AD
S8
51
ADS8517
7
AD
S8
517
www.ti.com..........................................................................................................................................................................................
SLAS527 - 2008年9月
16位200 kSPS时,低功耗,采样模拟数字转换器
内置电压基准及并行/串行接口
1
特点
应用
便携式测试设备
USB数据采集模块
医疗设备
工业过程控制
数字信号处理
仪器仪表
200 - kHz的最小采样速率
4 -V , 5 V和± 10 V输入范围与
高阻抗输入
± 1.5 LSB INL最大值
+ 1.5 / -1 LSB最大/最小DNL , 16位NMC
± 2 mV的最大BPZ ,± 0.6 PPM /°C的漂移BPZ
± 2 mV的最大UPZ ,± 0.15 PPM /°C的漂移UPZ
88.8 dB的SINAD与10 - kHz输入
SPI 兼容的串行输出与
菊花链( TAG ) , SPI主/从功能
全并行接口
二进制补码或标准二进制
输出编码格式
单4.5 V至5.5 V模拟电源, 1.65 V至
5.5 V电源接口
使用内部2.5 V或外部基准
无需外部精密电阻要求
低功耗( ADC + REF + BUF ) :
- 47 mW的典型值, 60毫瓦最大为200 kSPS时
50 μW最大掉电模式
引脚兼容的16位
ADS7807
和
ADS8507,
和12位
ADS7806
和
ADS8506
SO- 28封装( TSSOP -28提供2季度, 2009年)
23
描述
该ADS8517是一个完整的低功耗,单5 -V
供的16位采样模拟到数字(A / D)的
转换器。
It
包含
a
完成后,
16-bit,
电容型,逐次逼近寄存器
( SAR ) A / D转换器,采样和保持,时钟,
参考和数据接口。该转换器可以是
配置为各种输入范围包括± 10
伏, 4伏, 5伏对于大多数输入范围,输入
电压摆幅可至25 V或-25 V无损坏
到设备。
SPI兼容串行接口允许数据
同步于内部或外部时钟。全
使用可选的BYTE针并行接口
还提供了允许的最大系统设计
灵活性。该ADS8517是在200 kHz的规定
采样率在工业-40 ° C至+ 85°C
温度范围。
ADC
逐次逼近寄存器( SAR )
并行
数据
并行
和
串行
数据输出
和
控制
比较
PWRD
字节
忙
CS
的R / C
SB / BTC
标签
SDATA
DATACLK
40千瓦
R1
IN
华助会
10千瓦
R2
IN
20千瓦
40千瓦
帽
REF
卜FF器
REF
BUF
REF
6千瓦
2.5-V
内部参考
时钟
EXT / INT
REFD
1
2
3
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SPI是Motorola , Inc.的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
2008 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
ADS8517
SLAS527 - SEPTEMBER 2008..........................................................................................................................................................................................
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
封装/订购信息
(1)
最低
相对的
准确性
( LSB )
NO
MISSING
CODE
最低
SINAD
( dB)的
特定网络版
温度
范围
套餐 -
领导
SO-28
ADS8517IB
±1.5
16
87
-40 ° C至+ 85°C
TSSOP-28
(2)
PW
包
代号
DW
订购
数
ADS8517IBDW
ADS8517IBDWR
ADS8517IBPW
ADS8517IBPWR
ADS8517IDW
ADS8517IDWR
ADS8517W
ADS8517IPWR
运输
媒体, QTY
管, 20
磁带和卷轴1000
管, 50
磁带和卷轴, 2000
管, 20
磁带和卷轴1000
管, 50
磁带和卷轴, 2000
产品
SO-28
ADS8517I
±3
15
85
-40 ° C至+ 85°C
TSSOP-28
(2)
DW
PW
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站: www.ti.com 。
TSSOP -28 ( PW )封装Q2 2009 。
绝对最大额定值
(1) (2)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明) 。
参数
R1
IN
模拟输入
R2
IN
REF
DGND , AGND2
接地电压差
V
ANA
V
DIG
到V
ANA
V
DIG
数字输入
最高结温
存储温度范围
内部功耗
引线温度(焊接,从案例1.6毫米, 10秒)
(1)
(2)
单位
±25 V
±25 V
+V
ANA
+ 0.3 V至AGND2 - 0.3 V
±0.3 V
6V
0.3 V
6V
-0.3 V至+ V
DIG
+ 0.3 V
+165°C
-65 ° C至+ 150°C
700毫瓦
+260°C
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。暴露在绝对
最大的条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
电气特性
在T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
S
= 200千赫,V
DIG
= V
ANA
= 5 V ,使用内部参考(见
图39) ,
除非另有说明。
ADS8517I
参数
决议
模拟量输入
–10
电压范围
SEE
表1
0
0
阻抗
电容
45
10
5
4
SEE
表1
45
pF
–10
0
0
10
5
4
V
测试条件
民
典型值
最大
16
民
ADS8517IB
(1)
典型值
最大
16
单位
位
(1)
阴影部分表示不同规格的高档版本的设备。
2
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2008 ,德州仪器
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电气特性(续)
在T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
S
= 200千赫,V
DIG
= V
ANA
= 5 V ,使用内部参考(见
图39) ,
除非另有说明。
ADS8517I
参数
吞吐速度
转换时间
完整的周期
吞吐率
DC精度
INL
DNL
积分非线性误差
微分线性误差
无失码
过渡噪声
增益误差
满量程误差
(4)
内部参考
外部2.5 V参考
内部参考
外部2.5 V参考
± 10 V范围
± 10 V范围
0 V至5 V , 0 V至24 V范围
0 V至5 V , 0 V至24 V范围
2.2 μF电容CAP
4.75 V < V
ANA
< +5.25 V
+4.5 V& LT ; V
ANA
& LT ; +5.5 V
f
IN
= 10 kHz时, ± 10 V
f
IN
= 10 kHz时, ± 10 V
f
IN
= 10 kHz时, ± 10 V
-60 dB的输入
f
IN
= 10 kHz时, ± 10 V
(7)
(3)
ADS8517IB
(1)
最大
民
典型值
最大
单位
s
s
千赫
最低位
(2)
最低位
位
0.8
±0.1
0.75
0.75
–0.75
–0.75
±9
±1
5
–2
±1
±0.6
3
–2
±0.1
±0.15
1
+8
+20
–6
–12
+6
+12
2
2
0.75
0.75
最低位
%
%
%
PPM /°C的
PPM /°C的
mV
PPM /°C的
mV
PPM /°C的
ms
最低位
测试条件
民
典型值
2.5
采集和转换
200
5
200
2.5
5
–3
–2
15
0.9
±0.2
–0.75
–0.75
±9
±1
–5
±1
±0.6
–3
±0.1
±0.15
1
–8
–20
3
3
–1.5
–1
16
1.5
1.5
满量程误差漂移
BPZ
双极性零误差
双极性零误差漂移
UPZ
单极性零误差
单极零误差漂移
恢复时间达到规定精度
从掉电
(5)
电源灵敏度
(V
DIG
= V
ANA
= V
S
)
AC精度
SFDR
THD
SINAD
SNR
无杂散动态范围
总谐波失真
信号与(噪声+失真)
信噪比
SNR可用带宽
92
100
–97
–92
96
101
–98
–95
dB
(6)
dB
dB
dB
千赫
千赫
85
88
29
87
88.5
29
85
88
130
600
88
89
130
600
f
IN
= 10 kHz时, ± 10 V
f
IN
= 10 kHz时, ± 10 V
SNR全功率带宽( -3 dB)的
采样动态
孔径延迟
孔径抖动
瞬态响应
过压恢复
(8)
40
20
FS步骤
750
5
40
20
5
750
ns
ps
s
ns
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
LSB表示最低有效位。一个LSB为± 10 V输入范围是305
V.
典型均方根噪声在最坏情况下的转换。
满量程误差为 - 全规模还是从理想的第一和最后一个代码转换+全尺寸修剪差,除以最糟糕的情况下,
过渡电压(不是由满量程范围划分),并且包括偏移误差的影响。
这是时间延迟后, ADS8517是带出掉电模式,直到所有的内部发生沉降和模拟输入
后天额定精度。这种延迟后Convert命令将产生准确的结果。
以dB为单位,所有规格均参考满量程输入。
定义为满量程输入频率处信纳比(噪声+失真)降低到60分贝可用带宽。
经过2个FS输入过压恢复到指定的性能。
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3
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电气特性(续)
在T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
S
= 200千赫,V
DIG
= V
ANA
= 5 V ,使用内部参考(见
图39) ,
除非另有说明。
ADS8517I
参数
参考
内部参考电压
内部基准电压源电流
(必须使用外部缓冲器)
内部参考电压漂移
外部参考电压范围
对于规定的线性度
外部参考电流消耗
数字输入
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
低电平输入电压
(9)
高电平输入电压
低电平输入电流
高层次的输入电流
(9)
ADS8517IB
(1)
最大
民
典型值
最大
单位
测试条件
民
典型值
空载
2.48
2.5
1
8
2.52
2.48
2.5
1
8
2.52
V
A
PPM /°C的
2.3
外部2.5 V参考
2.5
2.7
100
2.3
2.5
2.7
100
V
A
V
V
A
A
V
DIG
= 1.65 V至5.5 V
V
DIG
= 1.65 V至5.5 V
V
IL
= 0 V
V
IH
= 5 V
–0.3
0.5× V
DIG
0.6
V
DIG
+ 0.3
±10
±10
–0.3
0.5× V
DIG
0.6
V
DIG
+ 0.3
±10
±10
数字输出
数据格式 - 并行16位中2个字节,串行
数据编码 - 二进制补码或标准二进制
V
OL
V
OH
低电平输出电压
高电平输出电压
漏电流
输出电容
数字定时
总线访问时间
总线释放时间
电源
V
DIG
V
ANA
I
DIG
I
ANA
接口电压
ADC内核电压
接口电流
ADC内核电流
V
DIG
= 5 V
V
ANA
= 5 V
V
ANA
= V
DIG
= 5 V,
f
S
= 200千赫
功耗
REFD高配BUF上
PWRD和REFD高
温度范围
指定的性能
性能会下降
储存温度
θ
JA
热阻抗
TSSOP
SO
–40
–55
–65
62
46
+85
+125
+150
–40
–55
–65
62
46
+85
+125
+150
°C
°C
°C
° C / W
1.65
4.5
1.8
5
0.3
9
47
42
50
60
5.5
5.5
1.65
4.5
1.8
5
0.3
9
47
42
50
60
5.5
5.5
V
V
mA
mA
mW
mW
W
R
L
= 3.3 kΩ的,C
L
= 50 pF的
R
L
= 3.3 kΩ的,C
L
= 10 pF的
83
83
83
83
ns
ns
I
SINK
= 1.6毫安,
V
DIG
= 1.65V至5.5V
I
来源
= 500A,
V
DIG
= 1.65V至5.5V
高阻态,
V
OUT
= 0 V到V
DIG
高阻态
V
DIG
– 0.45
±5
15
0.45
V
DIG
– 0.45
±5
15
0.45
V
V
A
pF
(9)
TTL兼容的5V电源。
表1.模拟输入范围的连接(见
图38
和
图39)
模拟量输入
范围
±10 V
0 V至5 V
0 V至24 V
CONNECT R1
IN
VIA 200
TO
V
IN
AGND
V
IN
CONNECT R2
IN
通过100
TO
帽
V
IN
V
IN
阻抗
45.7 k
20.0 k
21.4 k
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引脚配置
DW , PW套餐
SO- 28和TSSOP -28
(1)
( TOP VIEW )
R1
IN
AGND1
R2
IN
帽
REF
AGND2
SB / BTC
EXT / INT
D7
D6
D5
D4
D3
DGND
1
2
3
4
5
6
7
28
27
26
25
24
23
22
V
DIG
V
ANA
REFD
PWRD
忙
CS
的R / C
字节
标签
SDATA
DATACLK
D0
D1
D2
ADS8517
8
9
10
11
12
13
14
21
20
19
18
17
16
15
(1)
TSSOP -28 ( PW )封装Q2 2009 。
引脚分配
针
名字
R1
IN
AGND1
R2
IN
帽
REF
AGND2
SB / BTC
号
1
2
3
4
5
6
7
I
数字
I / O
模拟输入。
模拟感应地面。内部使用的接地参考点。最小电流
模拟输入。
基准缓冲输出。 2.2 μF的钽电容到地。
基准输入/输出。输出内部2.5 V基准电压源。也可以由外部系统驱动
参考。在这两种情况下,旁路至地, 2.2 μF钽电容。
模拟地
输出模式选择。选择标准二进制或二进制补码输出数据格式。如果
高时,数据是在一个标准二进制格式的输出。如果低,数据是在一个二进制二进制补码输出
补码格式。
外部/内部数据进行选择。选择外部/内部数据时钟传输数据。如果高,
数据输出同步到DATACLK时钟输入。如果低,一个转换命令将启动
从先前转换的数据的传输,以及16输出的时钟脉冲上
DATACLK 。
数据位7 ,如果BYTE高。数据15位(MSB ) ,如果字节是低的。高阻当CS为高电平和/或R / C
是低的。使用串行输出时不连接。
数据位6 ,如果一个字节是高的。数据位14 ,如果BYTE低。高Z当CS为高电平时和/或R / C为低。
数据位5 ,如果BYTE高。数据位13 ,如果BYTE低。高Z当CS为高电平时和/或R / C为低。
数据位4 ,如果BYTE高。数据位12 ,如果BYTE低。高Z当CS为高电平时和/或R / C为低。
数据位3 ,如果BYTE高。数据位11字节,如果是低的。高Z当CS为高电平时和/或R / C为低。
数字地
O
O
数据位2 ,如果BYTE高。数据位10 ,如果BYTE低。高Z当CS为高电平时和/或R / C为低。
数据位1 ,如果一个字节是高的。数据位9 ,如果BYTE低。高Z当CS为高电平时和/或R / C为低。
描述
EXT / INT
8
I
D7
D6
D5
D4
D3
DGND
D2
D1
9
10
11
12
13
14
15
16
O
O
O
O
O
2008 ,德州仪器
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