飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRFE6S9045N
牧师0 ， 10/2007
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
设计用于频宽带商业和工业应用
quencies最高到1000 MHz 。高增益和该宽带性能
设备使得它非常适合大 - 信号，常见的 - 源极放大器的应用
在28伏基站设备。
典型的单 - 载波N - CDMA性能@ 880兆赫，V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 350毫安， P
OUT
。 = 10瓦的魅力， IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，
交通守则8 13 ）信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR =
9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 22.1分贝
漏极效率 - 32 ％
ACPR @ 750 kHz偏置 - - 46 dBc的30 kHz的信道带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 880兆赫， 3分贝高速，
专为增强耐用性
GSM EDGE应用
典型的GSM EDGE性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 350毫安，
P
OUT
= 16瓦的魅力，全频段（ 920 - 960兆赫）
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 46 ％
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 62 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 78 dBc的
EVM - 1.5 ％ RMS
GSM应用
典型的GSM业绩： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 350毫安， P
OUT
= 45瓦，
全频段（ 920 - 960兆赫）
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 68 ％
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每24毫米， 13英寸卷轴500单位。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
最大工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
MRFE6S9045NR1
880兆赫，10W平均， 28 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
CASE 1265- 09 ，风格1
TO - 270 - 2
塑料
价值
- 0.5, +66
- 0.5, + 12
32, +0
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度81 ° C， 45瓦CW
外壳温度79 ° C， 10瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
1.0
1.1
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具（软件&工具） /计算器访问MTTF计算器
按产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007。保留所有权利。
MRFE6S9045NR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
3A （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 66伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μA)
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 350 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.0 ADC）
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.02
27
81
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2.3
0.05
2
3.1
0.23
3
3.8
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
10
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 350毫安， P
OUT
= 10瓦的魅力， F = 880 MHz的单 - 载波
N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@
±750
kHz偏置。 PAR = 9.8分贝
@ CCDF上0.01 ％的概率
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
ACPR
IRL
21
30.5
—
—
22.1
32
- 46
- 19
25
—
- 44
-9
dB
%
dBc的
dB
（续）
MRFE6S9045NR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
典型的GSM EDGE表演
（飞思卡尔GSM EDGE测试夹具优化920 - 960兆赫， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，
I
DQ
= 350毫安， P
OUT
。 = 16 W平均， F = 920 - 960兆赫， GSM EDGE信号
功率增益
漏EF网络效率
误差矢量幅度
频谱再生频率为400 kHz偏移
频谱再生，在600 kHz偏置
G
ps
η
D
EVM
SR1
SR2
—
—
—
—
—
20
46
1.5
- 62
- 78
—
—
—
—
—
dB
%
%
dBc的
dBc的
典型CW性能
（飞思卡尔GSM测试夹具优化920 - 960兆赫， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 350毫安，
P
OUT
= 45 W， F = 920 - 960兆赫
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
P
OUT
@ 1 dB压缩点
（ F = 940兆赫）
G
ps
η
D
IRL
P1dB
—
—
—
—
20
68
- 12
52
—
—
—
—
dB
%
dB
W
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 350毫安， 865 - 900 MHz带宽
视频带宽@ 48 W PEP P
OUT
其中， IM3 = - 30 dBc的
VBW
（音调间隔从100 kHz到VBW ）
—
10
—
ΔIMD3
= IMD3 @ VBW频率 - IMD3 @ 100千赫<1 dBc的（包括
边带）
增益平坦度在35 MHz带宽@ P
OUT
= 10瓦的魅力。
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
G
F
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
0.72
0.011
0.006
—
—
—
兆赫
dB
分贝/°C的
dBm的/°C的
MRFE6S9045NR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
B1
R1
V
BIAS
+
C15
RF
输入
R2
R3
C7
L1
Z10
C5
Z1
C1
C2
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.215″
0.221″
0.500″
0.460″
0.040″
0.280″
0.087″
0.435″
0.057″
x 0.065″
x 0.065″
x 0.100″
x 0.270″
x 0.270″
x 0.270″
x 0.525″
x 0.525″
x 0.525″
C3
C4
C6
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
PCB
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
C9
DUT
C8
Z11
Z12
L2
B2
+
C10
C16
+
C17
+
V
供应
C18
RF
产量
Z16
C14
Z13
Z14
Z15
C11
C12
C13
微带
微带
微带
微带
微带
X 0.530 “锥
微带
微带
微带
0.360 “× 0.270 ”微带
0.063 “× 0.270 ”微带
0.360 “× 0.065 ”微带
0.095 “× 0.065 ”微带
0.800 “× 0.065 ”微带
0.260 “× 0.065 ”微带
0.325 “× 0.065 ”微带
Taconic的RF - 35 0.030 “ ，
ε
r
= 3.5
图1. MRFE6S9045NR1测试电路原理图
表6. MRFE6S9045NR1测试电路组件牌号和值
部分
B1
B2
C1, C7, C10, C14
C2, C4, C12
C3
C5, C6
C8, C9
C11
C13
C15, C16, C17
C18
L1, L2
R1
R2
R3
铁氧体磁珠
铁氧体磁珠
47 pF的贴片电容
0.8 - 8.0 pF的可变电容器， Gigatrim
15 pF的贴片电容
12 pF的贴片电容
13 pF的贴片电容
7.5 pF的贴片电容
0.6 - 4.5 pF的可变电容， Gigatrim
10
μF,
35 V钽电容器
220
μF,
50 V电解电容
12.5 nH的电感器
1 kΩ的1/4 W贴片电阻
560 kΩ的1/4 W贴片电阻
12
Ω,
1/4 W贴片电阻
描述
产品型号
2743019447
2743021447
ATC100B470JT500XT
27291SL
ATC100B150JT500XT
ATC100B120JT500XT
ATC100B130JT500XT
ATC100B7R5JT500XT
27271SL
T491D106K035AT
EMVY500ADA221MJA0G
A04T - 5
CRCW12061001FKEA
CRCW120656001FKEA
CRCW120612R0FKEA
生产厂家
爱色丽博览会
爱色丽博览会
ATC
约翰森
ATC
ATC
ATC
ATC
约翰森
基美
日本贵弥功 - 精读
Coilcraft公司
日前，Vishay
日前，Vishay
日前，Vishay
MRFE6S9045NR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C15
R2
R3
R1
C18
V
DD
C16 C17
B2
C7
C5
C8
C3
C6
切出区
C4
C10
L2
V
GG
B1
L1
C1
C2
C14
C9
C11
C12
C13
TO270/272
表面/
狼吞虎咽
图2. MRFE6S9045NR1测试电路元件布局
MRFE6S9045NR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF8S9102N
第0版， 2/2011
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
专为CDMA基站应用的频率从865到
960兆赫。可以用在AB类和C类的所有典型的蜂窝基站
站调制格式。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
750毫安，P
OUT
= 28瓦平均， IQ幅度裁剪，通道
带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。
频率
920兆赫
940兆赫
960兆赫
G
ps
（ dB）的
23.1
23.1
22.8
η
D
(%)
36.4
36.4
36.6
PAR输出
（ dB）的
6.3
6.2
6.1
ACPR
（ DBC）
--35.5
--36.1
--35.8
MRF8S9102NR3
865-
-960兆赫， 28瓦平均， 28 V
单W-
-CDMA
横向N-
声道
RF功率MOSFET
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 940兆赫， 144瓦CW
输出功率（从额定P 3 dB输入过载
OUT
） ，专为
增强耐用性
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
100瓦CW
880兆赫
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
750毫安，P
OUT
= 28瓦平均， IQ幅度裁剪，通道
带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。
频率
865兆赫
880兆赫
895兆赫
G
ps
（ dB）的
22.9
23.0
22.8
η
D
(%)
35.4
35.5
35.6
PAR输出
（ dB）的
6.4
6.2
6.0
ACPR
（ DBC）
--34.7
--35.1
--35.7
CASE 2021-
-03 ，风格1
OM-
-780-
-2
塑料
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的源极S - 参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C类操作
专为数字预失真纠错系统
优化的Doherty应用
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单元，32毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
飞思卡尔半导体公司， 2011。保留所有权利。
MRF8S9102NR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +70
--6.0, +10
32, +0
--65到150
150
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度81 ° C， 28瓦CW ， 28伏直流电，我
DQ
= 750毫安， 880兆赫
外壳温度80 ° C， 100瓦CW ， 28伏直流电，我
DQ
= 750毫安， 880兆赫
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.63
0.58
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 70伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 400
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 750 MADC ）
夹具门静态电压
(4)
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 750 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.7 ADC）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.5
—
4.6
0.1
2.3
3.1
6.2
0.2
3.0
—
7.6
0.3
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
4. V
GG
= 2× V
GS （ Q）
。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路
原理图。
（续）
MRF8S9102NR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(1)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 750毫安， P
OUT
= 28瓦的魅力。 ， F = 920 MHz时，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
21.5
34.0
6.0
—
—
23.1
36.4
6.3
--35.5
--14
24.0
—
—
--32.5
--9
dB
%
dB
dBc的
dB
典型的宽带性能
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 750毫安， P
OUT
= 28瓦平均，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。
频率
920兆赫
940兆赫
960兆赫
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
IMD对称性@ 82 W PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
30 dBc的
上层之间（三角洲IMD三阶互调
下边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
增益平坦度在40 MHz带宽@ P
OUT
= 28瓦的魅力。
增益随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
输出功率随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
G
ps
（ dB）的
23.1
23.1
22.8
P1dB
IMD
符号
η
D
(%)
36.4
36.4
36.6
—
—
PAR输出
（ dB）的
6.3
6.2
6.1
100
20
ACPR
（ DBC）
--35.5
--36.1
--35.8
—
—
IRL
（ dB）的
--14
--22
--17
W
兆赫
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 750毫安， 920--960 MHz带宽
VBW
水库
G
F
G
P1dB
—
—
—
—
80
0.3
0.02
0.004
—
—
—
—
兆赫
dB
分贝/°C的
分贝/°C的
典型的宽带性能 - 880 MHz的
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 750毫安， P
OUT
= 28瓦平均，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。
频率
865兆赫
880兆赫
895兆赫
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
（ dB）的
22.9
23.0
22.8
η
D
(%)
35.4
35.5
35.6
PAR输出
（ dB）的
6.4
6.2
6.0
ACPR
（ DBC）
--34.7
--35.1
--35.7
IRL
（ dB）的
--15
--23
--19
MRF8S9102NR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R1
R2
C3
C9
C10
C8
切出区
R3
C12
C2
C4
C5
C14
C15
C16
C11
C6
C7
C13
C1
MRF8S9102N
第0版
图1. MRF8S9102NR3测试电路元件布局
表6. MRF8S9102NR3测试电路组件牌号和值
部分
C1, C2
C3, C4, C5, C6, C7
C8, C14, C15
C9, C12, C13, C16
C10
C11
R1, R2
R3
PCB
描述
220
μF,
63 V电解电容器
10
μF,
50 V贴片电容
3.0 pF的贴片电容
47 pF的贴片电容
4.3 pF的贴片电容
4.7 pF的贴片电容
1 KΩ ， 1/8 W贴片电阻
10
,
1/4 W贴片电阻
0.020″,
ε
r
= 3.5
产品型号
222212018221
C5750X5R1H106M
ATC100B3R0BT500XT
ATC100B470JT500XT
ATC100B4R3BT500XT
ATC100B4R7BT500XT
WCR08051KFI
9C12063A10R0FKHFT
RO4350
生产厂家
日前，Vishay
TDK
ATC
ATC
ATC
ATC
韦林
YAGEO
罗杰斯
MRF8S9102NR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 28 W（平均） ，我
DQ
= 750毫安
单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽
η
D
，沥干
效率（％）
27
26
25
G
ps
，功率增益（分贝）
24
23
22
21
20
19
18
17
820
ACPR
IRL
840
860
880
900
920
940
960
η
D
G
ps
输入信号PAR = 7.5分贝
@ CCDF上0.01 ％的概率
公园
40
38
36
34
32
--36
--36.5
ACPR （ DBC）
--37
--37.5
--38
--38.5
980
IRL ，输入回波损耗（分贝）
0
--5
--10
--15
--20
--25
--0.5
--0.8
--1.1
--1.4
--1.7
--2
PARC （分贝）
男，频率（MHz）
图2.输出峰值 - - 平均比例压缩（ PARC ）
- 到 -
宽带性能@ P
OUT
= 28瓦的魅力。
--10
--20
--30
--40
--50
--60
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 82 W（ PEP ） ，我
DQ
= 750毫安
两个 - 音频测量
（ F1 + F2） 940兆赫/ 2 =中心频率
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
1
10
TWO - TONE间隔（MHz ）
IM7--U
100
IMD ，互调失真（ DBC）
图3.互调失真产品
与两
-Tone间距
24
输出压缩0.01 ％
概率ON CCDF （分贝）
23.5
G
ps
，功率增益（分贝）
23
22.5
22
21.5
21
2
60
η
D
η
D
,
排水 FFI效率（ ％ ）
50
40
30
--1分贝= 25瓦
--2分贝= 35瓦
公园
10
20
30
40
50
60
G
ps
--3分贝= 48 W
20
10
0
--20
--25
--30
--35
--40
--45
--50
ACPR （ DBC）
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 750 mA时， F = 940 MHz的单 - 载波
W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽，输入信号
在CCDF 1 PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
0
--1
--2
--3
--4
ACPR
P
OUT
，输出功率（瓦）
图4.输出峰值 - - 平均比
- 到 -
压缩（ PARC ）与输出功率
MRF8S9102NR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6VP2600H
修订版5.1 ， 7/2010
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
主要用于宽带应用与频率高达500 MHz的设计。
设备是无法比拟的，适合于广播应用。
典型的DVB - T的OFDM性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 2600毫安，
P
OUT
= 125瓦的魅力。 ， F = 225 MHz的信道带宽= 7.61 MHz时，
输入信号PAR =上CCDF 9.3分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 25分贝
漏极效率 - 28.5 ％
ACPR @ 4 MHz偏移 - --61 dBc的@ 4 kHz带宽
典型的脉冲性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 2600毫安，
P
OUT
= 600瓦峰值， F = 225兆赫，脉冲宽度= 100
微秒，
税
周期= 20％
功率增益 - 25.3分贝
漏极效率 - 59 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 225兆赫， 600瓦峰值
功率，脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
CW作战能力具有足够的冷却
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
专为推 - 拉运
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
MRF6VP2600HR6
2-
-500兆赫， 600 W， 50 V
横向N-
声道
宽带
RF功率MOSFET
CASE 375D-
-05 ，风格1
NI-
-1230
部分是推挽
-PULL
RF
INA
/V
GSA
3
1 RF
OUTA
/V
DSA
RF
INB
/V
GSB
4
2 RF
OUTB
/V
DSB
（ TOP VIEW ）
图1.引脚连接
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +110
--6.0, +10
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度99 ° C， 125瓦CW ， 225兆赫， 50伏直流电，我
DQ
= 2600毫安
外壳温度64 ° C， 610 W CW ， 352.2兆赫， 50伏直流电，我
DQ
= 150毫安
外壳温度81 ° C， 610 W CW ， 88--108兆赫， 50伏直流电，我
DQ
= 150毫安
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.20
0.14
0.16
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2008--2010 。版权所有。
MRF6VP2600HR6
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 150毫安， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(1)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 800
μAdc ）
门静态电压
(2)
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 2600 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(1)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.7
101
287
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
1.5
—
1.65
2.7
0.25
3
3.5
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
110
—
—
—
—
—
—
10
—
50
2.5
μAdc
VDC
μAdc
mA
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(2)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 2600毫安，P
OUT
。 = 125瓦的魅力， F = 225兆赫， DVB - T的
OFDM单通道。 ACPR测量在7.61 MHz信道带宽@
±4
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
G
ps
η
D
ACPR
IRL
G
ps
η
D
IRL
24
27
—
—
—
—
—
25
28.5
--61
--18
22
68
--15
27
—
--59
--9
—
—
—
dB
%
dBc的
dB
dB
%
dB
典型表现 - 352.2兆赫
（飞思卡尔352.2 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 600瓦CW
典型性能 - 88-
-108兆赫
（飞思卡尔88--108 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 600 W
CW
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
1.装置的每一侧分别测得。
2.测量取得与设备推 - 拉配置。
G
ps
η
D
IRL
—
—
—
24.5
74
--5
—
—
—
dB
%
dB
MRF6VP2600HR6
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
+
C16
+
C15
+
B1
L3
L2
R1
L4
+
C20
C21
C22
C23
+
V
供应
+
C14
C13
C12
C11
C9
C8
C7
C10
C6
C19
C17
C18
C24 C25
Z9
Z5
RF
输入
Z1
Z2
L1
Z3
Z4
J1
C1
C2
T1
Z1
Z2*
Z3*
Z4
Z5, Z6
Z7, Z8
Z9, Z10
Z11, Z12
1.049 “× 0.080 ”微带
0.143 “× 0.080 ”微带
0.188 “× 0.080 ”微带
0.192 “× 0.133 ”微带
0.418 “× 0.193 ”微带
0.217 “× 0.518 ”微带
0.200 “× 0.518 ”微带
0.375 “× 0.214 ”微带
Z13, Z14
Z15*, Z16*
Z17, Z18
Z19
Z20
PCB
Z6
Z8
Z7
Z11 Z13
Z15
Z17
RF
产量
DUT
Z10 Z12 Z14
Z19
C3
Z16
C4
Z18
T2
J2
Z20
C5
0.224 “× 0.253 ”微带
0.095 “× 0.253 ”微带
0.052 “× 0.253 ”微带
0.053 “× 0.080 ”微带
1.062 “× 0.080 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300--55--22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
*线路长度包括微带弯曲
图2. MRF6VP2600HR6测试电路原理图
表5. MRF6VP2600HR6测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1
C2, C4
C3
C5
C6, C9
C7, C13, C20
C8
C10, C17, C18
C11, C22
C12, C21
C14
C15
C16
C19
C23, C24, C25
J1, J2
L1
L2
L3
L4*
R1
T1
T2
描述
95
,
100 MHz的龙铁氧体磁珠
47 pF的贴片电容
43 pF的贴片电容
100 pF的电容芯片
10 pF的贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
10K pF的贴片电容
220 nF的， 50 V贴片电容
1000 pF的贴片电容
0.1
μF,
50 V贴片电容
20K pF的贴片电容
10
μF,
35 V钽电容器
22
μF,
35 V钽电容器
47
μF,
50 V电解电容
2.2
μF,
贴片电容
470
μF
63V电解电容器
从PCB跳线T1 T2 &
17.5 NH， 6匝电感器，
8打开， ＃ 20 AWG ID = 0.125 “电感，手上有伤口
82 NH，电感器
9打开， ＃ 18 AWG电感，手上有伤口
20
,
3 W轴向引线电阻器
平衡不平衡转换器
平衡不平衡转换器
产品型号
2743021447
ATC100B470JT500XT
ATC100B430JT500XT
ATC100B101JT500XT
ATC100B7R5CT500XT
C1825C225J5RAC
ATC200B103KT50XT
C1812C224J5RAC
ATC100B102JT50XT
CDR33BX104AKYS
ATC200B203KT50XT
T491D106K035AT
T491X226K035AT
476KXM050M
2225X7R225KT3AB
MCGPR63V477M13X26--RH
铜箔
B06T
铜线
1812SMS--82NJ
铜线
5093NW20R00J
TUI--9
TUO--4
日前，Vishay
通讯概念
通讯概念
Coilcraft公司
Coilcraft公司
生产厂家
博览会 - 爱色丽
ATC
ATC
ATC
ATC
基美
ATC
基美
ATC
基美
ATC
基美
基美
伊利诺伊帽
ATC
MULTICOMP
* L4缠绕在R1中。
MRF6VP2600HR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
B1
C16
+
C13
C12
C11
C15
L3
L4，R1 *
C22
C21
C20
C14
C9
C8
C7
C6
J1
切出区
L2
C10
T1
C18
C17
T2
C4
J2
C19
C1
L1
C2
C3 （侧面）
MRF6VP2600H
225兆赫
第3版
*
L4缠绕在R1中。
图3. MRF6VP2600HR6测试电路元件布局
MRF6VP2600HR6
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
--
C23
C24
--
C25
--
C5
典型特征
1000
C
国际空间站
C，电容（pF ）
C
OSS
100
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
J
= 200_C
T
J
= 150_C
10
T
J
= 175_C
100
10
C
RSS
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
1
1
T
C
= 25_C
10
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
100
注意：
设备的每一侧分别测得。
图4.电容与漏极 -
- 源电压
26.5
26
G
ps
，功率增益（分贝）
25.5
25
24.5
24
23.5
23
22.5
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 2600毫安
F = 225 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
G
ps
80
70
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
P
OUT
，输出功率（dBm ）
60
50
η
D
40
30
20
10
0
1000
64
注意：
设备的每一侧分别测得。
图5.直流安全工作区
P3dB = 59.7 dBm的（ 938 W）
62
P2DB = 59.1 dBm的（ 827 W）
60
58
56
54
52
27
的P1dB = 53.3 dBm的（ 670 W）
理想
实际
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 2600毫安， F = 225 MHz的
脉冲宽度= 12
微秒，
占空比= 1 ％
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
P
in
输入功率（dBm ）
图6.脉冲功率增益和漏极效率
与输出功率
26
25
G
ps
，功率增益（分贝）
50 V
24
23
22
21
0
40 V
V
DD
= 50伏直流
I
DQ
= 2600毫安
F = 225 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
100
200
300
35 V
V
DD
= 30 V
400
500
600
700
45 V
G
ps
，功率增益（分贝）
28
27
26
25
24
23
22
21
10
图7.脉冲CW输出功率与
输入功率
80
T
C
= --30_C
25_C
85_C
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 2600毫安
F = 225 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
η
D
G
ps
70
60
50
40
30
20
10
1000
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
图8.脉冲功率增益与
输出功率
图9.脉冲功率增益和漏极效率
与输出功率
MRF6VP2600HR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6VP11KH
启7 ， 4/2010
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
主要用于脉冲宽带应用频率高达设计
150兆赫。设备是无与伦比的，并适用于工业，医疗用
和科学应用。
在130 MHz的典型脉冲性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 150毫安，
P
OUT
= 1000瓦峰值（ 200瓦平均） ，脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
功率增益 - 26分贝
漏极效率 - 71 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 130兆赫， 1000瓦峰值
动力
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
CW作战能力具有足够的冷却
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
专为推 - 拉运
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
MRF6VP11KHR6
1.8-
-150兆赫， 1000 W， 50 V
横向N-
声道
宽带
RF功率MOSFET
CASE 375D-
-05 ，风格1
NI-
-1230
部分是推挽
-PULL
RF
INA
/V
GSA
3
1 RF
OUTA
/V
DSA
RF
INB
/V
GSB
4
2 RF
OUTB
/V
DSB
（ TOP VIEW ）
图1.引脚连接
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +110
--6.0, +10
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 1000瓦脉冲， 100
微秒
脉冲宽度， 20 ％占空比
外壳温度67 ° C， 1000瓦CW ， 100兆赫
符号
Z
θJC
R
θJC
价值
(2,3)
0.03
0.13
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2008--2010 。版权所有。
MRF6VP11KHR6
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 300毫安， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(1)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1600
μAdc ）
门静态电压
(2)
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 150 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(1)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 4 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
3.3
147
506
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
1.5
—
1.63
2.2
0.28
3
3.5
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
110
—
—
—
—
—
—
10
—
100
5
μAdc
VDC
μAdc
mA
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(2)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 1000瓦峰值（ 200瓦平均） ， F = 130 MHz时，
100
微秒
脉冲宽度， 20 ％占空比
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
1.装置的每一侧分别测得。
2.测量取得与设备推 - 拉配置。
G
ps
η
D
IRL
24
69
—
26
71
--16
28
—
--9
dB
%
dB
MRF6VP11KHR6
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
+
C1
+
C2
+
B1
L1
R1
R2
L3
+
C15
+
V
供应
+
C20
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
C11
C21
Z10
C13
C14
C16 C17 C18 C19
Z8
Z4
RF
输入
Z1
Z2
L2
Z3
J1
C12
T1
Z5
Z7
Z9
Z6
Z12
Z14
Z16
RF
产量
DUT
Z11
Z18
C23
Z13
C24
Z15
C25
Z17
T2
C22
J2
Z19
C26
Z1
Z2*
Z3*
Z4, Z5
Z6, Z7, Z8, Z9
Z10, Z11
Z12, Z13
0.175 “× 0.082 ”微带
1.461 “× 0.082 ”微带
0.080 “× 0.082 ”微带
0.133 “× 0.193 ”微带
0.500 “× 0.518 ”微带
0.102 “× 0.253 ”微带
0.206 “× 0.253 ”微带
Z14, Z15
Z16*, Z17*
Z18
Z19
PCB
0.116 “× 0.253 ”微带
0.035 “× 0.253 ”微带
0.275 “× 0.082 ”微带
0.845 “× 0.082 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300--55--22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
*线路长度包括微带弯曲。
图2. MRF6VP11KHR6测试电路原理图
表5. MRF6VP11KHR6测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1
C2
C3
C4, C9, C17
C5, C16
C6, C15
C7
C8
C10, C11, C13, C14
C12
C18, C19, C20
C21, C22
C23
C24, C25
C26
J1, J2
L1
L2
L3*
R1
R2
T1
T2
* L3被缠R2。
描述
95
,
100 MHz的龙铁氧体磁珠
47
μF,
50 V电解电容
22
μF,
35 V钽电容器
10
μF,
35 V钽电容器
10K pF的贴片电容
20K pF的贴片电容
0.1
μF,
50 V贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
0.22
μF,
100 V贴片电容
1000 pF的贴片电容
18 pF的贴片电容
470
μF,
63 V电解电容器
47 pF的贴片电容
75 pF的贴片电容
100 pF的贴片电容
33 pF的贴片电容
跳线从印刷电路板到T1和T2
82 nH的电感器
47 nH的电感器
10启动， 18＃AWG电感，手上有伤口
1 KΩ ， 1/4 W碳引线电阻
20
,
3 W贴片电阻
平衡不平衡转换器
平衡不平衡转换器
产品型号
2743021447
476KXM050M
T491X226K035AT
T491D106K035AT
ATC200B103KT50XT
ATC200B203KT50XT
CDR33BX104AKYS
C1825C225J5RAC
C1825C223K1GAC
ATC100B102JT50XT
ATC100B180JT500XT
MCGPR63V477M13X26--RH
ATC100B470JT500XT
ATC100B750JT500XT
ATC100B101JT500XT
ATC100B330JT500XT
铜箔
1812SMS--82NJLC
1812SMS--47NJLC
铜线
MCCFR0W4J0102A50
CPF320R000FKE14
TUI--9
TUO--4
MULTICOMP
日前，Vishay
通讯概念
通讯概念
Coilcraft公司
Coilcraft公司
生产厂家
博览会 - 爱色丽
伊利诺伊帽
基美
基美
ATC
ATC
基美
基美
基美
ATC
ATC
MULTICOMP
ATC
ATC
ATC
ATC
MRF6VP11KHR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
典型特征
1000
C
国际空间站
C
OSS
100
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
100
C，电容（pF ）
T
J
= 200°C
T
J
= 150°C
T
J
= 175°C
10
10
C
RSS
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
1
1
T
C
= 25°C
10
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
100
注意：
设备的每一侧分别测得。
图4.电容与漏极 -
- 源电压
27
26
G
ps
，功率增益（分贝）
25
24
23
η
D
22
21
20
10
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150 mA时， F = 130 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
1000
30
20
G
ps
80
70
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
P
OUT
，输出功率（dBm ）
60
50
40
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
30
注意：
设备的每一侧分别测得。
图5.直流安全工作区
P3dB = 61.23 dBm的（ 1327.39 W）
的P1dB = 60.57 dBm的（ 1140.24 W）
理想
实际
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150 mA时， F = 130 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
31
32
33
34
35
36
37
38
39
10
2000
P
in
输入功率（dBm ）脉冲
图6.脉冲功率增益和漏极效率
与输出功率
32
I
DQ
= 6000毫安
G
ps
，功率增益（分贝）
G
ps
，功率增益（分贝）
28
3600毫安
1500毫安
750毫安
24
150毫安
20
V
DD
= 50伏， F = 130 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
1000
2000
12
0
375毫安
24
28
图7.脉冲输出功率与
输入功率
20
V
DD
= 30 V
16
35 V
40 V
45 V
50 V
16
I
DQ
= 150 mA时， F = 130 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
图8.脉冲功率增益与
输出功率
图9.脉冲功率增益与
输出功率
MRF6VP11KHR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
