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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第102页 > AD8352ACPZ-R7
2 GHz的超低失真
差分RF / IF放大器
AD8352
特点
-3分贝的2.2 GHz带宽（A
V
约10 dB为单位）
单电阻增益调整： 3分贝
≤
A
V
≤
25分贝
单电阻和电容失真调整
输入阻抗： 3 kΩ的，独立的增益（A
V
)
差分或单端输入至差分输出
低噪声输入级： 2.7纳伏/ √Hz的RTI @阿
V
= 10分贝
宽带低失真
10 MHz时： -86 dBc的HD2 ， -82 dBc的HD3
70兆赫： -84 dBc的HD2 ， -82 dBc的HD3
190 MHz时： -81 dBc的HD2 ， -87 dBc的HD3
41 dBm的@ 150 MHz的OIP3
压摆率： 8 V / ns的
快速稳定和2 ns的过载恢复
单电源供电： 3 V至5.0 V
低功耗37毫安， 5 V
断电功能：5毫安， 5 V
使用高速XFCB3 SiGe工艺
功能框图
ENB
RGP
RDP
要人
R
D
VIN
RDN
05728-001
BIAS细胞
VCM
VCC
+
VOP
R
G
C
D
–
冯
RGN
GND
AD8352
图1 。
–60
–65
–70
–75
44
42
40
38
36
34
32
30
28
220
应用
差分ADC驱动器
单端至差分转换
RF / IF增益模块
SAW滤波器接口
HD3 （ DBC）
–80
–85
–90
–95
–100
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
频率（MHz）
图2. IP3和三次谐波失真与频率的关系，
实测差异
概述
的AD8352是一种高性能的差动放大器
用于RF和IF应用进行了优化。它实现了优于
80分贝SFDR性能，频率高达200 MHz ，而
超过500 MHz的65分贝，使其成为一个理想驱动高
高速12位到16位模拟 - 数字转换器（ADC ） 。
与其它宽带差分放大器， AD8352的有
隔离增益设置电阻器的缓冲区（R
G
）从信号
输入。作为一个结果， AD8352保持恒定的3 kΩ的输入
阻力为3分贝增益25分贝，宽松的匹配和输入
驱动要求。该AD8352具有标称值为100 Ω差分
输出电阻。
该设备是宽带，低失真优化perform-
ANCE在超过500 MHz的频率。这些属性，一起
与它的宽增益调节能力，使该器件放大器
用于通用IF和宽带应用的首选
其中，低失真，噪声和功率是至关重要的。特别是，
它特别适合用于驱动不仅模数转换器，而且混合器，
PIN二极管衰减器，SAW滤波器和多元离散
设备。该设备是在一个紧凑3毫米× 3毫米可用
采用16引脚LFCSP封装，工作温度范围
-40 ° C至+ 85°C 。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113
2006年ADI公司保留所有权利。
05728-002
IP3 （ dBm的）
AD8352
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
噪声失真指标............................................... ... 4
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征............................................. 8
应用................................................. .................................... 11
增益和失真调整（差分输入） .......... 11
单端输入操作............................................. .... 12
窄带，三阶互调取消。 13
高性能ADC驱动............................................. 14
布局和传输线效应..................................... 15
评估板................................................ ............................ 16
评估板装载计划........................................ 16
评估板电路图............................................... .... 17
外形尺寸................................................ ....................... 19
订购指南................................................ .......................... 19
修订历史
9月6日 - 修订版。 0到版本A
更改绝对最大额定值....................................... 6
插入图10，图11 ，图13 ................................ 9
插入图17 ，图18 ，图21 .............................. 10
图34 ..............................................变化........................ 14
更改表9 .............................................. ............................ 16
图38 ..............................................变化........................ 18
更改订购指南.............................................. ............ 19
1月6日 - 修订版0 ：初始版
版本A |第20页2
AD8352
特定网络阳离子
V
S
= 5 V ，R
L
= 200 Ω差分，R
G
= 118 Ω (A
V
= 10 dB为单位） ，
f
= 100 MHz时， T = 25 ℃;差异指定的参数（输入/输出） ，除非
另有说明。
D
和R
D
被选择用于宽带差分运算（见表5和表6）。
表1中。
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
A
V
= 6分贝， V
OUT
= 1.0 V P-P
A
V
= 10 dB时， V
OUT
= 1.0 V P-P
A
V
= 14 dB时， V
OUT
= 1.0 V P-P
3分贝≤一
V
≤ 20分贝，V
OUT
= 1.0 V P-P
3分贝≤一
V
≤ 20分贝，V
OUT
= 1.0 V P-P
使用1％电阻器的R
G
， 0分贝≤一
V
= 20分贝
V
S
± 5%
-40 ° C至+ 85°C
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V步骤
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V步骤
2 V步骤1 ％
V
IN
= 4 V至0 V步骤，V
OUT
= -10毫伏
民
典型值
2500
2200
1800
190
300
±1
0.06
4
9
8
<2
<3
80
VCC/2
1.2 3.8
6
100
0.25
20
-40 ° C至+ 85°C
57
0.15
±5
3
0.9
100
3
3
ENB在3 V
ENB在0.6 V
ENB在3 V
ENB在0.6 V
5
1.5
75
125
37
5.3
5.5
+20
+20
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
dB
分贝/ V
MDB /°C的
V / ns的
V / ns的
ns
ns
dB
V
V
V P-P
mV
毫伏/°C的
mV
dB
毫伏/°C的
μA
kΩ
pF
Ω
pF
V
V
nA
μA
mA
mA
带宽为0.1 dB平坦度
带宽0.2 dB平坦度
增益精度
获得供应灵敏度
增益温度敏感性
压摆率
建立时间
过驱动恢复时间
反向隔离（ S12 ）
输入/输出特性
共模标称
电压调整范围
最大输出电压摆幅
输出共模失调
输出共模漂移
差分输出失调电压
CMRR
输出差分偏移漂移
输入偏置电流
输入阻抗
输入电容（单端）
输出电阻
输出电容
电源接口
电源电压
ENB门槛
ENB输入偏置电流
静态电流
1分贝压缩
引用到VCC / 2的
-40 ° C至+ 85°C
35
39
版本A |第20页3
AD8352
噪声失真规格
V
S
= 5 V ，R
L
= 200 Ω差分，R
G
= 118 Ω (A
V
= 10 dB为单位） ，V
OUT
= 2 V P-P复合， T = 25 ℃;指定的参数差异，除非
另有说明。
D
和R
D
被选择用于宽带差分运算（见表5和表6）。请参阅该应用程序部分
单端至差分性能特性。
表2中。
参数
10兆赫
第二/第三谐波失真
1
输出三阶截取
三阶IMD
条件
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 9.5 MHz时，
f
2
= 10.5兆赫
R
L
= 1 kΩ,
f
1
= 9.5 MHz时，
f
2
= 10.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 9.5 MHz时，
f
2
= 10.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
民
典型值
88/95
86/82
+38
86
81
+2.7
+15.7
R
L
= 1千欧，R
G
= 178 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, R
G
= 115 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω
f
1
= 69.5兆赫，
f
2
= 70.5兆赫
R
L
= 1 kΩ,
f
1
= 69.5兆赫，
f
2
= 70.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 69.5兆赫，
f
2
= 70.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
83/84
84/82
+40
91
83
+2.7
+15.7
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 99.5兆赫，
f
2
= 100.5兆赫
R
L
= 1 kΩ,
f
1
= 99.5兆赫，
f
2
= 100.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 99.5兆赫，
f
2
= 100.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
83/83
84/82
+40
91
84
+2.7
+15.6
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 139.5兆赫，
f
2
= 140.5兆赫
R
L
= 1 kΩ,
f
1
= 139.5兆赫，
f
2
= 140.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 139.5兆赫，
f
2
= 140.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
83/82
82/84
+41
89
85
+2.7
+15.5
最大
单位
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
70兆赫
第二/第三谐波失真
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
100兆赫
第二/第三谐波失真
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
140兆赫
第二/第三谐波失真
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
版本A |第20页4
AD8352
参数
190兆赫
第二/第三谐波失真
输出三阶截取
三阶IMD
条件
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 180.5兆赫，
f
2
= 190.5兆赫
R
L
= 1 kΩ,
f
1
= 180.5兆赫，
f
2
= 190.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 180.5兆赫，
f
2
= 190.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
民
典型值
82/85
81/87
+39
83
81
+2.7
+15.4
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 239.5兆赫，
f
2
= 240.5兆赫
R
L
= 1 kΩ,
f
1
= 239.5兆赫，
f
2
= 240.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 239.5兆赫，
f
2
= 240.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
82/76
80/73
+36
85
77
+2.7
+15.3
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 379.5兆赫，
f
2
= 380.5兆赫
R
L
= 1 kΩ,
f
1
= 379.5兆赫，
f
2
= 380.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 379.5兆赫，
f
2
= 380.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
72/68
74/69
+33
74
70
+2.7
+14.6
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 499.5兆赫，
f
2
= 500.5兆赫
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 499.5兆赫，
f
2
= 500.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
71/64
+28
61
+2.7
+13.9
最大
单位
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
dBc的
DBM
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
240兆赫
第二/第三谐波失真
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
380兆赫
第二/第三谐波失真
2
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
500兆赫
第二/第三谐波失真
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
1
当使用评估板低于50 MHz的频率，更换输出巴伦T1与变压器，如迷你Circuits ADT1-1WT获得低
需要鉴别HD2抵消频率平衡。
2
C
D
和R
D
可以为低于180 MHz的宽带操作最优化。对于上述操作300兆赫，C
D
和R
D
组件不是必需的。
版本A |第20页5
2 GHz的超低失真
差分RF / IF放大器
AD8352
特点
-3分贝的2.2 GHz带宽（A
V
约10 dB为单位）
单电阻增益调节3分贝
≤
A
V
≤
21分贝
单电阻和电容失真调整
输入阻抗3 kΩ的，独立的增益（A
V
)
差分或单端输入至差分输出
低噪声输入级2.7纳伏/ √Hz的RTI @阿
V
= 10分贝
宽带低失真
10 MHz时： -86 dBc的HD2 ， -82 dBc的HD3
70兆赫： -84 dBc的HD2 ， -82 dBc的HD3
190 MHz时： -81 dBc的HD2 ， -87 dBc的HD3
41 dBm的@ 150 MHz的OIP3
压摆率为8 V / ns的
快速稳定和2 ns的过载恢复
单电源供电： 3 V至5.0 V
低功耗37毫安， 5 V
断电功能：5毫安， 5 V
使用高速XFCB3 SiGe工艺
功能框图
ENB
RGP
RDP
要人
R
D
VIN
RDN
05728-001
BIAS细胞
VCM
VCC
+
VOP
R
G
C
D
–
冯
RGN
GND
AD8352
图1 。
–60
–65
–70
–75
44
42
40
38
36
34
32
30
28
220
应用
差分ADC驱动器
单端至差分转换
RF / IF增益模块
SAW滤波器接口
HD3 （ DBC）
–80
–85
–90
–95
–100
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
频率（MHz）
图2. IP3和三次谐波失真与频率的关系，
实测差异
概述
的AD8352是一种高性能的差动放大器
用于RF和IF应用进行了优化。它实现了优于
80分贝SFDR性能，频率高达200 MHz ，而
超过500 MHz的65分贝，使其成为一个理想驱动高
速度12至16位模拟 - 数字转换器（ADC ） 。
与其它宽带差分放大器， AD8352的有
缓冲区隔离增益设置电阻R的
G
从信号
输入。作为一个结果， AD8352保持恒定的3 kΩ的输入
阻力为3分贝增益24分贝，宽松的匹配和输入
驱动要求。该AD8352具有标称值为100 Ω差分
输出电阻。
所述装置被用于宽频带，低失真优化
性能超越500 MHz的频率。这些属性
凭借其广泛的增益一起调整的能力，使该器件
所选择的放大器，用于通用IF和宽带
应用中的低失真，噪声和功率是至关重要的。
特别地，它非常适合用于驱动不仅模数转换器，但
也混频器， PIN二极管衰减器， SAW滤波器和多元
分立器件。该器件采用紧凑的3毫米×3毫米，
采用16引脚LFCSP封装，工作温度范围
-40 ° C至+ 85°C 。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113
2006年ADI公司保留所有权利。
05728-002
IP3 （ dBm的）
AD8352
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
噪声失真指标............................................... ... 4
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征............................................. 8
应用................................................. .................................... 11
增益和失真调整（差分输入） .......... 11
单端输入操作............................................. .... 12
窄带，三阶互调取消。 13
高性能ADC驱动............................................. 14
布局和传输线效应..................................... 15
评估板................................................ ............................ 16
评估板装载计划........................................ 17
评估板电路图............................................... .... 18
外形尺寸................................................ ....................... 20
订购指南................................................ .......................... 20
修订历史
1月6日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第20页2
AD8352
特定网络阳离子
V
S
= 5 V ，R
L
= 200 Ω差分，R
G
= 118 Ω (A
V
= 10 dB为单位） ，
f
= 100 MHz时， T = 25 ℃;差异指定的参数（输入/输出） ，除非
另有说明。
D
和R
D
被选择用于宽带差分运算（参照表6和表7）。
表1中。
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
A
V
= 6分贝， V
OUT
= 1.0 V P-P
A
V
= 10 dB时， V
OUT
= 1.0 V P-P
A
V
= 14 dB时， V
OUT
= 1.0 V P-P
3分贝≤一
V
≤ 20分贝，V
OUT
= 1.0 V P-P
3分贝≤一
V
≤ 20分贝，V
OUT
= 1.0 V P-P
使用1％电阻器的R
G
， 0分贝≤一
V
= 20分贝
V
S
± 5%
-40 ° C至+ 85°C
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V步骤
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V步骤
2 V步骤1 ％
V
IN
= 4 V至0 V步骤，V
OUT
= -10毫伏
民
典型值
2500
2200
1800
190
300
±1
.06
4
9
8
<2
<3
80
VCC/2
1.2 3.8
6
100
.25
20
-40 ° C至+ 85°C
57
.15
±5
3
0.9
100
3
3
ENB在3 V
ENB在0.6 V
ENB在3 V
ENB在0.6 V
5
1.5
75
125
37
5.3
5.5
+20
+20
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
dB
分贝/ V
MDB /°C的
V / ns的
V / ns的
ns
ns
dB
V
V
V P-P
mV
毫伏/°C的
mV
dB
毫伏/°C的
μA
kΩ
pF
Ω
pF
V
V
nA
μA
mA
mA
带宽为0.1 dB平坦度
带宽0.2 dB平坦度
增益精度
获得供应灵敏度
增益温度敏感性
压摆率
建立时间
过驱动恢复时间
反向隔离（ S12 ）
输入/输出特性
共模标称
电压调整范围
最大输出电压摆幅
输出共模失调
输出共模漂移
差分输出失调电压
CMRR
输出差分偏移漂移
输入偏置电流
输入阻抗
输入电容（单端）
输出电阻
输出电容
电源接口
电源电压
ENB门槛
ENB输入偏置电流
静态电流
1分贝压缩
引用到VCC / 2的
-40 ° C至+ 85°C
35
39
第0版|第20页3
AD8352
噪声失真规格
V
S
= 5 V ，R
L
= 200 Ω差分，R
G
=118 Ω (A
V
= 10 dB为单位） ，V
OUT
= 2 V P-P复合， T = 25 ℃;指定的参数差异，除非
另有说明。
D
和R
D
被选择用于宽带差分运算（参照表6和表7）。
表2中。
参数
10兆赫
第二/第三谐波失真
1
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
70兆赫
第二/第三HarmonicDistortion
1
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
100兆赫
第二/第三谐波失真
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
140兆赫
第二/第三谐波失真
2
输出三阶截取
三阶IMD
条件
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 9.5 MHz时，
f
2
= 10.5兆赫
R
L
= 1 kΩ,
f
1
= 9.5 MHz时，
f
2
= 10.5兆赫，V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 9.5 MHz时，
f
2
= 10.5兆赫，V
OUT
= 2 V P-P复合
民
典型值
88/95
86/82
+38
86
81
+2.7
+15.7
83/84
84/82
+40
91
83
+2.7
+15.7
83/83
84/82
+40
91
84
+2.7
+15.6
83/82
82/84
+41
89
85
+2.7
+15.5
最大
单位
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
R
L
= 1千欧，R
G
= 178 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, R
G
= 115 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω
f
1
= 69.5兆赫，
f
2
= 70.5兆赫
R
L
= 1 kΩ,
f
1
= 69.5兆赫，
f
2
= 70.5兆赫，V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 69.5兆赫，
f
2
= 70.5兆赫，V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 99.5兆赫，
f
2
= 100.5兆赫
R
L
= 1 kΩ,
f
1
= 99.5兆赫，
f
2
= 100.5兆赫，V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 99.5兆赫，
f
2
= 100.5兆赫，V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 139.5兆赫，
f
2
= 140.5兆赫
R
L
= 1 kΩ,
f
1
= 139.5兆赫，
f
2
= 140.5兆赫，V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 139.5兆赫，
f
2
= 140.5兆赫，V
OUT
= 2 V P-P
综合
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
1
当使用评估板低于50 MHz的频率，更换输出巴伦T1与变压器，如迷你Circuits ADT1-1WT获得低
需要鉴别HD2抵消频率平衡。
2
C
D
和R
D
可以为低于180 MHz的宽带操作最优化。对于上述操作300兆赫，C
D
和R
D
组件不是必需的。
第0版|第20页4
AD8352
V
S
= 5 V ，R
L
= 200 Ω差分，R
G
= 118 Ω (A
V
= 10 dB为单位） ，V
OUT
= 2 V P-P复合， T = 25 ℃;指定的参数差异，除非
另有说明。
D
和R
D
被选择用于宽带差分运算（参照表6和表7）。请参阅该应用程序部分
单端至差分性能特性。
表3中。
参数
190兆赫
第二/第三谐波失真
1
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
240兆赫
第二/第三谐波失真
1
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
380兆赫
第二/第三谐波失真
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
500兆赫
第二/第三谐波失真
2
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
1
条件
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 180.5兆赫，
f
2
= 190.5兆赫
R
L
= 1 kΩ,
f
1
= 180.5兆赫，
f
2
= 190.5兆赫，V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 180.5兆赫，
f
2
= 190.5兆赫，V
OUT
= 2 V P-P复合
民
典型值
82/85
81/87
+39
83
81
+2.7
+15.4
82/76
80/73
+36
85
77
+2.7
+15.3
72/68
74/69
+33
74
70
+2.7
+14.6
71/64
+28
61
+2.7
+13.9
最大
单位
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
dBc的
DBM
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 239.5兆赫，
f
2
= 240.5兆赫
R
L
= 1 kΩ,
f
1
= 239.5兆赫，
f
2
= 240.5兆赫，V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 239.5兆赫，
f
2
= 240.5兆赫，V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 379.5兆赫，
f
2
= 380.5兆赫
R
L
= 1 kΩ,
f
1
= 379.5兆赫，
f
2
= 380.5兆赫，V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 379.5兆赫，
f
2
= 380.5兆赫，V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 499.5兆赫，
f
2
= 500.5兆赫
R
L
= 200 Ω,
f
1
= 499.5兆赫，
f
2
= 500.5兆赫，V
OUT
= 2 V P-P复合
当使用评估板低于50 MHz的频率，更换输出巴伦T1与变压器，如微型电路ADT1-1WT获得低
需要鉴别HD2抵消频率平衡。
2
C
D
和R
D
可以为低于180 MHz的宽带操作最优化。对于上述操作300兆赫，C
D
和R
D
组件不是必需的。
第0版|第20页5
2 GHz的超低失真
差分RF / IF放大器
AD8352
特点
-3分贝的2.2 GHz带宽（A
V
约10 dB为单位）
单电阻增益调整： 3分贝≤一
V
- 25分贝
单电阻和电容失真调整
输入阻抗： 3 kΩ的，独立的增益（A
V
)
差分或单端输入至差分输出
低噪声输入级： 2.7纳伏/ √Hz的RTI @阿
V
= 10分贝
宽带低失真
10 MHz时： -86 dBc的HD2 ， -82 dBc的HD3
70兆赫： -84 dBc的HD2 ， -82 dBc的HD3
190 MHz时： -81 dBc的HD2 ， -87 dBc的HD3
41 dBm的@ 150 MHz的OIP3
压摆率： 8 V / ns的
快速稳定和<2 NS过载恢复
单电源供电： 3 V至5.5 V
低功耗：38 mA典型@ 5 V
省电功能：5毫安， 5 V
使用高速XFCB3 SiGe工艺
功能框图
ENB
RGP
RDP
要人
R
D
VIN
RDN
05728-001
BIAS细胞
VCM
VCC
+
VOP
R
G
C
D
–
冯
RGN
GND
AD8352
图1 。
–60
–65
44
42
40
38
36
34
32
30
28
220
应用
差分ADC驱动器
单端至差分转换
RF / IF增益模块
SAW滤波器接口
HD3 （ DBC）
–70
–75
–80
–85
–90
–95
–100
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
频率（MHz）
图2.三次谐波失真（ HD3 ）和IP3与
频率测量的差异
概述
的AD8352是一种高性能的差动放大器
用于RF和IF应用进行了优化。它实现了优于
80分贝SFDR性能，频率高达200 MHz ，而
超过500 MHz的65分贝，使其成为一个理想驱动高
高速12位到16位模拟 - 数字转换器（ADC ） 。
与其它宽带差分放大器， AD8352的有
隔离增益设置电阻器的缓冲区（R
G
）从信号
输入。作为一个结果， AD8352保持恒定的3 kΩ的输入
阻力为3分贝增益25分贝，宽松的匹配和输入
驱动要求。该AD8352具有标称值为100 Ω差分
输出电阻。
该设备是宽带，低失真性能优化
在超过500 MHz的频率。这些属性，连同
它的宽增益调节能力，使该器件的放大器
用于通用IF和宽带应用的选择
其中，低失真，噪声和功率是至关重要的。它是理想的
适用于驱动不仅模数转换器也混频器，PIN二极管
衰减器，SAW滤波器和多元件分立器件。该
器件采用紧凑型3毫米×3毫米16引脚LFCSP封装
，工作在-40 ° C至+ 85°C的温度范围内。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
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一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
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传真： 781.461.3113 2006-2008 ADI公司保留所有权利。
05728-002
IP3 （ dBm的）
AD8352
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
噪声失真指标............................................... ... 4
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征............................................. 8
应用信息................................................ .............. 11
增益和失真调整（差分输入） .......... 11
单端输入操作............................................. .... 12
窄带，三阶互调取消。 13
高性能ADC驱动............................................. 14
布局和传输线效应..................................... 15
评估板................................................ ............................ 16
评估板装载计划........................................ 16
焊接方式................................................ ............... 16
评估板电路图............................................... .... 17
外形尺寸................................................ ....................... 19
订购指南................................................ .......................... 19
修订历史
7月8日 - 修订版。 A到版本B
更改功能部分.............................................. .............. 1
图21 ..............................................变化........................ 10
更改表9 .............................................. ............................ 16
新增焊接信息科......................................... 16
图38 ..............................................变化........................ 17
更改订购指南.............................................. ............ 19
9月6日 - 修订版。 0到版本A
更改绝对最大额定值....................................... 6
插入图10，图11 ，图13 ................................ 9
插入图17 ，图18 ，图21 .............................. 10
图34 ..............................................变化........................ 14
更改表9 .............................................. ............................ 16
图38 ..............................................变化........................ 18
更改订购指南.............................................. ............ 19
1月6日 - 修订版0 ：初始版
版本B |第20页2
AD8352
特定网络阳离子
V
S
= 5 V ，R
L
= 200 Ω差分，R
G
= 118 Ω (A
V
= 10 dB为单位） ， F = 100 MHz时， T = 25 ℃;差异指定的参数（输入/输出） ，除非
另有说明。
D
和R
D
被选择用于宽带差分运算（见表5和表6）。
表1中。
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
A
V
= 6分贝， V
OUT
= 1.0 V P-P
A
V
= 10 dB时， V
OUT
= 1.0 V P-P
A
V
= 14 dB时， V
OUT
= 1.0 V P-P
3分贝≤一
V
≤ 20分贝，V
OUT
= 1.0 V P-P
3分贝≤一
V
≤ 20分贝，V
OUT
= 1.0 V P-P
使用1％电阻器的R
G
， 0分贝≤一
V
= 20分贝
V
S
± 5%
-40 ° C至+ 85°C
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V步骤
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V步骤
2 V步骤1 ％
V
IN
= 4 V至0 V步骤，V
OUT
= -10毫伏
民
典型值
2500
2200
1800
190
300
±1
0.06
4
9
8
<2
<3
80
VCC/2
1.2 3.8
6
100
0.25
20
-40 ° C至+ 85°C
57
0.15
±5
3
0.9
100
3
3
ENB在3 V
ENB在0.6 V
ENB在3 V
ENB在0.6 V
5
1.5
75
125
37
5.3
5.5
+20
+20
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
dB
分贝/ V
MDB /°C的
V / ns的
V / ns的
ns
ns
dB
V
V
V P-P
mV
毫伏/°C的
mV
dB
毫伏/°C的
μA
kΩ
pF
Ω
pF
V
V
nA
μA
mA
mA
带宽为0.1 dB平坦度
带宽0.2 dB平坦度
增益精度
获得供应灵敏度
增益温度敏感性
压摆率
建立时间
过驱动恢复时间
反向隔离（ S12 ）
输入/输出特性
共模标称
电压调整范围
最大输出电压摆幅
输出共模失调
输出共模漂移
差分输出失调电压
共模抑制比（ CMRR ）
输出差分偏移漂移
输入偏置电流
输入阻抗
输入电容（单端）
输出电阻
输出电容
电源接口
电源电压
ENB门槛
ENB输入偏置电流
静态电流
1分贝压缩
引用到VCC / 2的
-40 ° C至+ 85°C
35
39
版本B |第20页3
AD8352
噪声失真规格
V
S
= 5 V ，R
L
= 200 Ω差分，R
G
= 118 Ω (A
V
= 10 dB为单位） ，V
OUT
= 2 V P-P复合， T = 25 ℃;指定的参数差异，除非
另有说明。
D
和R
D
被选择用于宽带差分运算（见表5和表6）。请参阅应用信息
部分，用于单端至差分性能特性。
表2中。
参数
10兆赫
第二/第三谐波失真
1
输出三阶截取
三阶IMD
条件
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, f
1
= 9.5兆赫，女
2
= 10.5兆赫
R
L
= 1 kΩ的，女
1
= 9.5兆赫，女
2
= 10.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω, f
1
= 9.5兆赫，女
2
= 10.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
民
典型值
88/95
86/82
38
86
81
2.7
15.7
R
L
= 1千欧，R
G
= 178 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, R
G
= 115 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, f
1
= 69.5兆赫，女
2
= 70.5兆赫
R
L
= 1 kΩ的，女
1
= 69.5兆赫，女
2
= 70.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω, f
1
= 69.5兆赫，女
2
= 70.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
83/84
84/82
40
91
83
2.7
15.7
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, f
1
= 99.5兆赫，女
2
= 100.5兆赫
R
L
= 1 kΩ的，女
1
= 99.5兆赫，女
2
= 100.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω, f
1
= 99.5兆赫，女
2
= 100.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
83/83
84/82
40
91
84
2.7
15.6
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, f
1
= 139.5兆赫，女
2
= 140.5兆赫
R
L
= 1 kΩ的，女
1
= 139.5兆赫，女
2
= 140.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω, f
1
= 139.5兆赫，女
2
= 140.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
83/82
82/84
41
89
85
2.7
15.5
最大
单位
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
70兆赫
第二/第三谐波失真
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
100兆赫
第二/第三谐波失真
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
140兆赫
第二/第三谐波失真
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
版本B |第20页4
AD8352
参数
190兆赫
第二/第三谐波失真
输出三阶截取
三阶IMD
条件
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, f
1
= 180.5兆赫，女
2
= 190.5兆赫
R
L
= 1 kΩ的，女
1
= 180.5兆赫，女
2
= 190.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω, f
1
= 180.5兆赫，女
2
= 190.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
民
典型值
82/85
81/87
39
83
81
2.7
15.4
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, f
1
= 239.5兆赫，女
2
= 240.5兆赫
R
L
= 1 kΩ的，女
1
= 239.5兆赫，女
2
= 240.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω, f
1
= 239.5兆赫，女
2
= 240.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
82/76
80/73
36
85
77
2.7
15.3
R
L
= 1千欧，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, f
1
= 379.5兆赫，女
2
= 380.5兆赫
R
L
= 1 kΩ的，女
1
= 379.5兆赫，女
2
= 380.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
R
L
= 200 Ω, f
1
= 379.5兆赫，女
2
= 380.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
72/68
74/69
33
74
70
2.7
14.6
R
L
= 200 Ω, V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 200 Ω, f
1
= 499.5兆赫，女
2
= 500.5兆赫
R
L
= 200 Ω, f
1
= 499.5兆赫，女
2
= 500.5兆赫，
V
OUT
= 2 V P-P复合
71/64
28
61
2.7
13.9
最大
单位
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
dBc的
DBM
dBc的
纳伏/赫兹÷
DBM
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
240兆赫
第二/第三谐波失真
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
380兆赫
第二/第三谐波失真
2
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
500兆赫
第二/第三谐波失真
2
输出三阶截取
三阶IMD
噪声谱密度（ RTI）
1 dB压缩点（ RTO ）
1
当使用评估板低于50 MHz的频率，更换输出巴伦T1与变压器，例如Mini - Circuits ADT1-1WT获得低
需要鉴别HD2抵消频率平衡。
2
C
D
和R
D
可以为低于180 MHz的宽带操作最优化。对于上述操作300兆赫，C
D
和R
D
组件不是必需的。
版本B |第20页5
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