特点
单电压操作的读/写： 2.65V - 3.6V
访问时间 - 70纳秒
扇区擦除架构
- 一百二十七个32K字（ 64K字节）主要行业有
独立的写锁定
- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定
快字编程时间 - 10微秒
典型扇区擦除时间： 32K字的部门 - 700毫秒; 4K字部门 - 100毫秒
暂停/恢复功能的擦除和编程
- 支持读取和编程的任何扇区的数据被暂停
擦除不同部门
- 支持读取任何一个字，暂停的任何其他字编程
低功耗工作
- 10毫安活动
- 15 μA待机
VPP引脚为写保护和加速程序运行
WP引脚为扇区保护
RESET输入的设备初始化
灵活的扇区保护
顶部或底部启动块配置可用
128位注册保护
最少100,000次擦写循环
通用闪存接口（ CFI ）
绿色（无铅/无卤化物/ RoHS标准）包装
64-megabit
（ 4M ×16 ）
3伏只
FL灰内存
AT49BV640D
AT49BV640DT
1.描述
该AT49BV640D （ T）是组织为4,194,304 2.7伏64兆闪存
也就是说，每行16位。所述存储器被划分成135扇区擦除操作。
该器件采用48球CBGA封装。该设备具有CE和OE控制
信号，以避免任何总线争用。此设备可被读取或使用重新编程
单电源供电，因此非常适合在系统编程。
在读出模式的设备通电。命令序列被用来放置
该装置在其它的操作模式，如编程和擦除。该装置具有
以保护数据中的任何扇区的能力（参见
“灵活的扇区保护”上
第6页） 。
为了增加设备的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序
挂起功能。此功能将把擦除或编程搁置任何金额
时间，并让用户读取数据或程序数据的任何剩余的扇区
内的存储器中。
VPP引脚提供数据保护。当V
PP
输入低于0.4V时，该程序
和擦除功能被抑制。当V
PP
是在1.65V以上，正常程序
和擦除操作可以被执行。随着V
PP
在10.0V ，程序（双字
程序指令）操作加速。
3608C–FLASH–11/06
2.引脚配置
引脚名称
A0 - A21
CE
OE
WE
RESET
VPP
I / O0 - I / O15
NC
VCCQ
WP
引脚功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
写保护和电源的加速方案业务
数据输入/输出
无连接
输出电源
写保护
2.1
48球CBGA - 顶视图
1
A
A13
A11
A10
A12
A8
VPP
WP
A19
A17
A6
I/O8
I/O9
A7
A5
A3
CE
I/O0
A4
A2
A1
A0
GND
OE
2
3
4
5
6
7
8
B
A14
我们重置A18
A9
A21
A20
C
A15
D
A16 I / O14 I / O5 I / O11 I / O2
E
VCCQ I / O15 I / O6 I / O12 I / O3
F
GND
I / O7 I / O13 I / O4
VCC I / O10 I / O1
2
AT49BV640D(T)
3608C–FLASH–11/06
AT49BV640D(T)
3.框图
I / O0 - I / O15
产量
卜FF器
输入
卜FF器
产量
多路复用器
A0 - A21
输入
卜FF器
数据
注册
识别码
注册
状态
注册
命令
注册
地址
LATCH
数据
比较
CE
WE
OE
RESET
WP
写
状态
机
y解码器
Y型GATING
编程/擦除
电压
开关
VPP
VCC
GND
X解码器
主
内存
4，设备操作
4.1
命令序列
当设备第一次接通电源时，将在读出模式。命令序列
用来放置设备在其他操作模式，如编程和擦除。命令
序列被写入通过应用低脉冲，在WE输入带CE低和OE高或由
应用在CE输入低脉冲持续与WE低， OE高。的地址被锁存
在WE或CE的第一个上升沿。有效的数据被锁存，在WE的上升沿或
在CE脉冲，以先到为准。在命令序列中使用的地址不
受输入命令序列。
4.2
读
该AT49BV640D （ T）被访问像一个EPROM 。当CE和OE低， WE高，
存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被上认定的
输出。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。这
双线控制给出了防止总线争用设计的灵活性。
3
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4.3
RESET
复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当RESET为逻辑
高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET引脚上的低电平将暂停
本设备的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗状态。当
高水平重新生效的RESET引脚，该设备返回到读取模式。
4.4
抹去
前一个字可以被重新编程，必须擦除。的存储位的擦除状态是
一个逻辑“1”。各个扇区可以通过使用扇区擦除命令被删除。
4.4.1
扇区擦除
该设备被组织成135扇区（ SA0 - SA134 ），可以单独擦除。该
扇区擦除命令是一个双总线周期操作。扇区地址和D0H数据
输入命令锁存在WE的上升沿。之后兴起的扇区擦除开始
第二个周期的WE边缘提供给定扇区未保护。擦除
操作内部控制;它会自动完成时间。的最大时间
擦除扇区为t
美国证券交易委员会
。擦除已被保护，将导致一个扇区的尝试
操作立即终止。
4.5
字编程
一旦一个存储区被擦除，它被编程（置为逻辑“0”）上的字的字的基础。
编程是通过内部寄存器命令寄存器来实现的，是一个双总线
循环操作。该设备将自动生成所需的内部程序脉冲。
除了读状态寄存器的任何指令，程序挂起和恢复计划令状
十到在嵌入式编程周期的芯片将被忽略。如果一个硬件复位
在编程过程中发生时，在正被编程的单元的数据将被破坏。
请注意，一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有擦除操作
转换的“0”到“1” 。编程是指定的T完成后，
BP
周期时间。如果亲
克状态位是“1”时，设备不能够验证的编程操作是
成功执行。状态寄存器指示编程状态。而亲
克顺序执行时，状态位I / O 7为“0” 。
4.6
VPP引脚
该AT49BV640D （T）中的电路被设计成使得该装置不能被编程或
如果在V擦除
PP
电压小于0.4V 。当V
PP
是在1.65V以上，正常程序
和擦除操作可以被执行。 VPP引脚不能悬空。
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AT49BV640D(T)
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AT49BV640D(T)
4.7
读状态寄存器
状态寄存器指示装置操作的状态，以及这一成功/失败
操作。读状态寄存器命令导致后续读取从输出数据
状态寄存器，直到另一个命令发出。从内存返回阅读，
发出读命令。
状态寄存器的位是在I / O7输出 - I / O0 。高字节， I / O15 - I / O8 ，输出00H
当发出读状态寄存器命令。
状态寄存器的内容[ SR7 ： SR0 ]被锁在OE或CE的下降沿
（取最后一次出现） ，这样可以防止如果状态寄存器可能会出现的总线错误
内容边读边修改。 CE或OE必须进行后续的状态进行切换
阅读或状态寄存器将不会显示程序完成或擦除操作。
当写状态机（ WSM ）是活动的， SR7将显示WSM的状态;该
在状态寄存器中的剩余位指示WSM是否成功地进行
在优选的操作（见
表4-1 ） 。
表4-1 。
WSMS
7
状态寄存器位定义
ESS
6
ES
5
PRS
4
VPPS
3
PSS
2
笔记
SLS
1
R
0
SR7写状态机状态（ WSMS ）
1 =就绪
0 =忙
SR6 =擦除挂起状态（ ESS ）
1 =擦除暂停
0 =擦除/已完成
SR5 =擦除状态（ ES ）
1 =错误的扇区擦除
0 =成功扇区擦除
SR4 =程序状态（ PRS ）
1 =错误的编程
0 =成功的编程
SR3 = VPP状态（ VPPS ）
1 = VPP低检测，操作中止
0 = VPP OK
SR2 =程序挂起状态（ PSS ）
1 =计划暂停
0 =程序进行中/已完成
SR1 =部门LOCK状态（ SLS ）
1 =程序/擦除尝试对锁定的部门;操作已中止。
0 =无操作锁定行业
SR0 =保留以备将来增强（ R）
注意：
检测写状态机位首先要确定Word程序
或扇区擦除完毕，之前检查编程或擦除
状态位。
当擦除挂起发出后， WSM暂停执行并集
无论WSMS和ESS位为“1” - ESS位保持为“1 ”，直到
一个擦除恢复命令发出。
当此位被设置为“ 1 ” ， WSM已申请的最大数量
擦除脉冲的部门，现在仍然无法验证成功
部门擦除。
当此位被设置为“ 1 ” ， WSM试图但未能
编程一个字
在V
PP
状态位不提供VPP的连续指示
的水平。在WSM询问V
PP
水平只有程序后，或
擦除命令序列已经输入，并通知
系统若V
PP
一直没有接通。在V
PP
还检查
之前的操作由WSM验证。
当程序挂起发出后， WSM暂停执行并
同时设置WSMS和PSS位为“1” 。 PSS位仍设置为“ 1 ”
直到程序恢复命令发出。
如果一个编程或擦除操作是尝试的锁定1
部门，此位是由WSM设置。所指定的操作是
中止，设备返回到读取状态模式。
该位被保留以供将来使用，应屏蔽
当查询状态寄存器。
当SR1 ， SR3 ， SR4和SR5设置1.命令顺序错误指示。
5
3608C–FLASH–11/06
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