特点
单电压操作
- 5V阅读
- 5V重新编程
快速读取访问时间 - 70纳秒
内部擦除/编程控制
部门架构
- 一个8K字（ 16K字节）引导块与编程锁定
- 两个8K字（ 16K字节）参数块
- 一个104K字（ 208K字节）主存储器阵列块
快速扇区擦除时间 - 10秒
字的字编程 - 50
μS/字
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 50毫安工作电流
– 300
A
CMOS待机电流
典型万次擦写循环
描述
该AT49F2048是5伏只， 2兆位闪存组织为128K个字
的每个16比特。与Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，
该器件提供存取时间为70 ns的只有275毫瓦的功耗。当
取消选择，将CMOS待机电流小于300
A.
为了让简单的系统内可再编程，该AT49F2048不需要
高输入电压进行编程。五伏，只命令确定读
和编程的装置的操作。读数据从器件中是类似
2-Megabit
（ 128K ×16 ）
5伏只有
CMOS闪存
内存
AT49F2048
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A16
CE
OE
WE
RESET
I / O0 - I / O15
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
数据
输入/输出
无连接
TSOP顶视图
类型1
SOIC （ SOP ）
0568D-A–9/97
1
从EPROM读取;它有标准的CE， OE和WE
输入端，以避免总线连接。该AT49F2048有5电压
只是， 2兆位闪存组织为128K字
争。重新编程的AT49F2048执行
由第一擦除数据的一个块，然后编程一个
字由字的基础。
该设备是通过执行擦除命令擦除
序列;设备内部控制擦除操作
化。所述存储器被划分成三个块进行擦除
操作。有两个8K字参数块节
tions和一个扇区组成的引导块和所述的
主存储器阵列块。该AT49F2048编程
上一个字逐个字为基础。
该设备具有保护数据在引导的能力
块;这个功能是通过一个命令序列启用。
一旦引导块编程锁定功能
使能时，在所述引导块中的数据不能被改变
在5.5伏或更低的输入电平被使用。典型的
方案的数目和擦除周期中超过10000
周期。
可选的8K字引导块部分包括重现
编程锁定功能，以提供数据的完整性。该
引导扇区被设计为包含用户的安全代码，
当启用该功能，引导扇区被保护
被重新编程。
框图
设备操作
阅读：
该AT49F2048访问像EPROM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这种双行
控制为设计人员提供灵活性，避免总线conten-
化。
命令序列：
当该装置是第一pow-
ERED上它会被复位到读或待机模式
根据控制线路输入状态。为了
以执行其它功能的装置，一系列命令的
序列被输入到设备中。命令
序列显示的命令定义表中
（ I / O8 - I / O15都不在乎投入的命令代码） 。
命令序列被写入通过应用低
脉冲的WE或CE输入与CE或WE低（ respec-
tively ）和OE高。地址锁存在下降
边缘CE或WE的，最后的为准。该数据是
通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准
微处理机写定时被使用。在某些地区地址
2
在命令序列中使用系统蒸发散不会受
输入命令序列。
RESET ：
复位输入管脚提供缓和一些系
统的应用程序。当RESET是处于逻辑高电平时，该
装置处于其标准操作模式。在一个低的水平
RESET输入暂停，本设备操作和看跌期权
该装置在高阻抗状态输出。当
高水平重新生效的RESET引脚，该装置
返回到读取或待机模式时，根据
的控制输入端的状态。通过施加12V的
±
0.5V输入
信号RESET引脚上的引导块阵列可重现
编程即使引导块程序锁定功能
已启用（见引导块编程锁定
覆盖部分） 。
删除：
前一个字可以被重新编程，就必须
被擦除。的存储器位的擦除状态是一个逻辑
“1”。整个装置可以一次使用一个被擦除的
6字节的软件代码。
AT49F2048
AT49F2048
之后，软件芯片擦除已启动，该装置
将内部时间的擦除操作，使得没有外部
时钟是必需的。擦除时所需要的最大时间
整个芯片为t
EC
.
芯片擦除：
如果引导块锁定已启用，
芯片擦除功能将被禁用;部门删除了
参数块和主存块将继续运行。
全片擦除后，设备将返回到阅读
模式。在芯片擦除任何命令都会被忽略。
扇区擦除：
作为替代一整片擦除，
该设备分为三个部门，可以indi-
vidually删除。有两个8K字参数块
段和一个扇区组成的引导块的和
主存储器阵列块。扇区擦除命令
是六总线周期操作。扇区地址被锁存
在第六个周期，而30H数据的下降沿WE边缘
输入命令锁存在WE的上升沿。该
之后的第6个WE的上升沿扇区擦除开始
周期。擦除操作是内部控制;它会
自动完成时间。当引导块亲
未使能编程锁定功能，引导块
和主存储器块将擦除在一起（从
同一扇区擦除命令） 。一旦启动区域有
被保护，只有主存储器阵列部门将
擦除发出的扇区擦除命令时。
WORD编程：
一旦一个存储块是
擦除时，它被编程（置为逻辑“0”）上的字逐个
字的基础。编程是通过内部完成
设备命令寄存器和一个4总线周期操作。
该设备将自动生成所需的内部
编程脉冲。
在嵌入式写入芯片的任何命令
编程周期将被忽略。如果硬件复位hap-
在编程过程中的笔，在该位置的数据是
编程将被破坏。请注意，一个数据“0”的
不能编程回一个“1” ;只有擦除操作
可以将“0”到“1” 。编程完成后，
指定TBP周期时间。可以将数据查询功能
也被用于指示一个程序循环的结束。
BOOT BLOCK编程锁定：
设备
具有包含编程锁定一指定块
功能。此功能可以防止数据的编程，在
一旦该功能指定块已经被启用。该
块的大小是8K字。此块中，被称为
引导块，可以包含用于调出的安全码
该系统。启用锁定功能将允许启动
代码留在设备，而数据的其余部分
更新设备。该功能没有被爱科特
氧基团;引导块的使用作为一个写保护的区域是
可选给用户。引导块的地址范围是
00000H到01FFFH 。
一旦启用该功能，在引导块中的数据可以
不再被擦除或编程时的输入电平
5.5V或更低的使用。在主存储器中的块的数据可以
还是通过普通的编程方法来改变。
要激活锁定功能，形成六大系列节目
命令到特定地址与特定的数据必须是
进行。请参见命令定义表。
BOOT BLOCK闭锁检测：
软件
法是可用的，以确定是否启动的程序设计
块部分被锁定。当该设备处于软
洁具产品标识模式（见软件产品
识别进入和退出的部分） ，从地址读
位置00002H将显示，如果编程引导块
锁定。如果在I中的数据/ O0为低时，引导块可以是
编程;如果在I / O0的数据为高，程序锁相
从功能已启用，并且该块不能亲
编程。软件产品标识的退出代码
应使用以返回到标准操作。
BOOT BLOCK编程闭锁OVER-
乘车：
用户可以重写引导区规划
锁定通过采取RESET引脚到12伏。通过这样
受保护的引导块中的数据可以通过一个芯片被改变
擦除，扇区擦除或字编程。当
RESET引脚被带回TTL电平的引导块
编程锁定功能是反复活跃。
产品标识：
产品标识
模式的识别设备和制造商爱特梅尔。它
可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部亲
语法，以确定正确的编程算法
Atmel的产品。
有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）
或软件产品标识。制造商和
设备代码是相同的这两种模式。
数据查询：
该AT49F2048具有数据查询
以指示一个程序循环的结束。在节目
周期的最后一个字节的企图读取加载会导致
加载的数据的有关I / O 7的补码。一旦亲
克周期已经完成，真正的数据是对所有有效
输出和下一个周期可以开始。在一个芯片或仲
器擦除操作中，为了读取设备将使
一个在I / O7 “ 0 ” 。一旦编程或擦除周期具有的COM
pleted ，真正的数据将被从设备中读取。数据轮询
该程序周期内可以随时开始。
触发位：
除了数据轮询AT49F2048
提供了另一种方法，用于确定一个亲的端
克或擦除周期。在编程或擦除操作，
连续尝试读出的数据从该装置将导致
在I / O6 1和0之间切换。一旦程序
周期已经完成， I / O6将停止切换，有效的数据
将被读出。检查触发位可以随时开始
在一个程序循环。
硬件数据保护：
硬件特性
防止在无意中程序的AT49F2048
以下方式：（1 ）V
CC
意义：若V
CC
低于3.8V
3
（典型的），程序功能被抑制。 （二）V
CC
动力
延迟：一旦V
CC
已达到在V
CC
意识层面，
设备将收到自动超时10毫秒（典型值）
编程。 （三）禁止编程：控股OE中的任何一个
低，高CE或WE高抑制方案周期。 （四）噪声
过滤器：脉冲小于15纳秒（典型值）的WE或CE
输入将不会启动编程周期。
命令定义（十六进制）
(1)
命令
顺序
读
芯片擦除
扇区擦除
Word程序
BOOT BLOCK
封锁
(2)
产品编号
条目
产品编号
出口
(3)
产品编号
出口
(3)
注意事项：
公共汽车
周期
1
6
6
4
6
3
3
1
第一巴士
周期
ADDR
ADDR
5555
5555
5555
5555
5555
5555
xxxx
数据
D
OUT
AA
AA
AA
AA
AA
AA
F0
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
55
55
55
55
55
55
5555
5555
5555
5555
5555
5555
80
80
A0
80
90
F0
5555
5555
ADDR
5555
AA
AA
D
IN
AA
2AAA
55
5555
40
2AAA
2AAA
55
55
5555
SA
(4)(5)
10
30
第二巴士
周期
ADDR
数据
3公交车
周期
ADDR
数据
4公交车
周期
ADDR
数据
第五公交
周期
ADDR
数据
第六届巴士
周期
ADDR
数据
1.在每个总线周期的数据格式如下： I / O15 - I / O8 （无所谓） ; I / O7 - I / O0 （十六进制）
2. 8K字引导扇区的地址为00000H范围为01FFFH 。
3.任何产品ID退出命令中的一个可以使用。
4， SA =扇区地址：
SA = 03XXX的参数块1
SA = 05XXX的参数块2
SA = 1FXXX对主存储器阵列
5.如果不启用引导块编程锁定功能，引导块和主内存块将删除
一起（从同一扇区擦除命令）。一旦引导区域被保护，只有主存储器阵列
部门将擦除发出的扇区擦除命令时。
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面............................ -0.6V到V
CC
+ 0.6V
在OE电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间会影响器件的条件
可靠性。
4
AT49F2048
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