飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： AFT05MS031N
第0版， 6/2012
RF功率LDMOS晶体管
高耐用性N - 通道
增强 - 模式横向的MOSFET
专为移动2 - 双向无线电应用与频率
136至520兆赫。高增益，耐用性和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，共源放大器
应用在移动无线电设备。
典型特性：
（ 13.6伏，T
A
= 25 ° C， CW）
频率
（兆赫）
380--450
(1,3)
450--520
(2,3)
520
(4)
G
ps
（ dB）的
18.3
17.7
17.7
η
D
(%)
64.1
62.0
71.4
P1dB
(W)
31
31
33
TO -
-270-
-2
塑料
AFT05MS031NR1
AFT05MS031NR1
AFT05MS031GNR1
136-
-520兆赫， 31 W， 13.6 V
宽带
RF功率LDMOS晶体管
负载失配/耐用性
频率
（兆赫）
520
(4)
信号
TYPE
CW
VSWR
>65 ： 1 ，在所有
相位角
P
OUT
(W)
47
（ 3分贝高速）
TEST
电压
17
结果
没有设备
降解
1.测量380--450 MHz的超高频宽带的参考电路。
2.测量450--520 MHz的超高频宽带的参考电路。
3.显示的值是在整个的最低测得的性能数据
指定的频率范围。
4.测量520 MHz的窄带测试电路。
TO -
-270- GULL
-2
塑料
AFT05MS031GNR1
特点
特点是操作从136到520兆赫
无与伦比的输入和输出允许频率范围宽利用率
集成ESD保护
综合稳定性增强
宽带 - 整个波段全功率：
136--174兆赫
380--450兆赫
450--520兆赫
225℃有能力塑料包装
卓越的热性能
高线性度为： TETRA ， SSB ， LTE
成本 - 效益超过 - 模压塑料封装
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，有24毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
典型应用
输出级VHF频段移动通信
输出级的UHF频段移动通信
门
漏
（ TOP VIEW ）
注意：该包的背面是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
飞思卡尔半导体公司， 2012年版权所有。
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
1
RF设备数据
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表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
P
D
T
J
价值
--0.5, +40
--6.0, +12
17, +0
--65到150
294
1.47
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
W
W / ℃，
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度79 ° C， 31 W CW ， 13.6伏，我
DQ
= 10毫安， 520兆赫
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.67
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 ，通过2500 V
A，通过100伏
四，通过2000伏
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 40 VDC ，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 13.6伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 115
μAdc ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.2 ADC）
正向跨导
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 7.5 ADC）
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
g
fs
1.6
—
—
2.1
0.13
5.8
2.6
—
—
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
2
1
600
μAdc
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
（续）
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
2
RF设备数据
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表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 13.6伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 13.6伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 13.6伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
通用 - 源放大器功率增益
漏EF网络效率
频率
（兆赫）
520
信号
TYPE
CW
P
OUT
(W)
47
（ 3分贝高速）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.6
49.5
109
—
—
—
pF
pF
pF
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(1)
（飞思卡尔窄带测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 13.6伏，我
DQ
= 10毫安， P
OUT
= 31 W， F = 520兆赫
G
ps
η
D
16.5
70.0
17.7
71.4
19.0
—
dB
%
负载失配/耐用性
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆的系统，我
DQ
= 10 mA）的
VSWR
>65 ： 1 ，在所有相位角
测试电压V
DD
17
结果
没有设备退化
1.测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。导致形成用于鸥
翼（GN）的部件。
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
RF设备数据
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3
典型特征
1000
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫，V
GS
= 0伏
C，电容（pF ）
C
国际空间站
C
OSS
I
DS
，漏极电流（ AMPS ）
7
6
5
4
3
2
1
2.75伏
0
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
注意：
测定用绑在一起的晶体管的两侧。
3.25伏
3 VDC
T
A
= 25°C
V
GS
= 4.25伏
4 VDC
3.75伏
3.5 VDC
100
10
C
RSS
1
图2.电容与漏极 -
- 源电压
图3.漏电流与漏极 -
- 源电压
10
9
10
8
I
D
- 2.5安培
平均无故障时间（小时）
10
7
10
6
3.9 AMPS
10
5
10
4
90
110
130
150
170
190
210
230
250
T
J
，结温（ ° C）
注意：
平均无故障时间的值表示总累计时间
下所示的试验条件。
3.2安培
V
DD
= 13.6伏
图4. MTTF与结温 - CW
-
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
4
RF设备数据
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520 MHz的窄带生产测试夹具
C1
C7
B1
C4
L1
C16
C13 C14
B3
C3
C2
C5
B2
C8
C9
切出区
C18
L2
C15
C11
C6
C10
C12
AFT05MS031N
第1版
C17
图5. AFT05MS031NR1窄带测试电路元件布局 - 520兆赫
表6. AFT05MS031NR1窄带测试电路组件标识和价值观 - 520兆赫
部分
B1, B2, B3
C1
C2, C14
C3, C13
C4
C5
C6
C7, C16
C8
C9, C10, C11, C12
C15
C17
C18
L1
L2
PCB
描述
RF珠，龙
22
μF,
35 V钽电容器
0.01
μF
贴片电容
0.1
μF
贴片电容
200 pF的贴片电容
6.2 pF的贴片电容
3.9 pF的贴片电容
180 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
36 pF的贴片电容
27 pF的贴片电容
7.5 pF的贴片电容
470
μF,
63 V电解电容
43 nH的，10转电感
56 nH的电感器
0.030″,
ε
r
= 2.55
产品型号
2743021447
T491X226K035AT
C0805C103K5RAC
CDR33BX104AKWS
ATC100B201JT300XT
ATC100B6R2JT500XT
ATC100B3R9JT500XT
ATC100B181JT200XT
ATC100B100JT500XT
ATC100B360JT500XT
ATC100B270JT500XT
ATC100B7R5JT500XT
SME63V471M12X25LL
B10TJLC
1812SMS--56NJLC
AD255A
生产厂家
博览会 - 爱色丽
基美
基美
基美
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
美贵弥功 - 精读
Coilcraft公司
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阿尔隆
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5
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