特点
低电压操作
- 2.7V阅读
- 5V编程/擦除
快速读取访问时间 - 120纳秒
内部擦除/编程控制
部门架构
- 一个8K字（ 16K字节）引导块与编程锁定
- 两个8K字（ 16K字节）参数块
- 一个232K字（ 464K字节）主存储器阵列块
快速扇区擦除时间 - 10秒
字的字编程 - 10
μS/字
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 25毫安有功电流
- 50
A
CMOS待机电流
典型万次擦写循环
描述
该AT49BV4096和AT49LV4096是3伏， 4兆闪存存储器组织
为每个16位256K字。 Atmel的非易失先进制造
CMOS技术，这些器件可提供存取时间为120 ns的与功耗
仅仅67毫瓦2.7V读取。取消选中时， CMOS待机电流小于
50
A.
为了让简单的系统内可再编程，在AT49BV4096 / LV4096不
需要高输入电压进行编程。读数据从器件中是类似
从一个EPROM读取;它有标准的CE， OE和WE的投入，以避免公交车
4-Megabit
（ 256K ×16 ）
3伏只
CMOS闪存
内存
AT49BV4096
AT49LV4096
初步
AT49BV4096/LV4096
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A17
CE
OE
WE
RESET
V
PP
I / O0 - I / O15
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
编程/擦除
电源
数据
输入/输出
无连接
VPP
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
48
46
44
42
40
38
36
34
32
30
28
26
25
47
45
43
41
39
37
35
33
31
29
27
NC
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
VCC
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
GND
A0
CE
A16
GND
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
OE
（续）
SOIC （ SOP ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET
WE
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
NC
GND
I/O15
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
TSOP顶视图
类型1
A15
A13
A11
A9
A14
A12
A10
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
2
A8
NC
NC
WE
RESET
VPP NC
NC
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
CE
GND
OE
I/O0
I/O8
I/O1
I/O9
I/O2
I/O10
I/O3
I/O11
0874A–5/97
争。重新编程的AT49BV4096 / LV4096是
由第一擦除数据，然后对一个块进行亲
编程就一个字，用字的基础。
该设备是通过执行擦除命令擦除
序列;设备内部控制擦除操作
化。所述存储器被划分成三个块进行擦除OP-
操作。有两个8K字参数块段
及一个扇区由引导块和主的
存储器阵列块。该AT49BV4096 / LV4096是亲
编程就一个字，用字的基础。
该设备具有保护中的数据的能力
引导块;这个功能是通过一个命令启用SE-
quence 。一旦引导块编程锁定功能
使能时，在所述引导块中的数据不能被改变
时的3.6伏或更小的输入电平被使用。典型的
方案的数目和擦除周期是在过量的
10,000次。
可选的8K字引导块部分包括重现
编程锁定功能，以提供数据的完整性。该
引导扇区被设计为包含用户的安全代码，
当启用该功能，引导扇区被保护
被重新编程。
在一个芯片擦除，扇区擦除或编程字，
在V
PP
引脚必须在5V
±
10%.
框图
设备操作
阅读：
该AT49BV4096 / LV4096就像是一个访问
EPROM 。当CE和OE为低电平和WE为高电平时，
存储在该存储器中的位置数据通过这种吸附测定
裙销被断言的输出。输出处于
在高阻抗状态，每当CE或OE为高电平。
这种双行控制给出了避免─设计灵活性
荷兰国际集团总线争用。
命令序列：
当该装置是第一pow-
ERED上它会被复位到读或待机模式DE-
待处理后的控制线输入的状态。为了
以执行其它功能的装置，一系列命令的
序列被输入到设备中。该命令SE-
quences显示命令定义表中
（ I / O8 - I / O15都不在乎投入的命令
码）。该命令序列写入应用
在WE或CE输入与CE或WE低一低脉冲
（分别）和OE高。的地址被锁存的
CE或WE的下降沿，最后的为准。数据
通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准
微处理机写定时被使用。在某些地区地址
在命令序列中使用系统蒸发散不会受
输入命令序列。
2
RESET ：
复位输入引脚提供一些缓解
系统的应用程序。当Reset为逻辑高电平，
该设备是在它的标准操作模式。在低水平
RESET输入暂停，本设备操作和
使器件的输出处于高阻抗状态。
当一个高级别重申RESET引脚上的
设备返回到读或待机模式时，根据
时的控制输入端的状态。通过施加12V的
±
0.5V的输入信号RESET引脚引导块阵列
即使引导块程序可以被重新编程锁相
从功能已启用（见引导块编程
铭锁定覆盖部分） 。
删除：
前一个字可以被重新编程，就必须
被擦除。存储器位的擦除状态是逻辑“1”。
整个设备可以通过使用芯片擦除要擦除
命令或单个扇区可以通过使用擦除
扇区擦除命令。
芯片擦除：
整个装置可在同一擦除
时通过使用6字节擦除芯片的软件代码。后
芯片擦除已启动，该器件将内部
一次擦除操作，从而无需外置时钟重
quired 。到erease芯片的最大时间为t
EC
.
AT49BV/LV4096
AT49BV/LV4096
如果引导块锁定已启用，芯片擦除
不会删除在引导块中的数据;它会删除
主存储器块和仅在参数块。后
在芯片擦除时，设备将返回到读或待机
模式。
扇区擦除：
作为替代一整片擦除，
该设备分为三个部门，可以indi-
vidually删除。有两个8K字参数块
段和一个扇区组成的引导块的和
主存储器阵列块。扇区擦除命令
是六总线周期操作。扇区地址被锁存
在第六个周期，而30H的下降沿WE边缘
数据输入的命令被锁在WE的上升沿。
之后的WE的上升沿扇区擦除开始
第六周期。擦除操作是内部控制;它
会自动完成时间。当引导块
未启用程序锁定功能，开机
框和主存储器块将擦除在一起（从
同一扇区擦除命令） 。一旦启动区
已被保护，只有主存储器阵列部门
将删除发出的扇区擦除命令时。
WORD编程：
一旦一个存储块是
擦除时，它被编程（置为逻辑“0”）上的字逐个
字的基础。编程是通过内部完成
设备命令寄存器和一个4总线周期操作。
该设备将自动生成所需的接口
最终编程脉冲。
在嵌入式写入芯片的任何命令
编程周期将被忽略。如果一个硬件复位
在编程过程中发生时，该数据在该位置BE-
荷兰国际集团设定将被破坏。请注意，一个数据
“0”不能编程回一个“1” ;只有擦除操作
令可以转换成“0”到“1” 。编程完成
指定的T后
BP
周期时间。数据查询为特色的
TURE ，也可以用于指示一个节目的结束
周期。
BOOT BLOCK编程锁定：
DE-的
有副，有一个节目一个指定的块
锁定功能。此功能可以防止编程
在一次的特征所指定的块中的数据已
启用。块的大小是8K字。该块，
被称为引导块，可包含安全的代码
用于调出系统。启用锁定为特色的
TURE将允许引导代码停留在该设备的同时数据
在该装置的其余部分被更新。此功能不
有被激活;引导块的使用作为一个写
保护区是任选的给用户。的地址范围
引导块是00000H到01FFFH 。
一旦启用该功能，在引导块中的数据可以
不再被擦除或编程时的输入电平
5.5V或更低的使用。在主存储器中的块的数据可以
还是通过普通的编程方法来改变。
要激活锁定功能，形成六大系列节目
命令与特定数据的特定地址必须
来执行。请参阅命令定义
表。
BOOT BLOCK闭锁检测：
软件
法是可用的，以确定是否进行编程
引导块部被锁定。当该装置处于
软件产品标识模式（请参阅软件的精良
UCT识别进入和退出部分）从AD-读
礼服位置00002H将显示是否编程启动
块被锁定。如果在I中的数据/ O0是低时，引导
块可以被编程;如果在I中的数据/ O0为高电平时，
程序锁定功能已启用，并且该块
不能编程。软件产品identifica-
灰出口代码应使用以返回到标准操作
化。
BOOT BLOCK编程闭锁OVER-
乘车：
用户可以重写引导区规划
锁定通过采取RESET引脚到12
±
0.5伏。通过这样做
这种受保护的引导块中的数据可以通过一个被改变
芯片擦除，扇区擦除或字编程。当
RESET引脚被带回TTL电平的引导块
编程锁定功能是反复活跃。
产品标识：
产品标识
模式的识别设备和制造商爱特梅尔。它
可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部亲
语法，以确定正确的编程算法
Atmel的产品。
有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）
或软件产品标识。制造商和
设备代码是相同的这两种模式。
数据查询：
该AT49BV4096 / LV4096功能
数据轮询，以指示一个程序循环的结束。能很好地协同
荷兰国际集团一个程序循环中的最后一个字节的一个尝试读
载，否则会导致加载的数据的补
I / O7 。一旦程序循环已完成，真
数据是对所有的输出有效，并且下一个周期可以开始。
在一个芯片或扇区擦除操作，以试图
读该设备将在I / O7得到“0”。一旦程序
或擦除周期完成时，真正的数据将被读出
该设备。数据轮询可能在开始期间的任何时间
项目周期。
触发位：
我N A D D I T I O N t个O数据P 2 O L L I N克叔 é
AT49BV4096 / LV4096提供了另一种方法，用于阻止 -
挖掘一个程序或擦除周期的结束。在亲
克或擦除操作，连续尝试读取数据
从设备将导致1之间的I / O6肘
和为零。一旦程序周期已经完成， I / O6会
停止切换，有效的数据将被读取。检查
触发位可在一个程序周期开始时的任何时间。
硬件数据保护：
硬件特性
防止意外方案的
AT49BV4096 / LV4096以下方式：（1 ）V
CC
3
意义：若V
CC
低于1.8V （典型值） ，该程序的功能
被抑制。 （二）V
CC
上电延时：一旦V
CC
A S
达到V
CC
感知水平，该设备将automat-
ically时间在编程前10毫秒（典型值） 。 （ C）
禁止编程：持有OE低， CE高或任何一个
WE高抑制方案周期。 （四）噪声滤波器：脉冲
小于15纳秒（典型值）的WE或CE输入将不会
启动一个程序循环。
输入电平：
同时用2.7V至3.6V的工作
电源，地址输入和控制输入（ OE ，
CE和WE ）可以驱动从0至5.5V AD-无
versely影响装置的操作。在I / O线
只能被驱动为0至V
CC
+ 0.6V.
命令定义（十六进制）
(1)
命令
公共汽车
顺序
周期
读
芯片擦除
1
6
6
4
6
3
3
1
第一巴士
周期
ADDR
ADDR
5555
5555
5555
5555
5555
5555
xxxx
数据
D
OUT
AA
AA
AA
AA
AA
AA
F0
第二巴士
周期
ADDR
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
数据
55
55
55
55
55
55
3公交车
周期
ADDR
5555
5555
5555
5555
5555
5555
数据
80
80
A0
80
90
F0
4公交车
周期
ADDR
5555
5555
ADDR
5555
数据
AA
AA
D
IN
AA
第五公交
周期
ADDR
2AAA
2AAA
数据
55
55
第六届巴士
周期
ADDR
5555
SA
(4, 5)
数据
10
30
扇形
抹去
字
节目
BOOT BLOCK
(2)
封锁
产品编号
条目
产品编号
(3)
出口
产品编号
(3)
出口
2AAA
55
5555
40
注：1.在每个总线周期的数据格式如下所示：
I / O15 - I / O8 （无所谓） ; I / O7 - I / O0 （十六进制）
2. 8K字引导扇区有地址范围
00000H到01FFFH 。
产品ID退出命令3.任一个
都可以使用。
4， SA =扇区地址：
SA = 03XXX的参数块1
SA = 05XXX的参数块2
SA = 1FXXX对主存储器阵列
5.当引导块编程锁定功能不
使能时，引导块和主存储器块将擦除
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE电压
相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V
*注意：如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
4
AT49BV/LV4096
QQ：2881677436 复制
