特点
智能卡接口
- 与标准的兼容性
ISO / IEC 7816-1 ,2,3和4
EMV 2000
- CB
Mondex电子钱
,质子, ZKA ,其他:联系金普斯
- 支持的智能卡
智能卡支持的数量: 1
异步卡: T = 0和T = 1
同步/存储卡使用命令解释器
EMV和非EMV卡
电气接口
传输速率: 9.6 Kbps到115 Kbps的
卡电源: 1.8V / 3V / 5V
ESD保护卡销: 4 KV - 人体模型
卡存在或插入检测
- 短路电流限制
主机接口
- 物理层
串行异步链路
可编程的传输速度从1200 bps到115200
格式: 8位,无奇偶校验, 1个停止位
可调电压信号
- 协议
金普斯块协议( GBP )
英镑界面库套件源代码
芯片电源
- 电压: V
CC
- 2.85V至5.4V
- 消费:8 mA典型150 mA最大 - 智能卡供电
·掉电模式
100 μA最大掉电电流
掉电/上电由host命令
附加功能
- 工作温度范围: 0 °至+ 70° ( -40 ° + 85 °
C
C
C
C)
- 包装: SS0P24 , QFN32
- LED管理:指示灯亮时卡上电
的GemCore系列
精简版PRO
AT83C21GC
摘要
描述
AT83C21GC旨在简化在elec-智能卡接口的集成
TRONIC装置。
它管理的电气接口,并与ISO 7816的通信-1/2/3/4的COM
兼容智能卡和存储卡。
图1 。
一个智能卡读卡器的基本架构
主持人
处理器
AT83C21GC
智能卡
智能卡
连接器
4247DS–SCR–03/07
这是一个总结性文件。一个完整的文档
可在Gemplus公司的网站。 www.gemplus.com
与主处理器的连接是通过一个串行异步链路实现;能率
从一个范围内选择1200至115200 。
所述的GemCore芯片内的软件处理与主机系统的通信协议
所谓的金普斯块协议( GBP ) 。
一套完整的文档可在Gemplus公司网站:
http://www.gemplus.com 。
英镑的界面库套件可提供根据请求。它包含的源代码
主机和的GemCore之间英镑的通信层。它是用C语言。看
金普斯开发者的网站www.gemplus.com 。如有查询,也可以发布到
cardreader@atmel.com 。
为设备上的一般信息,请参阅AT83C5121数据表可
爱特梅尔网站, www.atmel.com 。
2
AT83C21GC
4247DS–SCR–03/07
AT83C21GC
表1中。
端口信号说明(续)
国内
PORT
P1.3
信号
名字
CC4
动力
供应
CV
CC
ESD
4千伏
TYPE
I / O
描述
智能卡接口功能
卡接触4 - 拉介质必须小于20KΩ
智能卡接口功能
卡时钟
智能卡接口功能
卡复位 - 拉中必须小于20KΩ
UART功能
接收数据输入
UART功能
发送数据的输出。
输入/输出功能
P3.2是一个双向I / O和内部上拉端口。
输入/输出功能
P3.3是一个双向I / O和内部上拉端口。
输入/输出功能
P3.4是一个双向I / O和内部上拉端口。
备用卡功能
卡I / O :拉中必须小于20K
LED功能
P3.6
CCLK1
DV
CC
O
这些引脚可以直接连接到标准的阴极不带LED
外部限流电阻。每个输出的典型电流可
通过软件编程以2,4或10毫安( LEDCON寄存器)。
输入/输出功能
P3.7是一个双向I / O和内部上拉端口。
复位输入
持该引脚为低64个振荡周期,而oscillatoris运行重置
装置。端口引脚被驱动到它们的复位状态时比V的电压低
IL
被应用,是否振荡器运行。该引脚具有内部上拉
电阻器,其允许装置通过该引脚之间连接一电容器来复位
和VSS 。断言RST当芯片处于空闲模式或掉电模式返回
在芯片正常操作。至少12个振荡周期时,输出有效
内部复位。
XTAL1
V
CC
I
输入到芯片上振荡器反相放大器
要使用内部振荡器,晶体/谐振电路连接
此引脚。如果外部振荡器,其输出端连接到该引脚。
XTAL2
V
CC
O
的片上振荡器反相放大器的输出端
要使用内部振荡器,晶体/谐振电路连接
此引脚。如果使用外部振荡器, XTAL2可悬空。
V
CC
PWR
电源电压
V
CC
用于电源内部电压调节器和内部I / O的。
LI
PWR
直流/直流输入
李必须连接到V
CC
通过外部线圈(通常4,7
H)
并提供
当前用于泵充电的DC / DC转换器的。
P1.4
CCLK
CV
CC
4千伏
O
P1.5
CRST
CV
CC
4千伏
O
P3.0
RXD
EV
CC
I
P3.1
TXD
EV
CC
O
P3.2
INT0
DV
CC
I / O
P3.3
INT1
EV
CC
I / O
P3.4
EV
CC
I / O
P3.5
CIO1
DV
CC
I / O
P3.7
RST
CRST1
DV
CC
V
CC
I / O
I / O
5
4247DS–SCR–03/07
特点
根据CAN 2.0B规范设计
CAN 2.0B协议功能
4不同的数据速率使用内置可编程预分频器
- 1兆比特/秒, 500千比特/秒, 250千比特/秒, 125千比特/秒
16 MHz的频率周期
省电:睡眠模式
CAN总线仲裁
所有必需的CAN功能:
错误处理:
- 填充位代
- CRC生成
- 应答产生
远程帧
1 TX缓冲区和3 RX缓冲器
3个独立的接收过滤
中断输出可产生下列事件
- 电报发送成功
- 电报成功接收
- 接收缓冲区溢出
- 总线关闭状态
- 错误被动状态
技术:门0.5爱特梅尔MG2RTP抗辐射海庵
类型:半定制数字5V
工作频率: 16兆赫(测试频率为10MHz )
最大频率: 18兆赫
无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/ cm的LET阈值
2
经测试可达总剂量为300 Krads ( SI )根据MIL STD 883方法1019
QML -Q和V带SMD 5962-03A06
包装: MLCC 44针
CAN控制器
空间
应用
AT7908E
描述
该AT7908E是CAN控制器独立设备的空间应用。冗
dant结构和特殊的技术,以使所述设备实现
SEU宽容。该AT7908E CAN内核提供了所有的CAN 2.0B协议功能
除了超载帧生成。它包括了接收过滤。核心
采用了错误处理能力,填充位产生, CRC ,多样品
点和远程帧生成。该AT7908E提供了一个可编程的8位MCU
位的通用接口连接接收和发送缓冲器,控制寄存器
和状态寄存器CPU 。
该AT7908E由奥里利亚Microelettronica SpA公司,意大利的设计,芯片是
被称为CASA ( CAN ASIC的空间应用) 。
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1
信号引脚说明
引脚数
9
8
11
13
10
23
22
16
5, 4, 3, 2, 44, 43,
42, 41
38, 37, 36, 35, 33,
32, 31, 30
25
27
19
14
15
26
20
信号
名字
模式
Cs
Wr
Rd
ALE
XTALIN
XTALOUT
RESET
ADDR<7 : 0>
Data<7 : 0>
INT
CAN_TX
CAN_RX
SENA
TEST
hatrig
hasync
TYPE
我 - CMOS
我 - CMOS
我 - CMOS
我 - CMOS
我 - CMOS
我 - CMOS
IO - CMOS
我 - CMOS
我 - CMOS
IO - CMOS
- CMOS
- CMOS
我 - CMOS
我 - CMOS
我 - CMOS
- CMOS
- CMOS
AH
AH
AH
AH
AL
AL
AH
AL
AL
AH
记
描述
界面操作模式
片选信号
写信号
读信号
地址锁存使能
输入到内部振荡器或时钟
从外部振荡器输入
从内部振荡器的输出
RESET信号
输入地址(模式1 )或输出
地址(模式0)
地址数据总线
中断请求
TX信号
RX信号
扫描启用
输入信号,以增加可测性
输出信号来触发该消息
匹配
输出同步信号
注意:
缩写: O =输出, I =输入, IO =双向I / O, AL =低电平有效, AH =活动
高。
2
AT7908E
4268D–AERO–11/09
AT7908E
振荡器
XTALIN和XTALOUT是一个内部反向振荡器的IO 。要使用内部振荡器,
石英必须连接XTALIN和XTALOUT引脚之间。
驱动装置与外部时钟源, XTALIN必须由时钟信号驱动
和XTALOUT必须悬空。该振荡器的最大工作频率
器,在开环模式(无晶) 6 pF负载上XTALOUT在最坏的情况
(处理过程慢,温度= 145℃,电源= 4.5V )为60兆赫。
XTALIN和XTALOUT的IO层面的CMOS电平。
内部时钟可以放在关闭状态与外部引脚SENA =逻辑值
1和TEST =逻辑值0 。
重设规范
复位引脚必须驱动为低电平至少3个时钟周期( 190 ns的频率为16 MHz ) 。
复位信号必须为至少200 ns至驱动到低电平电源的AT7908E的
避免AT7908E装置异常启动条件。
3
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电气特性
绝对最大额定值
下偏差( TA) ... -55军用环境温度至+ 125°C
结温................................................ ..... 175℃
储存温度.........................................- 65 + 150°C
*注意:
强调以上这些,可能会对perma-
新界东北仪器损坏。置身于abso-
琵琶最大额定值条件下,其
期间可能会影响器件的可靠性。
功耗: 0.3W ..........................................
Themal电阻结点到外壳: ........... 5.1 ° C / W
TTL / CMOS :
电源电压VDD ...........................................为-0.5V + 6V
I / O电压............................................. - 0.5V至VDD + 0.5V
DC特性
指定在VDD = 5V + +/- 10 %
符号
VIL
VIH
VOL
VOH
IL
IOZ
IOS
参数
输入低电压
CMOS输入
输入高电压
CMOS输入
输出低电压
CMOS输出
输出高电压
CMOS输出
输入漏电流
没有上拉/下拉
三态输出漏电流
输出短路电流
IOSN
IOSP
24
18
mA
mA
+/- 1
+/-1
+/- 5
+/-5
mA
mA
BOUT6
VOUT = 4.5V
VOUT = VSS
3.9
V
0.4
V
0.7VDD
VDD
V
IOL = 6毫安
(1)
IOH = -6毫安
(1)
0
0.3VDD
V
民
典型值
最大
单位
条件
注意:
1.根据下面的缓冲器: BOUT6 , BIOC6 @ VDD = 4.5V
4
AT7908E
4268D–AERO–11/09
AT7908E
AC特性
TJ = 125°C ,典型流程( NS中的所有值)
Tp
输出信号
CAN_TX
INT
hasync
hatrig
成立Data<7 : 0> / ALE
保持Data<7 : 0> / ALE
BIOC6 :双向缓冲器
CMOS输入
75 pF的
BOUT6 :输出缓冲带6
mA驱动
75 pF的
缓冲器说明
负载
XTALIN到输出高
29
25
26
5
6
19
Tp
XTALIN输出低电平
建立
或持有
耗电量
参数
DC个当前
耗散
最大
50毫安@ 5V
民
-
记
CLK频率为16MHz
技术
MG2RTP 0.5毫米3金属层门海。
矩阵: MG2 -044 : 33K可用门。
包装: MLCC_J44 :陶瓷多层封装
应用
核心架构已经实现考虑到典型的约束
:空间应用
无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/ cm的LET阈值
2
经测试可达总剂量为300 Krads ( SI )根据MIL STD 883方法1019
使用SEU硬翻盖设计触发器
低功耗睡眠模式
测试结构的插入(内部扫描链)达到的故障覆盖率> 95 %
根据ESA规格
5
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