【特点单电源进行读写： 2.7V至3.6 （ BV ）， 3.0 3.6V （ LV ）快速读取访问】,IC型号AT49LV002T-12PC,AT49LV002T-12PC PDF资料,AT49LV002T-12PC经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单电源进行读写： 2.7V至3.6 （ BV ）， 3.0 3.6V （ LV ）

快速读取访问时间 - 70纳秒

内部控制程序和定时器

部门架构

- 一个16K字节的引导与规划锁定座

- 两个8K字节的参数块

- 两个主要的存储器块（ 96K ， 128K ）字节

快速擦除周期 - 10秒

逐字节编程 - 30

S /字节典型

硬件数据保护

对检测程序结束数据轮询

低功耗

- 25毫安工作电流

– 50

一种CMOS待机电流

典型万次擦写循环

描述

该AT49BV / LV002 （ N）（T ）是3伏，只在系统内可编程Flash存储器。

其2兆的内存由8位， 262,144字。与制造

Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件具有存取时间为70

NS只有90毫瓦的在商用温度范围内的功率耗散。

当取消选择器件中，CMOS待机电流小于50

对于

2-Megabit

（ 256K ×8 ）

单2.7伏

电池电压

FL灰内存

AT49BV002

AT49LV002

AT49BV002N

AT49LV002N

AT49BV002T

AT49LV002T

AT49BV002NT

AT49LV002NT

（续）

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A17

RESET

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

RESET

数据输入/输出

不连接

DIP顶视图

* RESET

A16

A15

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

VCC

A17

A14

A13

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

PLCC顶视图

A12

A15

A16

复位*

VCC

A17

A11

A13

A14

A17

VCC

* RESET

A16

A15

A12

VSOP顶视图（ 8 ×14毫米）或

TSOP顶视图（ 8 ×20 MM）

类型1

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O0

A14

A13

A11

A10

I/O7

牧师0982C - 07 / 98

*注：该引脚为直流的AT49BV002N （ T）和AT49LV002N （ T）。

AT49BV / LV002N （T ），引脚1为DIP和PLCC封装

而9针的TSOP封装是不连接的引脚。

为了让简单的系统内可重编程中，

AT49BV / LV002 （N）（T），不要求高输入电压

进行编程。五伏，只命令确定

阅读和器件的编程操作。阅读

数据输出装置的类似，从一个EPROM读出;

它有标准的CE， OE和WE的投入，以避免公交车CON-

张力。重新编程AT49BV / LV002 （N）（T）为per-

通过擦除数据的一个块，然后编程形成

在逐字节的基础。字节编程时间是

50快

一个程序周期结束均可以选择

由数据轮询功能检测。一次的结束

字节编程周期已被检测，对于一个新的接入

读或编程可以开始。程序的典型数量

和擦除周期中超过10,000个循环。

该设备是通过执行擦除命令擦除

序列;设备内部控制擦除操作

系统蒸发散。有两个8K字节参数块部分和

两个主要的存储器块。

该设备具有保护数据在引导的能力

块;这个功能是通过一个命令序列启用。

在16K字节的引导块部分包括重新编程

锁定功能，以提供数据的完整性。引导扇区是

设计成容纳用户的安全码，并且当为特色的

TURE被激活，引导扇区被保护

重新编程。

在AT49BV / LV002N （ T）时，一旦引导块编程

明锁定功能被启用，引导的内容

块是永久性的，不能改变。在

AT49BV / LV002 （T ），一旦引导块编程锁相

从功能被启用，引导块易拉罐的内容

不能与5.5伏或更小的输入电压电平的改变。

框图

AT49BV/LV002(N)

数据输入/输出

I / O7 - I / O0

GND

RESET

输入/输出

缓冲器

节目

数据锁存器

Y型GATING

3FFFF

X解码器

主内存

BLOCK 2

（ 128K字节）

主内存

1座

（ 96K字节）

参数

BLOCK 2

（ 8K字节）

参数

1座

（ 8K字节）

BOOT BLOCK

（ 16K字节）

BOOT BLOCK

（ 16K字节）

20000

1FFFF

参数

1座

（ 8K字节）

参数

BLOCK 2

（ 8K字节）

主内存

1座

（ 96K字节）

主内存

BLOCK 2

（ 128K字节）

AT49BV/LV002(N)T

数据输入/输出

I / O7 - I / O0

输入/输出

缓冲器

节目

数据锁存器

Y型GATING

3FFFF

3C000

3BFFF

控制

逻辑

Y译码

地址

输入

08000

07FFF

3A000

39FFF

06000

05FFF

38000

37FFF

04000

03FFF

00000

20000

1FFFF

00000

AT49BV/LV002(N)(T)

AT49BV/LV002(N)(T)

设备操作

阅读：

该AT49BV / LV002 （ N）（ T）是一样的访问

EPROM 。当CE和OE为低电平和WE为高电平时，

存储在该存储器中的位置数据所决定

地址引脚被断言的输出。的输出是

把在高阻抗状态，每当CE或OE是

高。这种双行控制给出了预设计的灵活性

排气总线争用。

命令序列：

当该装置是第一pow-

ERED上它会被复位到读或待机模式

根据控制线路输入状态。为了

以执行其它功能的装置，一系列命令的

序列被输入到设备中。命令

序列显示的命令定义表中。

命令序列被写入通过应用低

脉冲的WE或CE输入与CE或WE低（ respec-

tively ）和OE高。地址锁存在下降

边缘CE或WE的，最后的为准。该数据是

通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准

微处理机写定时被使用。在某些地区地址

在命令序列中使用系统蒸发散不会受

输入命令序列。

RESET ：

复位输入管脚提供缓和一些系

统的应用程序。当RESET是处于逻辑高电平时，该

装置处于其标准操作模式。在一个低的水平

RESET输入暂停，本设备操作和看跌期权

该装置在高阻抗状态输出。如果

RESET引脚使一个由高到低的转变过程中的程序

或擦除操作时，该操作可能无法成功地

完成并且操作将后进行重复

高的电平被施加到复位引脚。当高电平

重新生效的RESET引脚，该设备返回到

读或待机模式下，根据的状态

控制输入。通过施加12V的

0.5V的输入信号到

RESET引脚，引导块阵列可以被重新编程

即使引导块锁定功能已启用

（见引导块编程锁定覆盖部分）。

复位功能不可用的

AT49BV/LV002N(T).

删除：

前一个字节可以被重新编程，主要

内存块或参数块，其中包含的字节

必须擦除。的存储器位的擦除状态是

逻辑“1” 。整个装置可以一次通过擦除

使用6字节的软件代码。该软件芯片擦除

代码由6字节装入命令的具体地址

与一个特定的数据模式的位置（请参考

芯片擦除周期波形）。

之后，软件芯片擦除已启动，该装置

将内部时间的擦除操作，使得没有外部

时钟是必需的。擦除时所需要的最大时间

整个芯片为t

。如果引导块锁定功能有

被启用，在引导扇区中的数据不会被

删除。

芯片擦除：

如果引导块锁定已启用，

芯片擦除功能将擦除参数块1 ，

参数块2 ，主内存1座，及主要的MEM

储器2座，但不引导块。如果引导块锁定

尚未启用，芯片擦除功能将擦除

整个芯片。整个芯片擦除后设备会

返回到读模式。在芯片擦除任何命令

将被忽略。

扇区擦除：

作为替代一全芯片擦除，则

设备被组织成扇区，可以是单独地

删除。有两个8K字节参数块部分

和两个主要的存储器块。在8K字节的参数

块部分可独立擦除和重现

编程。两个主存储器的部分被设计成

作为替代存储器扇区。也就是说，每当

所述块中的一个已擦除和重新编程，该

其他块应该被删除，并重新编程之前

第一个块被再次擦除。扇区擦除命令

是六总线周期操作。扇区地址被锁存

在第六个周期，而30H数据的下降沿WE边缘

输入命令锁存在WE的上升沿。该

之后的第6个WE的上升沿扇区擦除开始

周期。擦除操作是内部控制;它会

自动完成时间。

字节编程：

一旦存储器阵列是

擦除时，该设备被编程（置为逻辑“0”）上的

逐字节的基础。请注意，一个数据“0”不能

程序返回到“1” ;只有擦除操作可以CON组

用vert “0”到“1” 。编程是通过完成

内部设备命令寄存器和一个4总线周期

运行（请参考命令定义的表）。

该设备将自动生成所需的内部

编程脉冲。

该项目周期有锁的下落地址

边WE或CE认证，去年为准，而数据

锁存WE或CE的上升沿，以先到为准

第一。编程是指定的T完成后，

周期

时间。的数据查询功能，也可以使用，从而提供与

泄漏一个程序循环的结束。

BOOT BLOCK编程锁定：

设备

具有包含编程锁定一指定块

功能。此功能可以防止数据的编程，在

一旦该功能指定块已经被启用。该

该块的大小为16K字节。此块中，被称为

引导块，可以包含用于调出的安全码

该系统。启用锁定功能将允许启动

代码留在设备，而数据的其余部分

更新设备。该功能没有被爱科特

氧基团;引导块的使用作为一个写保护的区域是

可选给用户。引导块的地址范围是

00000至03FFF为AT49BV / LV002 （N），而

引导块的地址范围是3C000至3FFFF为

AT49BV/LV002(N)T.

一旦启用该功能，在引导块中的数据可以

不再被擦除或与输入电压编程

5.5V或更小。在主存储器中的块的数据仍然可以是

通过定期的编程方法改变。要爱科特

瓦泰岛的锁定功能，形成六大系列程序命令

到具有特定数据的特定地址必须被执行。

请参见命令定义表。

BOOT BLOCK闭锁检测：

软件

法是可用的，以确定是否启动的程序设计

块部分被锁定。当该设备处于软

洁具产品标识模式（见软件产品

识别进入和退出的部分），从地址读

位置00002H将显示，如果编程引导块

锁定为AT49BV / LV002 （N ），并从读出

地址位置3C002H将显示，如果编程

引导块被锁定为AT49BV / LV002 （N ）T 。如果数据

对I / O0为低时，引导块可以被编程;如果

对I / O0数据为高时，程序锁定功能已

激活和块不能编程。该软

洁具产品识别码应使用以返回到

规范运作。

BOOT BLOCK编程闭锁控制装置：

用户可以改写引导块编程锁定

通过采取RESET引脚到12伏，整个芯片中

擦除，扇区擦除或字节编程操作。当

RESET引脚被带回TTL电平的引导块

编程锁定功能是反复活跃。这个功能是

无法在AT49BV / LV002N （ T）。

产品标识：

产品标识

模式的识别设备和制造商爱特梅尔。它

可以通过硬件或软件的操作来访问。该

硬件的操作模式可用于通过外部亲

语法，以确定正确的编程算法

Atmel的产品。

有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）

或软件产品标识。制造商和

设备代码是相同的这两种模式。

数据查询：

该AT49BV / LV002 （ N）（ T）功能

数据轮询，以指示一个程序循环的结束。中

一个程序循环中的最后一个字节的企图读出装

将导致在所加载的数据的I / O 7的补码。

一旦程序周期已经完成，真正的数据是

有效的对所有输出和下一个周期可能开始。数据

轮询可能在程序周期内随时开始。

触发位：

除了数据轮询

AT49BV / LV002 （N）（ T）提供另一种用于阻止 -

挖掘一个程序或擦除周期的结束。在亲

克或擦除操作，连续尝试读取数据

从设备将导致I / O6肘1和之间

零。一旦程序周期已经完成， I / O6将停止

触发和有效的数据将被读取。检查切换

比特可以在一个编程周期开始，在任何时间。

硬件数据保护：

硬件特性

防止意外方案的

AT49BV / LV002 （N）（T），在以下方面：（1 ）V

意义：

如果V

低于1.8V （典型值），该程序的功能是inhib-

资讯科技教育。（二）禁止编程：控股OE低，CE中的任何一个

高或WE高抑制方案周期。（三）噪声滤波器：

小于15纳秒（典型值），在WE或CE输入脉冲

不会启动编程周期。

AT49BV/LV002(N)(T)

AT49BV/LV002(N)(T)

命令定义（十六进制）

(1)

命令

顺序

读

芯片擦除

扇区擦除

字节编程

引导块锁定

(2)

产品ID进入

产品ID退出

(3)

产品ID退出

(3)

注意事项：

公共汽车

周期

第一巴士

周期

ADDR

5555

XXXX

数据

OUT

2AAA

5555

ADDR

5555

2AAA

5555

2AAA

5555

(4)

第二巴士

周期

ADDR

数据

3公交车

周期

ADDR

数据

4公交车

周期

ADDR

数据

第五公交

周期

ADDR

数据

第六届巴士

周期

ADDR

数据

1.在每个总线周期的数据格式如下所示： I / O 7 - I / O0 （十六进制）

2. 16K字节的引导扇区具有地址范围00000H到03FFFH为AT49BV / LV002 （N）和3C000H到3FFFFH为

在AT49BV / LV002 （N ）T

3.任何产品ID退出命令中的一个可以使用。

4， SA =扇区地址：

对于AT49BV / LV002 （ N）：

SA = 00000到03FFF的BOOT BLOCK

什么都不会发生，该装置可以追溯到100纳秒读取模式

SA = 04000 ，以05FFF的参数块1

SA = 06000 ，以07FFF的参数块2

SA = 08000 ，以1FFFF对主存储器阵列块1

这个命令会清除 - PB1 ， PB2和MMB1

SA = 20000 3FFFF对主存储器阵列块2

对于AT49BV / LV002 （ N） T：

SA = 3C000至3FFFF的BOOT BLOCK

什么都不会发生，该装置可以追溯到100纳秒读取模式

SA = 3A000至3BFFF的参数块1

SA = 38000 ，以39FFF的参数块2

SA = 20000 37FFF对主存储器阵列块1

这个命令会清除 - PB1 ， PB2和MMB1

SA = 00000到IFFFF对主存储器阵列块2

绝对最大额定值

高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面.............................- 0.6V至V

+ 0.6V

在OE电压

相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V

*注意：

强调超越那些绝对马克西在“上市

妈妈额定值“，可能会造成永久性损坏

装置。这是一个额定值只和功能

该设备在这些或任何其他条件的操作

超越那些在运营仲表示系统蒸发散

本规范的系统蒸发散是不是暗示。接触

绝对最大额定值条件下工作

期间可能会影响器件的可靠性。