a
特点
1.8 V至5.5 V单电源供电
2.5 V双电源供电
3导通电阻
0.75导通电阻平坦度
100 pA的泄漏电流
14 ns的开关时间
单8选1多路复用器ADG758
差分4 ：1多路复用器ADG759
20引脚4毫米4毫米芯片级封装
低功耗
TTL / CMOS兼容输入
对于采用16引脚TSSOP封装功能等效装置
包装，请参见ADG708 / ADG709
应用
数据采集系统
通信系统
继电器更换
音频和视频切换
电池供电系统
概述
3
，4 / 8通道多路复用器
在芯片级封装
ADG758/ADG759
功能方框图
ADG758
S1
S1A
DA
S4A
D
S1B
DB
S8
1第8
解码器
S4B
1 4
解码器
ADG759
A0 A1
A2 EN
A0
A1
EN
产品亮点
该ADG758和ADG759是低电压， CMOS模拟
多路复用器包括8个单通道和四个差分
通道。该ADG758开关的八个输入1
（ S1-S8） ，以共同的输出，D，如由3比特来确定
二进制地址线A0 ，A1和A2中。该ADG759开关1
4路差分输入到作为公共差分输出
由2位二进制地址线A0和A1确定。一个EN
输入两个设备上，用于启用或禁用该设备。当
禁用时，所有通道被关闭。
低功耗和1.8 V至工作电源电压范围
5.5 V使ADG758和ADG759适合电池供电，
便携式仪器。所有通道表现出突破前先
开关动作防止瞬时短路时开关
荷兰国际集团的渠道。
这些开关在增强亚微米工艺设计
即具有低功耗，高开关
速度，极低的导通电阻和漏电流。导通电阻
在几欧姆的区域和密切的配合
开关和非常平坦，在整个信号范围。这些可以部分
同样出色工作为多路解复用器或
并具有延伸到电源的输入信号范围。
该ADG758和ADG759采用20引脚芯片提供
级封装。
1.小尺寸20引脚4毫米
×
4毫米芯片级封装（ CSP ） 。
2.单/双电源供电。该ADG758和ADG759
完全有特定网络版，并保证有3 V和5 V单
供应和
±
2.5 V双电源轨。
3.低R
ON
(3
典型值） 。
4.低功耗（ <0.01
W).
5.保证先开后合式开关动作。
启示录
B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真：
781/461-3113
ADI公司，
2013
ADG758/ADG759–SPECIFICATIONS
B版本
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
突破前先延时，T
D
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
电荷注入
关断隔离
+25 C
–40 C
到+ 85℃
0 V至V
DD
3
4.5
5
0.4
0.8
1.2
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
1
(V
DD
= 5 V
10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
DD
= 5.5 V
V
D
= 4.5 V/1 V, V
S
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
D
= 4.5 V/1 V, V
S
= 1 V/4.5 V;
测试电路3
V
D
= V
S
= 1 V或4.5 V ，测试电路4
0.75
±
0.3
±
0.75
±
0.75
2.4
0.8
0.005
±
0.1
2
14
25
8
1
14
25
7
12
±
3
–60
–80
–60
–80
55
13
85
42
96
48
0.001
1.0
V
IN
= V
INL
或V
INH
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG758
ADG759
C
D
, C
S
（上）
ADG758
ADG759
电源要求
I
DD
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;测试电路5
V
S1
= 3 V/0 V, V
S8
= 0 V/3 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;测试电路6
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;测试电路7
V
S
= 2.5 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路10
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;测试电路11
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
启示录
B
ADG758/ADG759
特定网络阳离子
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
突破前先延时，T
D
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
电荷注入
关断隔离
DD
=3V
10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
B版本
–40 C
到+ 85℃
0 V至V
DD
+25 C
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
测试条件/评论
8
11
12
0.4
1.2
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
DD
= 3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路2
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路3
V
S
= V
D
= 1或3V ;测试电路4
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.3
±
0.75
±
0.75
2.0
0.8
0.005
±
0.1
2
18
30
8
1
18
30
8
15
±
3
–60
–80
–60
–80
55
13
85
42
96
48
0.001
1.0
V
IN
= V
INL
或V
INH
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG758
ADG759
C
D
, C
S
（上）
ADG758
ADG759
电源要求
I
DD
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;测试电路5
V
S1
= 2 V/0 V, V
S2
= 0 V/2 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ;测试电路6
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ;测试电路7
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路10
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;测试电路11
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
启示录
B
–3–
ADG758/ADG759–SPECIFICATIONS
双电源
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
突破前先延时，T
D
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
电荷注入
关断隔离
DD
1
= +2.5 V
10%, V
SS
= –2.5 V
B版本
+25 C
的10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
–40 C
到+ 85℃
V
SS
到V
DD
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
测试条件/评论
2.5
4.5
5
0.4
0.8
1.0
V
S
= V
SS
到V
DD
, I
DS
= 10毫安;
测试电路1
V
S
= V
SS
到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
S
= V
SS
到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
DD
= +2.75 V, V
SS
= –2.75 V
V
S
= +2.25 V/–1.25 V, V
D
= –1.25 V/+2.25 V;
测试电路2
V
S
= +2.25 V/–1.25 V, V
D
= –1.25 V/+2.25 V;
测试电路3
V
S
= V
D
= 2.25 V / -1.25 V ;测试电路4
0.6
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.3
±
0.75
±
0.75
1.7
0.7
0.005
2
14
±
0.1
V
IN
= V
INL
或V
INH
25
8
1
14
25
8
±
3
–60
–80
–60
–80
55
13
85
42
96
48
0.001
1.0
I
SS
0.001
1.0
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
15
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG758
ADG759
C
D
, C
S
（上）
ADG758
ADG759
电源要求
I
DD
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;测试电路5
V
S
= 1.5 V / 0 V ;测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;测试电路6
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;测试电路7
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路10
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;测试电路11
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +2.75 V
数字输入= 0 V或2.75 V
V
SS
= –2.75 V
数字输入= 0 V或2.75 V
–4–
启示录
B
ADG758/ADG759
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
参数
V
DD
到V
SS
V
DD
到GND
V
SS
到GND
模拟输入
1
数字输入
1
峰值电流，S或D
连续电流，S或D
工作温度范围
工业（B版）
存储温度范围
结温
芯片级封装，
θ
JA
热阻抗
焊接温度，焊接
气相（60秒）
红外（ 15秒）
1
等级
7V
-0.3 V至+7 V
+0.3 V至-3.5 V
V
SS
- 0.3 V到V
DD
+0.3 V或
30毫安，以先到为准
0.3 V到V
DD
+0.3 V或
30毫安，以先到为准
百毫安（脉冲为1毫秒， 10 ％
占空比最大）
30毫安
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
150°C
32°C/W
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
215°C
220°C
过压EN ， A，S ，D中的将内部的二极管钳位。当前
应限制在给定的最大额定值。
ESD警告
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能
下降或功能丧失。
表一， ADG758真值表
A2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
1
1
1
1
开关状态
无
1
2
3
4
5
6
7
8
销刀豆网络gurations
ADG758
顶视图
（不按比例）
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
NC
A0
A1
A2
NC
EN
V
SS
S1
S2
S3
1
2
3
4
5
GND
V
DD
S5
S6
S7
S4 6
D 7
NC 8
NC 9
S8 10
X =无关
笔记
1. NC =无连接。
2.裸露焊盘连接到基板上， V
SS
.
表II中。 ADG759真值表
A1
X
0
0
1
1
A0
X
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
ON开关对
无
1
2
3
4
ADG759
顶视图
（不按比例）
20
19
18
17
16
NC
A0
NC
A1
NC
X =无关
EN
V
SS
S1A
S2A
S3A
1
2
3
4
5
S4A 6
DA 7
NC 8
DB 9
S4B 10
15
14
13
12
11
GND
V
DD
S1B
S2B
S3B
笔记
1. NC =无连接。
2.裸露焊盘连接到基板上， V
SS
.
版本B |第5页
02371-103
02371-102
QQ：2880707522 复制
