ASI SD1530-7
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI SD1530-7
是一个普通的
基本设备专为DME ，敌我识别
和塔康脉冲应用。
功能包括：
黄金金属化
输入匹配
宽带性能
包装风格250 2L FLG （ A）
最大额定值
I
C
V
CES
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
2.5 A
55 V
125瓦@ T
C
= 25
O
C
-55
O
C至+200
O
C
-55
O
C至+200
O
C
1.4
O
C / W
1 = COLLECTOR
2 - 发射极
3 = BASE
特征
符号
BV
CES
BV
EBO
h
FE
P
G
η
C
I
C
= 75毫安
I
E
= 25毫安
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 50 V
T
C
= 25
O
C
测试条件
最小典型最大
55
4.0
单位
V
V
---
I
C
= 300毫安
FO = 960至1215兆赫
占空比
= 1.0%
10
8.5
10
45
P
OUT
= 25 W
脉冲宽度
= 10
S
dB
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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ASI SD1530-7
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI SD1530-7
是一个普通的
基本设备专为DME ，敌我识别
和塔康脉冲应用。
功能包括：
黄金金属化
输入匹配
宽带性能
包装风格250 2L FLG （ A）
最大额定值
I
C
V
CES
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
2.5 A
55 V
125瓦@ T
C
= 25
O
C
-55
O
C至+200
O
C
-55
O
C至+200
O
C
1.4
O
C / W
1 = COLLECTOR
2 - 发射极
3 = BASE
特征
符号
BV
CES
BV
EBO
h
FE
P
G
η
C
I
C
= 75毫安
I
E
= 25毫安
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 50 V
T
C
= 25
O
C
测试条件
最小典型最大
55
4.0
单位
V
V
---
I
C
= 300毫安
FO = 960至1215兆赫
占空比
= 1.0%
10
8.5
10
45
P
OUT
= 25 W
脉冲宽度
= 10
S
dB
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
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