【堆叠模块功能64兆位闪存+ 16 - Mbit的PSRAM电源2.7V至3.1V数据I / O X1】,IC型号AT52BC6402AT-85CI,AT52BC6402AT-85CI PDF资料,AT52BC6402AT-85CI经销商,ic,电子元器件-51电子网

堆叠模块功能

64兆位闪存+ 16 - Mbit的PSRAM

电源2.7V至3.1V

数据I / O X16

66球CBGA封装： 8× 11X 1.0毫米

64兆位闪存产品特点

64兆位（ 4M ×16 ）快闪记忆体

2.7V - 3.1V读/写

高性能

- 异步访问时间 - 70 ， 85纳秒

扇区擦除架构

- 八4K字部门有独立的写锁定

- 32K字的主要行业有独立的写锁定

典型扇区擦除时间： 32K字的部门 - 500毫秒; 4K字部门 - 100毫秒

64M ，四平面组织，在没有任何3个平面准许并发读

被编程/擦除

- 内存平面答：内存16M其中包括八个4K字部门

- 内存面B：内存16M的32K字组成部门

- 内存平面C：内存16M的32K字组成部门

- 内存平面D：内存16M ，包括32K字部门

暂停/恢复功能的擦除和编程

- 支持读取和编程的任何扇区的数据被擦除暂停

不同部门

- 支持读取任何一个字，暂停的任何其他字编程

低功耗工作

- 30毫安活动

- 35 μA待机

1.8V的I / O选项可降低整体系统功耗

数据轮询和切换位的程序检测结束

VPP引脚为写保护和加速编程/擦除操作

RESET输入的设备初始化

顶部或底部启动块配置可用

128位注册保护

通用闪存接口（ CFI ）

64兆位闪存，

16 - Mbit的PSRAM

（ X16 I / O）

AT52BC6402A

AT52BC6402AT

初步

16 - Mbit的PSRAM产品特点

16兆位（ 1M ×16 ）

2.7V至3.1V V

手术

70 ns访问时间

堆叠模块描述

该AT52BC6402A （T ）由一个64兆位闪存堆叠有一个16兆位的PSRAM中一

单CBGA封装。

堆叠模块存储器内容

设备

AT52BC6402A(T)

内存组合

64M的Flash + 16M PSRAM

闪存/ PSRAM读取访问

异步页模式

牧师3441B - STKD ， 11月4日

66C4 –

CBGA

顶视图

A20

A16

A11

A15

A10

A21

A14

A13

A12

GND

I/O7

I/O5

I / O15 PSWE I / O14

I/O13

I/O12

A19

西班牙工人社会党

I/O11

I/O9

CE1

I/O6

I/O4

PSGND RESET

PSCS PSVCC VCC

I/O10

I/O8

GND

I/O2

I/O0

I/O3

I/O1

PSCE1

VPP

A17

A18

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A21

I / O0 - I / O15

CE1

PSCE1

PSCS

OE / PSOE

WE / PSWE

RESET

VPP

VCC / PSVCC

GND / PSGND

功能

地址

数据输入/输出

闪存芯片使能

PSRAM芯片使能

PSRAM芯片选择（深度掉电控制 - 模式引脚）

闪光输出使能/ PSRAM输出使能

Flash写使能/ PSRAM写使能

低字节控制（ PSRAM ）

高字节控制（ PSRAM ）

闪存复位

闪存写保护

闪存写保护和电源，用于加速

编程/擦除操作

闪光灯电源/ PSRAM电源

无连接

设备接地/ PSRAM地

AT52BC6402A(T)

3441B–STKD–11/04

AT52BC6402A(T)

64兆位闪存

描述

在64兆比特的闪存被分为多个扇区和飞机进行擦除操作

系统蒸发散。该设备可读取或重新编程落单2.7V供电，使得

它们非常适合用于在系统编程。

64兆位器件被分为四个存储器平面。读操作可以发生在

其中任何一个没有被编程或擦除的三个平面的。这同时能操作

ATION允许改进的系统性能由于不需要系统等待一个

程序或擦除操作完成时实施读之前。为了进一步增加

该装置的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序挂起功能。

此功能将把擦除或编程搁置任何的时间，让用户

读取数据或程序数据的任何剩余的扇区。没有任何理由

暂停的擦除或编程操作，如果要读取的数据是在另一个存储器

平面。编程或擦除的结束是由数据轮询或切换位检测。

VPP引脚提供数据保护和更快的编程和擦除时间。当

在V

输入低于0.8V ，编程和擦除功能被抑制。当V

在1.65V以上时，正常的编程和擦除操作可以被执行。随着V

12.0V的编程和擦除操作被加速。

随着V

在12V ，一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式），以去除

进入三字节的程序序列的要求提供，以进一步改善

编程时间。在写CON-进入六字节码，只有单个脉冲之后

控制线都需要写入到器件中。此模式（单脉冲字

计划）是由断电装置，通过采取RESET引脚与GND或退出

在V高到低转换

输入。擦除，擦除挂起/恢复，可持计划

挂起/恢复和阅读复位命令将无法正常工作，而在这种模式下，如果进入

它们将导致数据被编程到器件中。我们不建议

6字节的代码驻留在最终产品中的软件，但只存在于外部的亲

编程代码。

设备操作

命令序列：

在读出模式的设备通电。命令

序列用于将设备在其他操作模式，如程序和

抹去。在完成一个节目或一个擦除周期后，设备进入读

模式。命令序列被写入通过应用低脉冲，在WE输入

带CE低和OE高或通过施加低向脉冲在CE输入与WE低

和OE高。的地址被锁存，在WE或CE脉冲的下降沿，而─

先出现。有效的数据被锁存，在WE或CE的脉冲的上升沿，

以先到为准。在命令序列中使用的地址不受影响

通过输入命令序列。

异步读取：

64兆位闪存访问像EPROM 。当CE

和OE为低电平和WE为高电平时，存储在由所确定的存储器位置中的数据

的地址引脚上认定的输出。输出处于高阻抗

每当国家CE或OE为高电平。这种双行控制给出了预设计的灵活性

排气总线争用。

RESET ：

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当

RESET是处于逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。低水平

于RESET引脚停止本装置的操作，并把该装置的输出端

在一个高阻抗状态。当一个高级别重申RESET引脚上的

设备返回到读取或待机模式，这取决于控制引脚的状态。

3441B–STKD–11/04

ERASE ：

前一个字可以被重新编程，必须擦除。的擦除状态

所述存储器的位是逻辑“1”。整个存储器可以通过使用芯片擦除

擦除命令或各个平面或扇区可以通过使用平面擦除要擦除

或扇区擦除命令。

芯片擦除：

芯片擦除是六总线周期操作。自动擦除开始于

最后一个WE脉冲的上升沿。芯片擦除不改变受保护的数据

部门。全片擦除后，设备将返回到读取模式。该硬

在芯片擦除器复位将停止擦除，但数据将是未知状态。

在芯片擦除，除非擦除任何命令挂起将被忽略。

飞机ERASE ：

作为一种替代全芯片擦除，该设备被组织成四个

面可单独擦除。平面擦除命令是一个六总线周期

操作。这架飞机，其地址是在第六届下降沿有效的，我们将

的平面内的扇区的擦除提供任何保护。

扇区擦除：

作为替代一全芯片擦除或一个平面擦除，该装置是

组织成多个扇区可单独擦除。扇区擦除的COM

命令是一个六总线周期操作。该部门的地址是在第六届落下有效

我们的优势将被删除只要给定扇区未保护。

WORD编程：

对器件进行编程就一个字，用字的基础。亲

编程是通过内部设备命令寄存器来实现的，并且是四总线

循环操作。编程地址和数据被锁存在所述第四周期。该

设备将自动生成所需的内部编程脉冲。请

注意， “0”不能编程回一个“1” ;只有擦除操作可以转换

“0”到“1” 。

灵活的扇区保护：

64 - Mbit的器件提供了两个部门的保护

模式中， Softlock和硬件锁。该Softlock模式优化为部门保护

化的行业，其内容经常变化。硬件锁保护模式

推荐部门，其内容很少改变。一旦这两种的

模式被使能，所选择的扇区的内容是只读的，不能被擦除

或编程。每个扇区可以被独立地编程为在Softlock

或硬件锁业保护模式。在上电和复位，所有部门都有自己的软

锁保护模式下启用。

SOFTLOCK和解锁：

该Softlock保护模式可以通过发出一个被禁用

二总线周期解锁命令到所选的扇区。一旦该扇区被解锁，其

内容可以被擦除或编程。要启用Softlock保护模式，一个六

总线周期Softlock命令必须发出到所选择的扇区。

HARDLOCK和写保护（ WP ）：

硬件锁业保护模式能操作

阿泰与写保护（ WP ）引脚相结合。硬件锁保护部门

模式可以通过发出一个六总线周期硬件锁软件命令将被启用

选定行业。写保护引脚的状态是否影响了硬件锁保护

化模式可以被覆盖。

当WP引脚为低电平和硬件锁保护模式被启用，该部门

不能解除锁定和扇区的内容是只读的。

当WP引脚为高电平时，硬件锁保护模式无效，该部门

可以通过解锁命令解锁。

要禁用硬件锁扇区保护模式下，芯片必须是复位或电源

循环。

AT52BC6402A(T)

3441B–STKD–11/04

AT52BC6402A(T)

表1中。

硬件锁和Softlock保护配置结合WP

硬

LOCK

软

LOCK

擦除/

PROG

允许？

是的

/5V

无界被锁定

部门Softlocked 。解锁

命令可以解锁部门。

硬件锁保护模式

启用。该扇区不能

解锁。

无界被锁定。

部门Softlocked 。解锁

命令可以解锁部门。

硬件锁保护模式

覆盖和部门不

锁定。

硬件锁保护模式

覆盖的行业可

通过解锁命令解锁。

擦除和编程操作

不能进行。

/5V

是的

/5V

图1 。

部门锁定状态图

解锁

锁定

[000]

[001]

WP = V

= 0

[011]

上电/复位

默认

Hardlocked

[110]

[111]

Hardlocked被禁用

WP = V

= 1

上电/复位

默认

[100]

[101]

=解锁指令

= Softlock命令

=硬件锁命令

注意：

1.符号[ X，Y， Z]表示一个扇区的锁定状态。当前锁定状态

一个扇区使用WP的状态和部门锁定状态的两位定义

D[1:0].

3441B–STKD–11/04

堆叠模块功能

64兆位闪存+ 16 - Mbit的PSRAM

电源2.7V至3.1V

数据I / O X16

66球CBGA封装： 8× 11X 1.0毫米

64兆位闪存产品特点

64兆位（ 4M ×16 ）快闪记忆体

2.7V - 3.1V读/写

高性能

- 异步访问时间 - 70 ， 85纳秒

扇区擦除架构

- 八4K字部门有独立的写锁定

- 32K字的主要行业有独立的写锁定

典型扇区擦除时间： 32K字的部门 - 500毫秒; 4K字部门 - 100毫秒

64M ，四平面组织，在没有任何3个平面准许并发读

被编程/擦除

- 内存平面答：内存16M其中包括八个4K字部门

- 内存面B：内存16M的32K字组成部门

- 内存平面C：内存16M的32K字组成部门

- 内存平面D：内存16M ，包括32K字部门

暂停/恢复功能的擦除和编程

- 支持读取和编程的任何扇区的数据被擦除暂停

不同部门

- 支持读取任何一个字，暂停的任何其他字编程

低功耗工作

- 30毫安活动

- 35 μA待机

1.8V的I / O选项可降低整体系统功耗

数据轮询和切换位的程序检测结束

VPP引脚为写保护和加速编程/擦除操作

RESET输入的设备初始化

顶部或底部启动块配置可用

128位注册保护

通用闪存接口（ CFI ）

64兆位闪存，

16 - Mbit的PSRAM

（ X16 I / O）

AT52BC6402A

AT52BC6402AT

初步

16 - Mbit的PSRAM产品特点

16兆位（ 1M ×16 ）

2.7V至3.1V V

手术

70 ns访问时间

堆叠模块描述

该AT52BC6402A （T ）由一个64兆位闪存堆叠有一个16兆位的PSRAM中一

单CBGA封装。

堆叠模块存储器内容

设备

AT52BC6402A(T)

内存组合

64M的Flash + 16M PSRAM

闪存/ PSRAM读取访问

异步页模式

牧师3441B - STKD ， 11月4日

66C4 –

CBGA

顶视图

A20

A16

A11

A15

A10

A21

A14

A13

A12

GND

I/O7

I/O5

I / O15 PSWE I / O14

I/O13

I/O12

A19

西班牙工人社会党

I/O11

I/O9

CE1

I/O6

I/O4

PSGND RESET

PSCS PSVCC VCC

I/O10

I/O8

GND

I/O2

I/O0

I/O3

I/O1

PSCE1

VPP

A17

A18

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A21

I / O0 - I / O15

CE1

PSCE1

PSCS

OE / PSOE

WE / PSWE

RESET

VPP

VCC / PSVCC

GND / PSGND

功能

地址

数据输入/输出

闪存芯片使能

PSRAM芯片使能

PSRAM芯片选择（深度掉电控制 - 模式引脚）

闪光输出使能/ PSRAM输出使能

Flash写使能/ PSRAM写使能

低字节控制（ PSRAM ）

高字节控制（ PSRAM ）

闪存复位

闪存写保护

闪存写保护和电源，用于加速

编程/擦除操作

闪光灯电源/ PSRAM电源

无连接

设备接地/ PSRAM地

AT52BC6402A(T)

3441B–STKD–11/04

AT52BC6402A(T)

64兆位闪存

描述

在64兆比特的闪存被分为多个扇区和飞机进行擦除操作

系统蒸发散。该设备可读取或重新编程落单2.7V供电，使得

它们非常适合用于在系统编程。

64兆位器件被分为四个存储器平面。读操作可以发生在

其中任何一个没有被编程或擦除的三个平面的。这同时能操作

ATION允许改进的系统性能由于不需要系统等待一个

程序或擦除操作完成时实施读之前。为了进一步增加

该装置的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序挂起功能。

此功能将把擦除或编程搁置任何的时间，让用户

读取数据或程序数据的任何剩余的扇区。没有任何理由

暂停的擦除或编程操作，如果要读取的数据是在另一个存储器

平面。编程或擦除的结束是由数据轮询或切换位检测。

VPP引脚提供数据保护和更快的编程和擦除时间。当

在V

输入低于0.8V ，编程和擦除功能被抑制。当V

在1.65V以上时，正常的编程和擦除操作可以被执行。随着V

12.0V的编程和擦除操作被加速。

随着V

在12V ，一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式），以去除

进入三字节的程序序列的要求提供，以进一步改善

编程时间。在写CON-进入六字节码，只有单个脉冲之后

控制线都需要写入到器件中。此模式（单脉冲字

计划）是由断电装置，通过采取RESET引脚与GND或退出

在V高到低转换

输入。擦除，擦除挂起/恢复，可持计划

挂起/恢复和阅读复位命令将无法正常工作，而在这种模式下，如果进入

它们将导致数据被编程到器件中。我们不建议

6字节的代码驻留在最终产品中的软件，但只存在于外部的亲

编程代码。

设备操作

命令序列：

在读出模式的设备通电。命令

序列用于将设备在其他操作模式，如程序和

抹去。在完成一个节目或一个擦除周期后，设备进入读

模式。命令序列被写入通过应用低脉冲，在WE输入

带CE低和OE高或通过施加低向脉冲在CE输入与WE低

和OE高。的地址被锁存，在WE或CE脉冲的下降沿，而─

先出现。有效的数据被锁存，在WE或CE的脉冲的上升沿，

以先到为准。在命令序列中使用的地址不受影响

通过输入命令序列。

异步读取：

64兆位闪存访问像EPROM 。当CE

和OE为低电平和WE为高电平时，存储在由所确定的存储器位置中的数据

的地址引脚上认定的输出。输出处于高阻抗

每当国家CE或OE为高电平。这种双行控制给出了预设计的灵活性

排气总线争用。

RESET ：

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当

RESET是处于逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。低水平

于RESET引脚停止本装置的操作，并把该装置的输出端

在一个高阻抗状态。当一个高级别重申RESET引脚上的

设备返回到读取或待机模式，这取决于控制引脚的状态。

3441B–STKD–11/04

ERASE ：

前一个字可以被重新编程，必须擦除。的擦除状态

所述存储器的位是逻辑“1”。整个存储器可以通过使用芯片擦除

擦除命令或各个平面或扇区可以通过使用平面擦除要擦除

或扇区擦除命令。

芯片擦除：

芯片擦除是六总线周期操作。自动擦除开始于

最后一个WE脉冲的上升沿。芯片擦除不改变受保护的数据

部门。全片擦除后，设备将返回到读取模式。该硬

在芯片擦除器复位将停止擦除，但数据将是未知状态。

在芯片擦除，除非擦除任何命令挂起将被忽略。

飞机ERASE ：

作为一种替代全芯片擦除，该设备被组织成四个

面可单独擦除。平面擦除命令是一个六总线周期

操作。这架飞机，其地址是在第六届下降沿有效的，我们将

的平面内的扇区的擦除提供任何保护。

扇区擦除：

作为替代一全芯片擦除或一个平面擦除，该装置是

组织成多个扇区可单独擦除。扇区擦除的COM

命令是一个六总线周期操作。该部门的地址是在第六届落下有效

我们的优势将被删除只要给定扇区未保护。

WORD编程：

对器件进行编程就一个字，用字的基础。亲

编程是通过内部设备命令寄存器来实现的，并且是四总线

循环操作。编程地址和数据被锁存在所述第四周期。该

设备将自动生成所需的内部编程脉冲。请

注意， “0”不能编程回一个“1” ;只有擦除操作可以转换

“0”到“1” 。

灵活的扇区保护：

64 - Mbit的器件提供了两个部门的保护

模式中， Softlock和硬件锁。该Softlock模式优化为部门保护

化的行业，其内容经常变化。硬件锁保护模式

推荐部门，其内容很少改变。一旦这两种的

模式被使能，所选择的扇区的内容是只读的，不能被擦除

或编程。每个扇区可以被独立地编程为在Softlock

或硬件锁业保护模式。在上电和复位，所有部门都有自己的软

锁保护模式下启用。

SOFTLOCK和解锁：

该Softlock保护模式可以通过发出一个被禁用

二总线周期解锁命令到所选的扇区。一旦该扇区被解锁，其

内容可以被擦除或编程。要启用Softlock保护模式，一个六

总线周期Softlock命令必须发出到所选择的扇区。

HARDLOCK和写保护（ WP ）：

硬件锁业保护模式能操作

阿泰与写保护（ WP ）引脚相结合。硬件锁保护部门

模式可以通过发出一个六总线周期硬件锁软件命令将被启用

选定行业。写保护引脚的状态是否影响了硬件锁保护

化模式可以被覆盖。

当WP引脚为低电平和硬件锁保护模式被启用，该部门

不能解除锁定和扇区的内容是只读的。

当WP引脚为高电平时，硬件锁保护模式无效，该部门

可以通过解锁命令解锁。

要禁用硬件锁扇区保护模式下，芯片必须是复位或电源

循环。

AT52BC6402A(T)

3441B–STKD–11/04

AT52BC6402A(T)

表1中。

硬件锁和Softlock保护配置结合WP

硬

LOCK

软

LOCK

擦除/

PROG

允许？

是的

/5V

无界被锁定

部门Softlocked 。解锁

命令可以解锁部门。

硬件锁保护模式

启用。该扇区不能

解锁。

无界被锁定。

部门Softlocked 。解锁

命令可以解锁部门。

硬件锁保护模式

覆盖和部门不

锁定。

硬件锁保护模式

覆盖的行业可

通过解锁命令解锁。

擦除和编程操作

不能进行。

/5V

是的

/5V

图1 。

部门锁定状态图

解锁

锁定

[000]

[001]

WP = V

= 0

[011]

上电/复位

默认

Hardlocked

[110]

[111]

Hardlocked被禁用

WP = V

= 1

上电/复位

默认

[100]

[101]

=解锁指令

= Softlock命令

=硬件锁命令

注意：

1.符号[ X，Y， Z]表示一个扇区的锁定状态。当前锁定状态

一个扇区使用WP的状态和部门锁定状态的两位定义

D[1:0].

3441B–STKD–11/04