特点
低电压和标准电压工作
– 2.7 (V
CC
= 2.7V至5.5V ）
– 1.8 (V
CC
= 1.8V至5.5V ）
三线串行接口
2 MHz的时钟速率（ 5V ）的兼容性
自定时写周期（最大10 ms ）
高可靠性
- 耐力： 100万次擦写循环
- 数据保存：100年
汽车级，扩展级温度和无铅/无卤设备
可用的
8引脚PDIP ， 8引脚JEDEC SOIC和8引脚TSSOP封装
三线
串行EEPROM
1K （ 64 ×16 ）
描述
该AT93C46A提供1024位的串行电可擦除可编程只读的
只有组织为每16位64字存储器（EEPROM） 。该装置进行了优
在许多工业和商业应用而得到优化的情况下使用的低功耗和
低电压操作是必不可少的。该AT93C46A可在节省空间的8
引脚PDIP ，8引脚JEDEC SOIC和8引脚TSSOP封装。
该AT93C46A通过片选引脚（ CS ）功能的，并通过一个三访问
线串行接口，包括数据输入（ DI ） ，数据输出（ DO ） ，和移位时钟
（SK） 。在接收到一个READ指令在DI中，地址被译码并且数据是
同步输出串行数据输出DO引脚。写周期是完全自定时
而在写入前不需要单独的擦除周期。写周期时，才会启用
当该部分是在擦/写使能状态。当CS变为高电平继
写周期开始时， DO引脚输出部分的Ready / Busy状态。
该AT93C46A在2.7V至5.5V和1.8V至5.5V的版本。
表1中。
引脚配置
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
VCC
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
电源
CS
SK
DI
DO
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
NC
GND
AT93C46A
注意：
不推荐在新
设计;请参阅
AT93C46E数据表。
8引脚PDIP
8引脚SOIC
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
NC
GND
8引脚TSSOP
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
NC
GND
牧师0539K - SEEPR - 2/07
1
绝对最大额定值*
工作温度......................................- 55 ° C至+ 125°C
储存温度
.........................................65°C
至+ 150°C
任何引脚电压
相对于地面
........................................ 1.0V
至+ 7.0V
最大工作电压6.25V ..........................................
直流输出电流............................................... ......... 5.0毫安
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个压力只有评级，并
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
图1 。
框图
存储阵列
64 X 16
地址
解码器
数据
注册
产量
卜FF器
模式
解码
逻辑
时钟
发电机
2
AT93C46A
0539K–SEEPR–2/07
AT93C46A
表2中。
引脚电容
(1)
适用在推荐的工作范围从T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= + 5.0V （除非另有说明）
符号
C
OUT
C
IN
注意：
测试条件
输出电容（ DO）的
输入电容（ CS ， SK ， DI ）
这个参数的特点，而不是100％测试。
最大
5
5
单位
pF
pF
条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
表3中。
DC特性
推荐参数的适用工作条件：T已
AI
=
40°C
+ 85℃ ，V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ， （除非另有说明）
符号
V
CC1
V
CC2
V
CC3
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
I
IL
I
OL
V
IL1(1)
V
IH1(1)
V
IL2(1)
V
IH2(1)
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
注意：
参数
电源电压
电源电压
电源电压
电源电流
待机电流
待机电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 1.8V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 5.0V
V
IN
= 0V至V
CC
V
IN
= 0V至V
CC
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
2.7V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
2.7V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
=
0.4
mA
I
OL
= 0.15毫安
I
OH
=
100
A
V
CC
0.2
2.4
0.2
0.6
2.0
0.6
V
CC
x 0.7
读得1.0 MHz
写在1.0兆赫
CS = 0V
CS = 0V
CS = 0V
测试条件
民
1.8
2.7
4.5
0.5
0.5
14.0
14.0
35.0
0.1
0.1
典型值
最大
5.5
5.5
5.5
2.0
2.0
20.0
20.0
50.0
1.0
1.0
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 1
0.4
单位
V
V
V
mA
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
1. V
IL
分钟和V
IH
最大仅为参考，未经测试。
3
0539K–SEEPR–2/07
表4 。
AC特性
适用在推荐的工作范围从T
A
=
40°C
至+ 85°C ，V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V ，
CL = 1的TTL门和100pF的（除非另有说明）
符号
f
SK
参数
SK时钟频率
测试条件
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
相对于SK
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
民
0
0
0
250
250
1000
250
250
1000
250
250
1000
50
50
200
100
100
400
0
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
0.1
1M
3
100
100
400
250
250
1000
250
250
1000
250
250
1000
100
100
400
10
典型值
最大
2
1
0.25
单位
兆赫
t
圣公会
SK高时间
ns
t
SKL
SK低电平时间
ns
t
CS
最低CS低电平时间
ns
t
CSS
CS建立时间
ns
t
DIS
t
CSH
t
DIH
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
相对于SK
相对于SK
相对于SK
ns
ns
ns
t
PD1
输出延迟为“1”
AC测试
ns
t
PD0
输出延迟为“0”
AC测试
ns
t
SV
CS为有效状态
AC测试
ns
t
DF
t
WP
耐力
(1)
CS为高DO
阻抗
写周期时间
5.0V ，25°C
AC测试
CS = V
IL
ns
ms
写周期
注意：
1.此参数的特点，而不是100％测试。
4
AT93C46A
0539K–SEEPR–2/07
AT93C46A
实用
描述
该AT93C46A通过一个简单而通用的三线串行通信访问
界面。设备的操作是由主机发出的7指示控制亲
处理器。
有效的指令开始与CS的上升沿
它由一个起始位（逻辑
“1” ），然后加入相应的操作码和所需的存储器地址位置。
表5 。
指令集为AT93C46A
地址
指令
读
EWEN
抹去
写
ERAL
WRAL
EWDS
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
01
00
00
00
x 16
A
5
A
0
11XXXX
A
5
A
0
A
5
A
0
10XXXX
01XXXX
00XXXX
评论
读取存储在内存中的数据，在指定地址
写使能必须在前面所有的编程模式
擦除存储单元中的
n
A
0
写入存储单元中的
n
A
0
删除所有存储位置。只适用于V
CC
= 4.5V至5.5V
将所有内存位置。只适用于V
CC
= 4.5V至5.5V
禁用所有的程序指令
读（READ ） ：
在读（ READ ）指令包含地址码为MEM-
储器位置被读出。之后的指令和地址译码，从数据
选择存储位置可在串行输出引脚DO 。输出数据的变化
用的串行时钟SK的上升沿同步。但是应当注意的是，一个
虚位（逻辑“0”）之前的16位数据输出字符串。
擦除/写使能（ EWEN ） ：
为了保证数据的完整性，部分自动进入
进入擦除/写禁止（ EWDS ）状态时，电源首次应用。擦除/写
使能（ EWEN ）指令必须先前的任何编程指令被执行
就可以进行。请注意，一旦在EWEN状态，编程遗体
启用直到EWDS指令被执行或V
CC
电源从部分除去。
擦除（ ERASE ） ：
擦除（ ERASE ）教学计划中规定的所有位
存储单元中的逻辑“1”状态。自定时擦除周期开始后的
擦除指令和地址进行解码。 DO引脚输出就绪/忙状态
的一部分，如果CS被保持低至少250纳秒（T后拉高
CS
). A
逻辑“1”，在销DO表示选定的存储器位置已被删除并且
一部分是准备执行下一条指令。
WRITE （写） ：
写（写）指令包含数据的16位被令状
10到指定的存储单元。自定时编程周期，T
WP
，开始
后数据的最后一位的串行数据输入管脚DI被接收。 DO引脚输出
的一部分，如果CS的准备/繁忙状态而保持低了至少后拉高
250纳秒（T
CS
） 。逻辑“ 0” DO表明编程仍在进行中。逻辑“ 1 ”
表明，在指定的地址的存储单元被写入与
数据模式中包含的指令和部分准备作进一步的说明。
A
如果CS是自我结束后所带来的高准备/繁忙状态无法得到
定时编程周期，T
WP
.
全部清除（ ERAL ） ：
擦除所有（ ERAL ）教学计划中的MEM-每一位
储器阵列的逻辑“1”状态，并且主要是用于测试目的。 DO引脚
输出部分，如果CS的准备/繁忙状态被保持在较低的后拉高
最低250纳秒（T
CS
） 。 ERAL指令只适用于V
CC
= 5.0V
±
10%.
全部写入（ WRAL ） ：
写所有（ WRAL ）指令程序的所有内存位置
与指令指定的数据模式。 DO引脚输出READY / BUSY
5
0539K–SEEPR–2/07
QQ：2880707522 复制
