
5
5096D–SEEPR–2/07
特点
低电压和标准电压工作
– 2.7 (V
CC
= 2.7V至5.5V )
– 1.8 (V
CC
= 1.8V至5.5V )
用户可选择的内部组织
- 16K :2048 ×8或1024×16
三线串行接口
连续读操作
施密特触发器滤波输入抑制噪声
2 MHz的时钟速率( 5V )的兼容性
自定时写周期(最大10 ms )
高可靠性
- 耐力: 100万次擦写循环
- 数据保存:100年
可用车载设备
8引脚PDIP JEDEC ,8引脚SOIC JEDEC , 8引脚超薄迷你地图( MLP 2×3 ) ,和8
引脚TSSOP封装
模具销售:晶圆形式,松饼包撞到晶圆
三线
串行
EEPROM
16K
(2048× 8或1024×16 )
描述
该AT93C86A提供16384位串行电可擦除可编程的读
只读存储器( EEPROM ) ,组织为16位时,每一个ORG引脚1024字
连接到V
CC
和的每一个8位的2048个字时,它被绑定到地。该
装置被用于许多工业和商业应用优化的,其中低
功率和低电压操作是必不可少的。该AT93C86A是在可用空间
节省8引脚PDIP , 8引脚SOIC JEDEC , 8引脚超薄
迷你地图( MLP 2×3 )
和8
引脚TSSOP封装。
AT93C86A
表1中。
销刀豆网络gurations
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
VCC
ORG
NC
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
电源
内设机构
无连接
8-lead
超薄迷你地图( MLP
2x3)
VCC
NC
ORG
GND
8
7
6
5
8引脚PDIP
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
8引脚SOIC
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
8引脚TSSOP
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
CS
SK
3
DI
4
DO
1
2
底部视图
牧师3408H - SEEPR - 1月7日
1
该AT93C86A通过片选引脚( CS )启用,并通过一个三访问
线串行接口,包括数据输入( DI ) ,数据输出( DO ) ,和移位时钟
(SK) 。在接收到一个READ指令在DI中,地址被译码并且数据是
同步输出串行数据输出引脚DO 。写周期是完全自定时
而在写入前不需要单独的擦除周期。写周期时,才会启用
当器件处于擦除/写使能状态。当CS带来的“高”以下
写周期开始时, DO引脚输出部分的Ready / Busy状态。该
AT93C86A是在2.7V至5.5V的版本。
绝对最大额定值*
工作温度......................................- 55 ° C至+ 125°C
储存温度
.........................................65°C
至+ 150°C
任何引脚电压
相对于地面
........................................ 1.0V
至+ 7.0V
最大工作电压6.25V ..........................................
直流输出电流............................................... ......... 5.0毫安
*注意:
强调超越“绝对下上市
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
图1 。
框图
VCC
GND
存储阵列
ORG
2048 x 8
OR
1024 x 16
地址
解码器
数据
注册
DI
模式
解码
逻辑
产量
卜FF器
CS
SK
时钟
发电机
DO
注意:
当ORG引脚连接到VCC时, ×16的组织被选中。当它被连接到地,在x 8组织
被选中。如果ORG引脚悬空,应用程序不会加载输入超过1内部的能力
兆欧上拉,那么x 16组织被选中。
2
AT93C86A
3408H–SEEPR–1/07
AT93C86A
表2中。
引脚电容
(1)
适用在推荐的工作范围从T
A
= 25 ° C,F = 1.0兆赫,V
CC
= + 5.0V (除非另有说明)
符号
C
OUT
C
IN
注意:
测试条件
输出电容( DO)的
输入电容( CS , SK , DI )
1.此参数的特点,而不是100%测试。
最大
5
5
单位
pF
pF
条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
表3中。
DC特性
推荐参数的适用工作条件:T已
AI
=
40°C
+ 85℃ ,V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ,
T
AE
=
40°C
至+ 125°C ,V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V (除非另有说明)
符号
V
CC1
V
CC2
V
CC3
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
I
IL
I
OL
V
IL1(1)
V
IH1(1)
V
IL2(1)
V
IH2(1)
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
注意:
参数
电源电压
电源电压
电源电压
电源电流
待机电流
待机电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 1.8V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 5.0V
V
IN
= 0V至V
CC
V
IN
= 0V至V
CC
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
2.7V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
2.7V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 0.15毫安
I
OH
= –100
A
V
CC
– 0.2
2.4
0.2
--0.6
2.0
0.6
V
CC
x 0.7
读得1.0 MHz
写在1.0兆赫
CS = 0V
CS = 0V
CS = 0V
测试条件
1.8
2.7
4.5
0.5
0.5
0
6.0
17
0.1
0.1
典型值
最大
5.5
5.5
5.5
2.0
2.0
0.1
10.0
30
3.0
3.0
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 1
0.4
单位
V
V
V
mA
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
1. V
IL
分钟和V
IH
最大仅为参考,未经测试。
3
3408H–SEEPR–1/07
表4 。
AC特性
适用在推荐的工作范围从T
AI
=
40°C
至+ 85°C ,T
AE
=
40°C
至+ 125°C ,V
CC
=符合规定,
CL = 1的TTL门和100pF的(除非另有说明)
符号
f
SK
参数
SK时钟
频率
SK高时间
SK低电平时间
最低CS
低电平时间
CS建立时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟为“1”
输出延迟为“0”
CS为有效状态
CS为高DO
阻抗
写周期时间
5.0V ,25°C
测试条件
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
相对于SK
相对于SK
相对于SK
相对于SK
AC测试
AC测试
AC测试
AC测试
CS = V
IL
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
0.1
3
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
0
0
0
250
1000
250
1000
250
1000
50
200
100
400
0
100
400
250
1000
250
1000
250
1000
150
400
10
典型值
最大
2
1
0.25
单位
兆赫
t
圣公会
t
SKL
t
CS
t
CSS
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
SV
t
DF
t
WP
耐力
(1)
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
1M
写周期
注意:
1.此参数为特征。
4
AT93C86A
3408H–SEEPR–1/07
AT93C86A
表5 。
指令集为AT93C86A
地址
指令
EWEN
抹去
ERAL
WRAL
SB
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
01
00
00
x8
A
10
– A
0
11XXXXXXXXX
A
10
– A
0
A
10
– A
0
10XXXXXXXXX
01XXXXXXXXX
x 16
A
9
– A
0
11XXXXXXXX
A
9
– A
0
A
9
– A
0
10XXXXXXXX
01XXXXXXXX
D
7
– D
0
D
15
– D
0
D
7
– D
0
D
15
– D
0
x8
数据
x 16
评论
读出存储在存储器中的数据,
在指定的地址。
写使能必须在前面所有
编程模式。
擦除存储单元中的
n
– A
0
.
写入存储单元中的
n
– A
0
.
删除所有存储位置。
只适用于V
CC
= 4.5V至5.5V 。
将所有内存位置。
有效的当V
CC
= 4.5V至5.5V,
禁止寄存器清零。
禁用所有的编程
指令。
EWDS
1
00
00XXXXXXXXX
00XXXXXXXX
实用
描述
该AT93C86A通过一个简单而通用的三线串行通信访问
界面。设备的操作是由主机发出的7指示控制亲
处理器。
有效的指令开始与CS的上升沿
它由一个起始位
后跟适当的操作码和所需的存储器地址(逻辑“1”)
位置。
读(READ ) :
在读( READ )指令包含地址码为MEM-
储器位置被读出。之后的指令和地址译码,从数据
选择存储位置可在串行输出引脚DO 。输出数据的变化
用的串行时钟SK的上升沿同步。但是应当注意的是,一个
虚位(逻辑“0”)之前的8位或16位的数据输出字符串。该AT93C86A支持
港口顺序读取操作。该设备将自动递增内部
地址指针和时钟出下一个内存位置,只要CS保持高电平。在
这种情况下,哑位(逻辑“0” ),将不会被同步输出的存储单元之间,
从而允许连续的数据流被读取。
擦/写( EWEN ) :
为了保证数据的完整性,器件自动进入
擦除/写禁止( EWDS )状态时,电源首次应用。擦除/写使能
( EWEN )指令必须先执行之前的任何编程指令可
执行。请注意,在EWEN状态一次,编程功能处于启用状态
直到EWDS指令被执行或V
CC
电源从部分除去。
擦除( ERASE ) :
擦除( ERASE )教学计划中规定的所有位
存储单元中的逻辑“1”状态。自定时擦除周期开始后的
ERASE指令和地址进行解码。 DO引脚输出就绪/忙台站
的一部分,如果CS的土族正在保持低了至少250纳秒(T之后变为高电平
CS
). A
逻辑“1”,在销DO表示选定的存储器位置已被擦除,并且
一部分是准备执行下一条指令。
WRITE (写) :
写入( WRITE)指令包含8或16位数据成为
写入到指定的内存位置。自定时编程周期T
WP
开始
后数据的最后一位的串行数据输入管脚DI被接收。 DO引脚输出
的一部分,如果CS的准备/繁忙状态而保持低了至少后拉高
5
3408H–SEEPR–1/07
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