飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6P27160H
第2版， 12/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
专为CDMA基站应用的频率从2600到
2700兆赫。适用于WiMAX和无线宽带和多载波放大器应用。
使用在AB类和C类的WLL应用。
典型的单载波N - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
1800毫安，P
OUT
。 = 35瓦的魅力， F = 2660 MHz的IS - 95 CDMA （先导，同步，
寻呼，交通守则8 13 ） ，信道带宽= 1.2288兆赫，
PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 14.6分贝
漏极效率 - 22.6 ％
ACPR @ 885 kHz偏置 - - 47.8 dBc的30 kHz带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2650兆赫， 160瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
MRF6P27160HR6
2600- 2700兆赫， 35瓦平均， 28 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 375D - 05 ，风格1
NI - 1230
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度79 ° C，为160W CW
外壳温度71 ° C， 35瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.29
0.31
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2005 - 2006 ， 2008。保留所有权利。
MRF6P27160HR6
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
III （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(1)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 250
μAdc ）
门静态电压
(3)
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1800 MADC ，测量功能测试）
漏源开 - 电压
(1)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.2 ADC）
动态特性
(1,2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
2.8
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
—
2
2.8
0.21
3
4
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(3)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1800毫安， P
OUT
= 35瓦的魅力。 N - CDMA ， F = 2660兆赫，
单载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@
±885
kHz偏置。
PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.装置的每一侧分别测得。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
3.测量与制作设备推 - 拉配置。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
13
20
—
—
14.6
22.6
- 47.8
- 13
16
—
- 45
-9
dB
%
dBc的
dB
MRF6P27160HR6
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B1
V
BIAS
+
C7
+
C6
C5
C4
R1
C3
Z35
Z37
+
C15
C16
C17
C18
+
C19
Z31
C13
RF
产量
Z32 Z33
DUT
V
供应
Z17 Z19 Z21 Z23 Z25 Z27 Z29
Z3
RF
输入Z1
Z2
C2
C1
Z5
Z7
Z9
Z11
Z13
Z15
Z4
Z6
Z8
Z10
Z12
Z14
Z16 Z18 Z20 Z22 Z24 Z26 Z28
C14
B2
V
BIAS
+
+
C10 C9
C8
C20
C21
C22
R2
C12 C11
Z34
Z36
+
C23
+
C24
Z30
V
供应
Z1
Z2, Z30
Z3, Z31
Z4, Z5
Z6, Z7
Z8, Z9
Z10, Z11
Z12, Z13
Z14, Z15
Z16, Z17
Z18, Z19
1.011 “× 0.139 ”微带
0.150 “× 0.070 ”微带
1.500 “× 0.086 ”微带
0.050 “× 0.230 ”微带
0.170 “× 0.080 ”微带
0.144 “× 0.340 ”微带
0.400 “× 0.210 ”微带
0.280 “× 0.710 ”微带
0.461 “× 0.490 ”微带
0.357 “× 0.766 ”微带
0.284 “× 0.415 ”微带
Z20, Z21
Z22, Z23
Z24, Z25
Z26, Z27
Z28, Z29
Z32
Z33
Z34, Z35
Z36, Z37
PCB
0.160 “× 0.760 ”微带
0.240 “× 0.150 ”微带
0.170 “× 0.420 ”微带
0.260 “× 0.080 ”微带
0.040 “× 0.258 ”微带
0.622 “× 0.139 ”微带
0.346 “× 0.081 ”微带
0.801 “× 0.050 ”微带
0.460 “× 0.095 ”微带
阿尔隆GX - 0300- 5022 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.5
图1. MRF6P27160HR6测试电路原理图
表5. MRF6P27160HR6测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C2
C3, C8, C15, C20
C4, C9
C5, C10
C6, C11
C7, C12
C13, C14
C16, C17, C21, C22
C18, C23
C19, C24
R1, R2
描述
珠，表面贴装
5.6 pF的贴片电容
3.3 pF的贴片电容
0.01
μF
贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
22
μF,
25 V片式钽电容器
47
μF,
16 V片式钽电容器
4.3 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
47
μF,
50 V电解电容器
330
μF,
63 V电解电容器
3.3
W,
1/3 W贴片电阻
产品型号
2743019447
ATC100B5R6CT500XT
ATC100B3R3CT500XT
C1825C103J1RAC
C1825C225J5RAC
T491D226K025AT
T491D476K016AT
ATC100B4R3CT500XT
GRM55DR61H106KA88B
EMVY500ADA470MF80G
EMVY630GTR331MMH0S
CRCW121003R3FKEA
生产厂家
Fair-仪式
ATC
ATC
基美
基美
基美
基美
ATC
村田
化学精读
化学精读
日前，Vishay
MRF6P27160HR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C17
C7 C6
B1
R1
C3
C5* C4*
C15
C16
C18
+
-
C19
C1
C13
切出区
C2
C14
MRF6P27160H
第5版
C20
C21
C24
C10*
C8
B2
C12 C11
R2
C22
C23
*叠放
图2. MRF6P27160HR6测试电路元件布局
MRF6P27160HR6
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
+
-
C9*
典型特征
η
D
，沥干
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
10
11
12
13
14
15
η
D
，沥干
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
10
11
12
13
14
15
16
IRL ，输入回波损耗（分贝）
2700毫安
I
DQ
= 900毫安
40
IRL ，输入回波损耗（分贝）
16
15.8
15.6
G
ps
，功率增益（分贝）
15.4
15.2 V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 35 W（平均） ，
15 I
DQ
= 1800毫安，N -CDMA IS- 95飞行员，
同步，寻呼，交通守则8到13
14.8
14.6
14.4
14.2
G
ps
IRL
η
D
24
23
22
21
20
40
45
ACPR
ALT1
50
55
60
65
14
2600 2610 2620 2630 2640 2650 2660 2670 2680 2690 2700
男，频率（MHz）
图3.单 - 载波N - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 35瓦的魅力。
15.2
15.1
15
G
ps
，功率增益（分贝）
14.9
14.8
14.7
14.6
14.5
14.4
14.3
14.2
ACPR
ALT1
G
ps
η
D
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 70 W（平均） ，
I
DQ
= 1800毫安，N -CDMA IS- 95飞行员，
同步，寻呼，交通守则8到13
35
34
33
32
31
30
30
35
40
45
50
IRL
55
14.1
60
14
2600 2610 2620 2630 2640 2650 2660 2670 2680 2690 2700
男，频率（MHz）
图4.单 - 载波N - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 70瓦的魅力。
17
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
= 2700毫安
16
G
ps
，功率增益（分贝）
2250毫安
1800毫安
15
1350毫安
14
20
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2643.75兆赫， F2 = 2646.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
30
50
1800毫安
60
0.1
1
1350毫安
10
2250毫安
13
12
0.1
900毫安
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2643.75兆赫， F2 = 2646.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
1
10
100
400
100
300
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6P27160HR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S23140H
第2版， 12/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA基站应用的频率在2300
2400兆赫。适用于WiMAX和无线宽带和多载波放大器应用。
将在AB类和C类WLL应用中使用。
典型2 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 1300毫安，
P
OUT
= 28瓦的魅力。 ， F = 2390 MHz的信道带宽= 3.84 MHz时，
PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 15.2分贝
漏极效率 - 25 ％
IM3 @ 10 MHz偏移 - - 37 dBc的在3.84 MHz信道带宽
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 40 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2390兆赫， 140瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF6S23140HR3
MRF6S23140HSR3
2300至2400年兆赫， 28瓦AVG ， 28 V 。
2 x宽 - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465B - 03 ，风格1
NI - 880
MRF6S23140HR3
CASE 465℃ - 02 ，风格1
NI - 880
MRF6S23140HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度82 ° C， 140瓦特CW
外壳温度75 ° C， 28瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.29
0.33
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年， 2008年。保留所有权利。
MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 300
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1300 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
2
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
0.1
2
2.8
0.21
3
4
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
500
μAdc
μAdc
nΑdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1300毫安，P
OUT
。 = 28瓦的魅力， F = 2390兆赫， 2 - 运营商
W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。 IM3测量
3.84 MHz的带宽@
±10
MHz偏移。 PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
13
23
—
—
—
15.2
25
- 37
- 40
- 15
17
—
- 35
- 38
—
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
+
Z12
R1
V
BIAS
+
C12
+
C11
C10
C9
Z11
C3
RF
输入
Z7
Z6
Z13
Z8
DUT
Z9
Z10
C6
B1
C5
C17
C18
C19
C20
V
供应
Z15
Z16
Z17
C2
Z18
RF
产量
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
C4
B2
+
C16
+
C15
C14
C13
Z14
C8
+
C7
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z10
Z11, Z13
Z12, Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
PCB
C21
C22
C23
C24
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5, Z6
Z7
Z8
Z9
0.678″
0.420″
0.845″
0.175″
0.025″
0.514″
0.507″
0.097″
x 0.068″
x 0.068″
x 0.200″
x 0.530″
x 0.530″
x 0.050″
x 0.050″
x 1.170″
0.193 “× 1.170 ”微带
0.712 “× 0.095 ”微带
0.098 “× 0.095 ”微带
0.115 “× 0.550 ”微带
0.250 “× 0.110 ”微带
0.539 “× 0.068 ”微带
0.956 “× 0.068 ”微带
Taconic的RF - 35 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 3.5
图1. MRF6S23140HR3 （ SR3 ）测试电路原理图
表5. MRF6S23140HR3 （ SR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C2, C3, C4, C5, C6, C7, C8
C9, C13
C10, C14, C17, C21
C11, C15
C12, C16
C18, C19, C22, C23
C20, C24
R1
描述
铁氧体磁珠，短
5.6 pF的贴片电容
0.01
μF,
100 V贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
22
μF,
25 V片式钽电容器
47
μF,
16 V片式钽电容器
10
μF,
50 V贴片电容
330
μF,
63 V电解电容器
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
2743019447
ATC100B5R6CT500XT
C1825C103J1RAC
C1825C225J5RAC
T491D226K025AT
T491D476K016AT
GRM55DR61H106KA88B
EMVY630GTR331MMH0S
CRCW120610R0FKEA
生产厂家
博览会 - 爱色丽
ATC
基美
基美
基美
基美
村田
CHEMI - 精读
日前，Vishay
MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C6
R1
B1
C5
C3
C12 C11
C10*
C9*
C17
C19
C20
C18
切出区
C1
C2
MRF6S23140H
REV 3
C21
C22
C4
C16
B2
C15
C14*
*叠放
C13*
C8
C24
C7
C23
图2. MRF6S23140HR3 （ SR3 ）测试电路元件布局
MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
15.6
15.5
G
ps
，功率增益（分贝）
15.4
V
DD
= 28伏直流
15.3 P
OUT
= 28 W（平均）。
I
DQ
= 1300毫安，2-载波W-CDMA中
15.2 10 MHz载波间距， 3.84 MHz信道带宽
PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
15.1
15
14.9
14.8
2270
IM3
IRL
ACPR -40
2290
2310
2330
2350
2370
2390
2410
42
2430
G
ps
28
27
26
η
D
25
34
36
38
η
D
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
6
9
12
15
18
男，频率（MHz）
图3 2 - 载波W - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 28瓦的魅力。
15.1
15
G
ps
，功率增益（分贝）
14.9 V
DD
= 28伏直流
P
OUT
= 56 W（平均）。
14.8 I
DQ
= 1300毫安，2-载波W-CDMA中
10 MHz载波间距， 3.84 MHz信道带宽
14.7 PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
14.6
IM3
14.5
14.4
14.3
2270
IRL
ACPR
29
31
G
ps
η
D
38
37
36
35
25
27
η
D
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
6
9
12
15
18
2290
2310
2330
2350
2370
2390
2410
33
2430
男，频率（MHz）
图4 2 - 载波W - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 56瓦的魅力。
18
17
G
ps
，功率增益（分贝）
16
15
975毫安
14
13
12
11
1
650毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 2345兆赫， F2 = 2355 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
300
I
DQ
= 1950毫安
1625毫安
1300毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
10
V
DD
= 28伏直流
F1 = 2345兆赫， F2 = 2355 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
20
30
I
DQ
= 650毫安
40
1625毫安
50
975毫安
60
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
300
1300毫安
1950毫安
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRFE6VP61K25H
第4版，二千零一十三分之三
RF功率LDMOS晶体管
高耐用性N - 通道
增强 - 模式横向的MOSFET
这些高耐用性设备被设计用于高电压驻波比工业用
（包括激光和等离子体激励器） ，广播（模拟和数字） ，航空航天
和无线电/陆地移动应用程序。他们是无与伦比的输入和输出
设计允许较宽的频率范围内使用， 1.8至600兆赫。
典型性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 100毫安
信号类型
脉冲
(100
微秒，
20 ％占空比）
CW
P
OUT
(W)
1250峰值
1250 CW
f
（兆赫）
230
230
G
ps
（ dB）的
24.0
22.9
D
(%)
74.0
74.6
MRFE6VP61K25HR6
MRFE6VP61K25HSR5
MRFE6VP61K25GSR5
1.8-
-600兆赫， 1250 W CW ， 50 V
宽带
RF功率LDMOS晶体管
应用电路
(1)
- 典型性能
频率
（兆赫）
27
40
81.36
87.5--108
144--148
170--230
352
信号类型
CW
CW
CW
CW
CW
DVB - T的
脉冲
(200
微秒，
20 ％占空比）
CW
CW
P
OUT
(W)
1300
1300
1250
1100
1250
225
1250
G
ps
（ dB）的
27
26
27
24
26
25
21.5
D
(%)
81
85
84
80
78
30
66
NI-
-1230-
-4S
MRFE6VP61K25HSR5
NI-
-1230-
-4H
MRFE6VP61K25HR6
352
500
1150
1000
20.5
18
68
58
1.请联系您当地的飞思卡尔销售办事处的具体信息，
电路设计。
负载失配/耐用性
频率
（兆赫）
230
信号类型
脉冲
(100
微秒，
20%
占空比）
VSWR
>65 ： 1 ，在所有
相位角
P
OUT
(W)
1500峰值
（ 3分贝
OVERDRIVE ）
TEST
电压
50
结果
没有设备
降解
NI-
-1230-
-4S GULL
MRFE6VP61K25GSR5
特点
无与伦比的输入和输出允许频率范围宽利用率
设备可用于单 - 端或在一个推 - 拉配置
合格高达50伏的最大
DD
手术
从30 V特点，以50 V的扩展功率范围
适用于线性与适当的偏置应用
集成ESD保护与较大的负面栅 - 源电压范围
为提高C类操作
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
在磁带和卷轴。 R6后缀= 150个单位，56个毫米磁带宽度， 13 - 英寸的卷轴。
R5后缀= 50单位，56个毫米磁带宽度， 13 - 英寸的卷轴。
门A 3
1漏极的
B门4
2漏B
（ TOP VIEW ）
注意：该包的背面是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
飞思卡尔半导体公司， 2010--2013 。版权所有。
MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
器件总功耗@ T
C
= 25C
减免上述25℃
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
P
D
T
J
特征
热阻，结到外壳
CW ：外壳温度63C 1250 W CW ，我
DQ
= 100毫安， 230兆赫
热阻，结到外壳
脉冲：外壳温度66C ， 1250 W脉冲， 100
微秒
脉冲宽度， 20 ％占空比，
I
DQ
= 100毫安， 230兆赫
符号
R
θJC
Z
θJC
价值
--0.5, +133
--6.0, +10
- 65 + 150
150
1333
6.67
225
价值
(2,3)
0.15
0.03
单位
VDC
VDC
C
C
W
W / ℃，
C
表2.热特性
单位
° C / W
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 ，通过3500 V
B，通过250 V
四，通过4000 V
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(4)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 100 mA时）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(4)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1776
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 100 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(4)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 30 ADC）
动态特性
(4)
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
2.8
185
562
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
1.7
1.9
—
—
2.2
2.2
0.15
28.0
2.7
2.9
—
—
VDC
VDC
VDC
S
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
133
—
—
—
—
—
—
1
—
10
20
μAdc
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
4.设备的每一侧分别测得。
（续）
MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR5
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(1)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 100毫安， P
OUT
= 1250 W峰值（ 250W的魅力。 ）
F = 230兆赫， 100
微秒
脉冲宽度， 20 ％占空比
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
G
ps
D
IRL
23.0
72.5
—
24.0
74.0
--14
26.0
—
--10
dB
%
dB
表5.负载失配/耐用性
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）I
DQ
= 100毫安
频率
（兆赫）
230
信号类型
脉冲
(100
微秒，
20 ％占空比）
VSWR
>65 ： 1 ，在所有
相位角
P
OUT
(W)
1500峰值
（ 3分贝高速）
测试电压V
DD
50
结果
没有设备退化
1.测量任何铅形成操作之前与设备直导线配置应用。导致形成用于鸥
翼（ GS ）的部件。
MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C10
C11 C12
C13
C22
C23
C21
COAX1
R1
COAX3
L3
C16
C2 C4
L1
C5
L2
C14
C15
C17
切出区
C1
C3
C18
C19
COAX2
R2
L4
COAX4
C25
C6
C7 C8
C9
MRFE6VP61K25H
第3版
C26
--
C27
图2. MRFE6VP61K25HR6 （ HSR6 ） 230 MHz的生产测试电路元件布局 - 脉冲
表6. MRFE6VP61K25HR6 （ HSR6 ） 230 MHz的生产测试电路元件牌号和值 - 脉冲
部分
C1
C2, C3, C5
C4
C6, C10
C7, C11
C8, C12
C9, C13, C21, C25
C14
C15
C16, C17, C18, C19
C20
C22, C23, C24, C26, C27, C28
COAX1 ， 2，3， 4
L1, L2
L3, L4
R1, R2
PCB
描述
20 pF的贴片电容
27 pF的贴片电容
0.8--8.0 pF的可变电容， Gigatrim
22
F,
35 V钽电容器
0.1
F
贴片电容
220 nF的贴片电容
1000 pF的贴片电容
43 pF的贴片电容
75 pF的金属云母
240 pF的贴片电容
6.2 pF的贴片电容
470
F,
63 V电解电容器
25
半刚性同轴电缆， 2.2盾长度
5 nH的电感器
6.6 nH的电感器
10
贴片电阻
0.030,
r
= 2.55
产品型号
ATC100B200JT500XT
ATC100B270JT500XT
27291SL
T491X226K035AT
CDR33BX104AKYS
C1812C224K5RACTU
ATC100B102JT50XT
ATC100B430JT500XT
MIN02--002EC750J--F
ATC100B241JT200XT
ATC100B6R2BT500XT
MCGPR63V477M13X26--RH
UT--141C--25
A02TKLC
GA3093--ALC
CRCW120610R0JNEA
AD255A
生产厂家
ATC
ATC
约翰森
基美
AVX
基美
ATC
ATC
CDE
ATC
ATC
MULTICOMP
微 - 同轴电缆
Coilcraft公司
Coilcraft公司
日前，Vishay
阿尔隆
MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR5
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
--
--
--
C24
C20
C28
V
BIAS
L3
C21
C22
C23
C24
C10
Z19
COAX1
Z17
Z15
C17
Z29
DUT
C14
C15
C20
Z16
Z22
Z18
COAX2
Z20
L4
C7
C8
C9
+
+
+
C25
C26
C27
C28
V
供应
V
BIAS
+
C6
R2
Z24
Z26
C18
C19
COAX4
Z28
Z14
L2
Z12
Z21
Z23
Z25
C16
Z27
COAX3
Z11
Z3
Z5
Z7
C4
Z6
C3
Z8
Z10
C5
Z9
C2
Z4
L1
Z2
C1
Z13
R1
C11
C12
C13
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
供应
+
+
+
RF
产量
Z30
RF
输入
Z1
图3. MRFE6VP61K25HR6 （ HSR6 ） 230 MHz的生产测试电路原理图 - 脉冲
表7. MRFE6VP61K25HR6 （ HSR6 ） 230 MHz的生产测试电路微带 - 脉冲
描述
0.192
0.082微带
0.175
0.082微带
0.170
0.100微带
0.116
0.285微带
0.116
0.285微带
0.108
0.285微带
微带
Z11*, Z12*
Z13, Z14
Z15, Z16
Z17*, Z18*
Z19*, Z20*
Z21, Z22
描述
0.872
0.058微带
0.412
0.726微带
0.371
0.507微带
0.466
0.363微带
0.187
0.154微带
0.104
0.507微带
微带
Z23, Z24
Z25, Z26
Z27, Z28
Z29
Z30
描述
1.251
0.300微带
0.127
0.300微带
0.116
0.300微带
0.186
0.082微带
0.179
0.082微带
*线路长度包括微带弯曲
微带
Z1
Z2
Z3, Z4
Z5, Z6
Z7, Z8
Z9, Z10
MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR5
5
QQ：2881677436 复制
