【特点单电压操作- 5V阅读- 5V重新编程快速读取访问时间 - 55纳秒内部控制程序和定时器部门架构】,IC型号AT49F001T-12PI,AT49F001T-12PI PDF资料,AT49F001T-12PI经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单电压操作

- 5V阅读

- 5V重新编程

快速读取访问时间 - 55纳秒

内部控制程序和定时器

部门架构

- 一个16K字节的引导与规划锁定座

- 两个8K字节的参数块

- 两个主要的存储器块（ 32K ， 64K ）字节

快速擦除周期 - 10秒

逐字节编程 - 10

微秒/字节

典型

硬件数据保护

对检测程序结束数据轮询

低功耗

- 50毫安工作电流

– 100

CMOS待机电流

典型万次擦写循环

1-Megabit

（ 128K ×8 ）

5伏只有

FL灰内存

AT49F001

AT49F001N

AT49F001T

AT49F001NT

描述

该AT49F001 （ N）（T ）是5伏，只在系统内可编程Flash存储器。其1

内存兆位由8位， 131,072字。与制造

Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件具有存取时间为55

NS只有275毫瓦的在商用温度范围内的功率耗散。

（续）

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A16

RESET

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

RESET

数据输入/输出

无连接

不连接

PLCC顶视图

A12

A15

A16

RESET *

VCC

DIP顶视图

* RESET

A16

A15

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

VCC

A14

A13

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

VSOP顶视图（ 8 ×14毫米）或

TSOP顶视图（ 8 ×20 MM）

类型1

A11

A13

A14

VCC

* RESET

A16

A15

A12

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O0

A14

A13

A11

A10

I/O7

牧师1008B - 07 / 98

*注：该引脚为直流的AT49F001N （T ）。

当设备被选中，则CMOS待机电流

小于100

对于AT49F001NT引脚1为DIP

和PLCC封装和引脚9为TSOP封装的

不连接引脚。

为了让简单的系统内可重编程中，

AT49F001 （N）（T），不要求高的输入电压为

编程。五伏，只命令确定读

和编程的装置的操作。读数据

出器件是相似的，从一个EPROM读取;它

拥有标准CE， OE和WE的投入，以避免公交车conten-

化。重新编程的AT49F001 （N）（T），通过以下过程进行

擦除数据的一个块，然后通过编程对一个字节

字节的基础。字节编程时间是50快

该

一个程序周期结束可以通过有选择地检测

数据查询功能。一旦一个字节程序结束

周期已被检测到，用于读出或亲新接入

克就可以开始。编程和擦除的典型数量

周期是在超过10,000个循环。

该设备是通过执行擦除命令擦除

序列;设备内部控制擦除操作

系统蒸发散。有两个8K字节参数块部分和

两个主要的存储器块。

该设备具有保护数据在引导的能力

块;这个功能是通过一个命令序列启用。

在16K字节的引导块部分包括重新编程

锁定功能，以提供数据的完整性。引导扇区是

设计成容纳用户的安全码，并且当为特色的

TURE被激活，引导扇区被保护

重新编程。

在AT49F001N （ T）时，一旦引导块的编程

锁定功能被启用，引导块中的内容

是永久性的，不能改变。在

AT49F001 （ T）时，一旦引导块编程闭锁

被使能的功能，引导块中的内容不能被

改变与5.5伏或更低的输入电平。

框图

AT49F001(N)

数据输入/输出

I / O7 - I / O0

GND

RESET

输入/输出

缓冲器

节目

数据锁存器

Y型GATING

1FFFF

X解码器

主内存

BLOCK 2

（ 64K字节）

主内存

1座

（ 32K字节）

参数

BLOCK 2

（ 8K字节）

参数

1座

（ 8K字节）

BOOT BLOCK

（ 16K字节）

BOOT BLOCK

（ 16K字节）

10000

0FFFF

参数

1座

（ 8K字节）

参数

BLOCK 2

（ 8K字节）

主内存

1座

（ 32K字节）

主内存

BLOCK 2

（ 64K字节）

AT49F001(N)T

数据输入/输出

I / O7 - I / O0

输入/输出

缓冲器

节目

数据锁存器

Y型GATING

1FFFF

1C000

1BFFF

控制

逻辑

Y译码

地址

输入

08000

07FFF

1A000

19FFF

06000

05FFF

18000

17FFF

04000

03FFF

00000

10000

0FFFF

00000

AT49F001(N)(T)

AT49F001(N)(T)

设备操作

阅读：

该AT49F001 （N）（ T）被访问像一个EPROM 。

当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储

在由地址引脚确定的存储位置是

上认定的输出。的输出被放置在高

阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这种双行

控制为设计人员提供灵活性，避免总线conten-

化。

命令序列：

当该装置是第一pow-

ERED上它会被复位到读或待机模式

根据控制线路输入状态。为了

以执行其它功能的装置，一系列命令的

序列被输入到设备中。命令

序列显示的命令定义表中。

命令序列被写入通过应用低

脉冲的WE或CE输入与CE或WE低（ respec-

tively ）和OE高。地址锁存在下降

边缘CE或WE的，最后的为准。该数据是

通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准

微处理机写定时被使用。在某些地区地址

在命令序列中使用系统蒸发散不会受

输入命令序列。

RESET ：

复位输入管脚提供缓和一些系

统的应用程序。当RESET是处于逻辑高电平时，该

装置处于其标准操作模式。在一个低的水平

RESET输入暂停，本设备操作和看跌期权

该装置的一个高阻抗状态输出。如果

RESET引脚使一个由高到低的转变过程中的程序

或擦除操作时，该操作可能无法成功地

完成并且操作将后进行重复

高的电平被施加到复位引脚。当高电平

重新生效的RESET引脚，该设备返回到

读或待机模式下，根据的状态

控制输入。通过施加12V的

0.5V的输入信号到

RESET引脚，引导块阵列可以被重新编程

即使引导块锁定功能已启用

（见引导块编程锁定覆盖部分）。

重置功能不可用的AT49F001N （T ）。

删除：

前一个字节可以被重新编程，主要

内存块或参数块，其中包含的字节

必须擦除。的存储器位的擦除状态是

逻辑“1” 。整个装置可以一次通过擦除

使用6字节的软件代码。该软件芯片擦除

代码由6字节装入命令的具体地址

与一个特定的数据模式的位置（请参考

芯片擦除周期波形）。

之后，软件芯片擦除已启动，该装置

将内部时间的擦除操作，使得没有外部

时钟是必需的。擦除时所需要的最大时间

整个芯片为t

。如果引导块锁定功能有

被启用，在引导扇区中的数据不会被

删除。

芯片擦除：

如果引导块锁定已启用，

芯片擦除功能将擦除参数块1 ，

参数块2 ，主内存1座，及主要的MEM

储器2座，但不引导块。如果引导块锁定

尚未启用，芯片擦除功能将擦除

整个芯片。整个芯片擦除后设备会

返回到读模式。在芯片擦除任何命令

将被忽略。

扇区擦除：

作为替代一全芯片擦除，则

设备被组织成扇区，可以是单独地

删除。有两个8K字节参数块部分

和两个主要的存储器块。在8K字节的参数

块部分可独立擦除和重现

编程。两个主存储器的部分被设计成

作为替代存储器扇区。也就是说，每当

所述块中的一个已擦除和重新编程，该

其他块应该被删除，并重新编程之前

第一个块被再次擦除。扇区擦除命令

是六总线周期操作。扇区地址被锁存

在第六个周期，而30H数据的下降沿WE边缘

输入命令锁存在WE的上升沿。该

之后的第6个WE的上升沿扇区擦除开始

周期。擦除操作是内部控制;它会

自动完成时间。

字节编程：

一旦存储器阵列是

擦除时，该设备被编程（置为逻辑“0”）上的

逐字节的基础。请注意，一个数据“0”不能

程序返回到“1” ;只有擦除操作可以CON组

用vert “0”到“1” 。编程是通过完成

内部设备命令寄存器和一个4总线周期

运行（请参考命令定义的表）。

该设备将自动生成所需的内部

编程脉冲。

该项目周期有锁的下落地址

边WE或CE认证，去年为准，而数据

锁存WE或CE的上升沿，以先到为准

第一。编程是指定的T完成后，

周期

时间。的数据查询功能，也可以使用，从而提供与

泄漏一个程序循环的结束。

BOOT BLOCK编程锁定：

设备

具有包含编程锁定一指定块

功能。此功能可以防止数据的编程，在

一旦该功能指定块已经被启用。该

该块的大小为16K字节。此块中，被称为

引导块，可以包含用于调出的安全码

该系统。启用锁定功能将允许启动

代码留在设备，而数据的其余部分

更新设备。该功能没有被爱科特

氧基团;引导块的使用作为一个写保护的区域是

可选给用户。引导块的地址范围是

00000至03FFF为AT49F001 （N），而地址

引导块的范围是1C000到1FFFF为

AT49F001(N)T.

一旦启用该功能，在引导块中的数据可以

不再被擦除或与输入电压列弗编程

埃尔斯的5.5V或更小。在主存储器中的块的数据仍然可以

通过常规的编程方法来改变。对

启动锁定功能，形成六大系列节目的COM

mands到特定的地址与特定的数据必须是

进行。请参见命令定义表。

BOOT BLOCK闭锁检测：

软件

法是可用的，以确定是否启动的程序设计

块部分被锁定。当该设备处于软

洁具产品标识模式（见软件产品

识别进入和退出的部分），从地址读

位置00002H将显示，如果编程引导块

锁定为AT49F001 （N）和从地址的读

1C002H将显示，如果编程引导块被锁定

出了AT49F001 （N ）T 。如果在I中的数据/ O0低，则

引导块可以被编程;如果在I中的数据/ O0高，

该程序锁定功能已经激活，

块不能编程。软件产品identi-

fication退出代码应使用以返回到标准

操作。

BOOT BLOCK编程闭锁控制装置：

用户可以改写引导块编程锁定

通过采取RESET引脚到12伏。通过这样做，亲

tected引导块中的数据可以通过一个芯片擦除被改变，

扇区擦除或字编程。当RESET引脚

带回TTL电平的引导块编程

锁定功能是反复活跃。此功能不可用

在AT49F001N （T）的。

产品标识：

产品标识

模式的识别设备和制造商爱特梅尔。它

可以通过硬件或软件的操作来访问。该

硬件的操作模式可用于通过外部亲

语法，以确定正确的编程算法

Atmel的产品。

有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）

或软件产品标识。制造商和

设备代码是相同的这两种模式。

数据查询：

该AT49F001 （ N）（ T）特征的数据

轮询，以指示一个程序循环的结束。在亲

克周期企图读取的最后一个字节加载意志

结果，在所加载的数据的I / O 7的补码。一旦

程序循环已完成，真正的数据是有效

在所有输出和下一个周期可以开始。数据轮询

该程序周期内可以随时开始。

触发位：

除了数据轮询

AT49F001 （N ）（T）提供了另一种方法，用于确定

一个程序或擦除周期的结束。在程序或

擦除操作时，连续尝试读取从数据

设备将导致I / O6 1和0之间切换。

一旦程序周期已经完成， I / O6将停止瓶酒

岭大战，有效的数据将被读取。检查触发位

在一个程序循环可以在任何时间开始。

硬件数据保护：

硬件特性

防止意外方案的

AT49F001 （N）（T），在以下方面：（1 ）V

意义：如果

低于3.8V （典型值），该程序的功能是inhib-

资讯科技教育。（二）禁止编程：控股OE低，CE中的任何一个

高或WE高抑制方案周期。（三）噪声滤波器：

小于15纳秒（典型值），在WE或CE输入脉冲

不会启动编程周期。

AT49F001(N)(T)

AT49F001(N)(T)

命令定义（十六进制）

(1)

命令

顺序

读

芯片擦除

扇区擦除

字节编程

引导块锁定

(2)

产品ID进入

产品ID退出

(3)

产品ID退出

(3)

注意事项：

公共汽车

周期

第一巴士

周期

ADDR

5555

XXXX

数据

OUT

2AAA

5555

ADDR

5555

2AAA

5555

2AAA

5555

(4)

第二巴士

周期

ADDR

数据

3公交车

周期

ADDR

数据

4公交车

周期

ADDR

数据

第五公交

周期

ADDR

数据

第六届巴士

周期

ADDR

数据

1.在每个总线周期的数据格式如下所示： I / O 7 - I / O0 （十六进制）

2. 16K字节的引导扇区具有地址范围00000H到03FFFH为AT49F001 （N）和

1C000H到1FFFFH的AT49F001 （N ）T 。

3.任何产品ID退出命令中的一个可以使用。

4， SA =扇区地址

对于AT49F001 （N ）：

SA = 10000 1FFFF的BOOT BLOCK

什么都不会发生，该装置可以追溯到100纳秒读取模式

SA = 04000 ，以05FFF的参数块1

SA = 06000 ，以07FFF的参数块2

SA = 08000 ，以0FFFF对主存储器阵列块1

这个命令会清除 - PB1 ， PB2和MMB1

SA = 10000 1FFFF对主存储器阵列块2

对于AT49F001 （ N） T：

SA = 1C000至1FFFF的BOOT BLOCK

什么都不会发生，该装置可以追溯到100纳秒读取模式

SA = 1A000至1BFFF的参数块1

SA = 18000 19FFF的参数块2

SA = 10000 17FFF对主存储器阵列块1

这个命令会清除 - PB1 ， PB2和MMB1

SA = 00000到0FFFF对主存储器阵列块2

绝对最大额定值*

高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面.............................- 0.6V至V

+ 0.6V

在OE电压

相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V

*注意：

强调超越那些绝对马克西在“上市

妈妈额定值“，可能会造成永久性损坏

装置。这是一个额定值只和功能

该设备在这些或任何其他条件的操作

超越那些在运营仲表示系统蒸发散

本规范的系统蒸发散是不是暗示。接触

绝对最大额定值条件下工作

期间可能会影响器件的可靠性。