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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第137页 > AO6402
启3 ： 2004年11月
AO6402 ， AO6402L （绿色产品）
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO6402采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。这
设备可被用作负载开关或以PWM
应用程序。 AO6402L （绿色产品）提供的
无铅封装。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 6.9A
R
DS （ ON）
< 28mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 42mΩ （V
GS
= 4.5V)
TSOP-6
顶视图
D
D
G
1 6
2 5
3 4
D
D
S
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
T
A
=25°C
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
V
GS
最大
30
±20
6.9
5.8
20
2
1.44
-55到150
单位
V
V
A
W
°C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
35
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6402 ， AO6402L
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=6.9A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5.0A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=6.9A
10
二极管的正向电压
I
S
=1A
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
20
22.5
31.3
34.5
15.4
0.76
1
3
680
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
102
77
3
13.84
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=6.9A
6.74
1.82
3.2
4.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=2.2,
R
根
=3
I
F
= 6.9A ，的di / dt = 100A / μs的
4.1
20.6
5.2
16.5
7.8
20
3.6
16.7
8.1
820
28
38
42
1.9
民
30
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 6.9A ，的di / dt = 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何一个给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6402 ， AO6402L
典型的电气和热特性
30
10V
25
20
I
D
(A)
6V
5V
4.5V
20
16
12
V
DS
=5V
4V
I
D
(A)
15
3.5V
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
V
GS
=3V
8
125°C
4
25°C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
60
50
R
DS （ ON）
(m
)
40
30
20
10
0
5
10
15
20
I
D
（安培）
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
=4.5V
归一化的导通电阻
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0
50
100
150
200
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
V
GS
=4.5V
I
D
=5A
V
GS
=10V
V
GS
=10V
70
60
50
40
30
20
10
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
25°C
125°C
1.0E+01
I
D
=5A
I
S
安培
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
25°C
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的特性
125°C
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
R
DS （ ON）
(m
)
AO6402 ， AO6402L
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1000
V
DS
=15V
I
D
=6.9A
电容（pF）
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
C
OSS
C
国际空间站
f=1MHz
V
GS
=0V
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100
R
DS （ ON）
有限
10
I
D
（安培）
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1毫秒为100μs
10ms
0.1s
10s
功率W
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
30
20
1
1s
10s
DC
10
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
P
D
T
on
T
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
0.001
0.01
100
1000
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
AO6402
30V N沟道MOSFET
概述
该AO6402采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。此设备
用作负载开关或PWM应用。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=4.5V)
30V
5A
< 31mΩ
< 43mΩ
TSOP6
顶视图
底部视图
D
顶视图
D
D
G
Pin1
D
D
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
符号
参数
V
DS
漏源电压
最大
30
±20
5
4
20
1.25
0.8
-55到150
单位
V
V
A
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
C
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
82
110
56
最大
100
130
70
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
启8 ： 2011年2月
www.aosmd.com
第1页5
AO6402
万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=5A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=5A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.2
25
25.5
41
34
15
0.76
1
1.5
255
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1.6
45
35
3.25
5.2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=5A
2.55
0.85
1.3
4.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=3,
R
根
=3
I
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±100
1.8
2.4
31
50
43
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
310
50
4.9
6.3
3.2
切换参数
Q
g(10V)
总栅极电荷
Qg
(4.5V)
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
2.5
14.5
3.5
8.5
2.2
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150 °使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C,
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
C.
initialT
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
C.
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
启8 ： 2011年2月
www.aosmd.com
页2的5
AO6402
万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
典型的电气和热特性
30
10V
25
20
4V
I
D
(A)
15
3.5V
10
5
0
0
2
3
4
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特性（注五）
1
5
V
GS
=3V
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性（注五）
2
归一化的导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
3
6
9
12
15
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压（注五）
V
GS
=10V
I
D
=5A
5
125°
C
25°
C
I
D
(A)
7V
4.5V
10
15
V
DS
=5V
40
35
R
DS （ ON）
(m
)
V
GS
=4.5V
30
25
V
GS
=10V
20
17
5
2
V
GS
=4.5V
10
I
D
=4A
0
温度（ δ
C)
图4 ：导通电阻与结温
18
（注五）
1.0E+02
100
I
D
=5A
1.0E+01
80
R
DS （ ON）
(m
)
I
S
(A)
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
25°
C
40
60
125°
C
125°
C
25°
C
40
1.0E-04
1.0E-05
20
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
（注五）
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的特性（注五）
启8 ： 2011年2月
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第3 5
AO6402
万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=5A
8
电容（pF）
V
GS
（伏）
400
350
300
250
200
150
100
2
50
0
0
3
4
5
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1
2
6
0
0
C
RSS
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
C
国际空间站
6
4
100.0
10000
T
A
=25°
C
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
1.0
T
J（下最大）
=150°
C
T
A
=25°
C
10s
100s
1ms
10ms
10s
DC
1000
功率（W）的
100
0.1
10
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
1
0.00001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
0.001
图10 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=130°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
P
D
T
on
T
100
1000
10
脉冲宽度（S ）
图12 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
启8 ： 2011年2月
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第4 5
AO6402
万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
栅极电荷测试电路波形&
VGS
Qg
+
VDC
10V
VDC
-
DUT
VGS
Ig
+
VDS
-
QGS
QGD
收费
电阻开关测试电路波形&
RL
VDS
VDS
VGS
Rg
DUT
VDC
+
VDD
-
VGS
t
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